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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2046-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2046-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2046-VB產(chǎn)品簡介

K2046-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為TO252,專為要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用而設(shè)計。該器件具有較高的最大漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓范圍為±20V,適合于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的驅(qū)動電壓下實現(xiàn)開關(guān)操作。得益于其先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),K2046-VB展現(xiàn)出極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),使其在高負(fù)載條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,非常適合高效能電源和電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。

### 二、K2046-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 30V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
 - 9mΩ @ VGS=4.5V  
 - 7mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 70A  
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  K2046-VB在電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配模塊中。其高漏電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效降低能量損耗,從而提高系統(tǒng)效率,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高能效的要求。

2. **電機(jī)驅(qū)動**  
  在電機(jī)控制應(yīng)用中,K2046-VB可以用作開關(guān)元件,驅(qū)動直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。其較高的額定電流(70A)和快速開關(guān)特性,使其在電機(jī)驅(qū)動電路中能夠處理高負(fù)載并提供平穩(wěn)的運行性能,適合于機(jī)器人、自動化設(shè)備及電動工具等領(lǐng)域。

3. **高頻開關(guān)電源**  
  K2046-VB也適用于高頻開關(guān)電源的設(shè)計。在這些電源中,其低RDS(ON)特性能夠降低開關(guān)損耗,提高整體轉(zhuǎn)換效率。該MOSFET特別適合于服務(wù)器、通信設(shè)備及其他高效能電源供應(yīng)器,能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。

通過以上應(yīng)用領(lǐng)域的舉例,K2046-VB為工程師提供了一個高效、可靠的解決方案,以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對性能和能效的需求。

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