### K2084STL-E-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K2084STL-E-VB是一款單N通道MOSFET，專為低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其**VDS（漏極到源極電壓）**為**30V**，**VGS（柵極到源極電壓）**可耐受±20V，適合多種開關(guān)電源和驅(qū)動(dòng)電路。該器件的**閾值電壓（Vth）**為**1.7V**，保證了良好的開關(guān)性能，且在**VGS=4.5V**時(shí)的**RDS(ON)**為**9mΩ**，在**VGS=10V**時(shí)為**7mΩ**，這使得該MOSFET在導(dǎo)通時(shí)具有極低的電阻，從而降低功率損耗。最大**漏電流（ID）**為**70A**，使其能夠處理高電流應(yīng)用。采用**溝槽技術(shù)（Trench Technology）**，這種技術(shù)可提供更低的導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)效率，適用于要求嚴(yán)格的電源管理系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **封裝**: TO252  
  TO252封裝具有良好的散熱性能，適合在高功率應(yīng)用中的熱管理需求。

2. **配置**: 單N通道  
  該MOSFET采用N通道配置，具有更高的效率和較低的開關(guān)損耗，廣泛應(yīng)用于各種電源和驅(qū)動(dòng)電路。

3. **VDS（漏極到源極電壓）**: 30V  
  適合低壓應(yīng)用，能夠應(yīng)對(duì)常見的電壓需求。

4. **VGS（柵極到源極電壓）**: ±20V  
  器件可承受較寬的柵極電壓，增加了設(shè)計(jì)的靈活性。

5. **Vth（閾值電壓）**: 1.7V  
  低閾值電壓使其在較低的柵極電壓下即可開啟，提高了驅(qū)動(dòng)效率。

6. **RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）**:  
  - 9mΩ @ VGS=4.5V  
  - 7mΩ @ VGS=10V  
  低導(dǎo)通電阻減少了功率損耗，提升了電能轉(zhuǎn)換效率。

7. **ID（漏電流）**: 70A  
  適合高電流應(yīng)用，可滿足多種電源和驅(qū)動(dòng)電路的需求。

8. **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)  
  溝槽技術(shù)能夠有效降低導(dǎo)通電阻，提高開關(guān)性能和效率。

### 適用領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例

1. **開關(guān)電源（SMPS）**  
  K2084STL-E-VB 可廣泛應(yīng)用于**開關(guān)模式電源（SMPS）**中，特別是在需要高效率和低功耗的場合。其低導(dǎo)通電阻使得在高負(fù)載情況下仍能保持優(yōu)異的能效。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，該MOSFET能夠有效控制電機(jī)的開關(guān)，提供快速的響應(yīng)時(shí)間和穩(wěn)定的電流控制，適用于**電動(dòng)工具**、**家用電器**等領(lǐng)域。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**  
  K2084STL-E-VB 也適用于**LED驅(qū)動(dòng)電路**，可以在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效率的電流控制，確保LED的穩(wěn)定亮度和長壽命。

4. **電池管理系統(tǒng)**  
  在電池管理系統(tǒng)中，該MOSFET可以用于**充電和放電控制**，能夠有效處理高達(dá)70A的電流，確保電池在安全的工作范圍內(nèi)。

5. **功率模塊**  
  在各種功率模塊中，K2084STL-E-VB 可用于**DC-DC轉(zhuǎn)換器**和**電源分配網(wǎng)絡(luò)**，確保高效的電能轉(zhuǎn)換和分配。

總結(jié)來說，K2084STL-E-VB MOSFET憑借其低電壓和高電流特性，適用于開關(guān)電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)及功率模塊等多種領(lǐng)域。