### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NVD3055L170T4G-VB是一款高效能的N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其具有合理的導(dǎo)通電阻，適合在多個(gè)電源管理和開關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能，尤其在較高電流條件下表現(xiàn)出色。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 85mΩ@VGS=4.5V
- 73mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NVD3055L170T4G-VB廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和LED照明等領(lǐng)域。其適中的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力使其非常適合在需要高效率和低發(fā)熱的應(yīng)用中，尤其是在消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子中表現(xiàn)優(yōu)異。