### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NVD14N03RT4G是一款高效能的N-Channel MOSFET，封裝為TO252，具備30V的漏源電壓（VDS）和優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，特別適用于高電流和高效能的電源管理應(yīng)用。該MOSFET的設(shè)計(jì)旨在提供出色的性能和可靠性，適合多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
NVD14N03RT4G廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC變換器、電動(dòng)工具和汽車電子等領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效能的開關(guān)電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)卓越，能夠有效降低能量損耗。在電動(dòng)工具中，它可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制，提高設(shè)備的效率和性能。同時(shí)，TO252封裝設(shè)計(jì)使其在空間受限的應(yīng)用中提供了便利，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。