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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2084S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2084S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

K2084S-VB 是一款 TO252 封裝的 N 溝道功率 MOSFET,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓 (VDS) 為 30V,柵源電壓 (VGS) 可承受 ±20V 的電壓變化,啟用電壓 (Vth) 為 1.7V。該 MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 9mΩ,VGS=10V 時為 7mΩ,最大連續(xù)漏極電流為 70A。這使得 K2084S-VB 在高效率電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合用于要求高電流處理能力的電子設(shè)備。

**二、詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: 溝槽技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **最大功耗**: 62.5W(在適當(dāng)?shù)纳釛l件下)

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: K2084S-VB 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,特別是在高效能的開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,幫助提高能量轉(zhuǎn)換效率,降低功耗。

2. **電動工具**: 在電動工具及設(shè)備中,該 MOSFET 可用作高效的功率開關(guān),支持高達(dá) 70A 的電流,滿足各種負(fù)載條件下的啟動和運(yùn)行需求,確保設(shè)備在高負(fù)載情況下依然能夠穩(wěn)定工作。

3. **電機(jī)驅(qū)動**: K2084S-VB 也非常適合用于電機(jī)控制和驅(qū)動電路,尤其在需要頻繁開關(guān)和高電流處理的場合,能夠確保電機(jī)在啟動、停止和調(diào)速過程中的平穩(wěn)運(yùn)行。

4. **LED 驅(qū)動器**: 在 LED 照明應(yīng)用中,此 MOSFET 可以用作 LED 驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,控制電源輸入,提供穩(wěn)定和高效的 LED 驅(qū)動,尤其適合高亮度 LED 應(yīng)用場景。

綜上所述,K2084S-VB 的低電壓、低導(dǎo)通電阻和高電流特性,使其成為多個高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件。

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