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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD5804NG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD5804NG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD5804NG-VB 產(chǎn)品簡介

NTD5804NG-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封裝為 TO252。它采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適合各種高效能電源管理應(yīng)用。其最大漏極源極電壓 (VDS) 為 40V,能夠在多種工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。此外,該器件在較低的柵源電壓下(VGS)也能實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)通性能,進(jìn)一步提升了其在電源應(yīng)用中的適用性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NTD5804NG-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

NTD5804NG-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **電源管理**: 在開關(guān)電源(SMPS)和電源轉(zhuǎn)換器中,NTD5804NG-VB 由于其低 RDS(ON) 特性,可以提高轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動**: 該 MOSFET 可用于直流電機(jī)驅(qū)動電路,在電機(jī)啟動和調(diào)速時,提供快速響應(yīng)和高效率的電流控制。

3. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池充電和放電過程中,NTD5804NG-VB 能夠有效地控制電流流動,確保電池的安全與穩(wěn)定。

4. **LED 驅(qū)動**: 在 LED 驅(qū)動電路中,使用該 MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)高效的電流調(diào)節(jié)和控制,延長 LED 的使用壽命。

5. **逆變器和轉(zhuǎn)換器**: 在太陽能逆變器和其他電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用作開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

這些應(yīng)用領(lǐng)域展示了 NTD5804NG-VB 在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中的重要性和廣泛適用性。

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