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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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HMC349AMS8GETR,高線性度與高功率處理的射頻開關

型號: HMC349AMS8GETR

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)品型號 HMC349AMS8GETR
  • 產(chǎn)品類型 射頻開關
  • 品牌 Analog Devices

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

HMC349AMS8GETR

型號介紹
       今天我要向大家介紹的是 Analog Devices 的一款射頻開關——HMC349AMS8GETR。 它擁有極低的插入損耗,僅為 0.9 dB 至 2 GHz,這意味著它能夠以極高的效率傳輸信號,就像一條高速公路,讓信號暢通無阻。同時,它還擁有高輸入線性度,這意味著它能夠準確地傳輸信號,即使是在高功率的情況下,也能夠保持信號的完整性。

 

主要特征
高隔離度: 57 dB 至 2 GHz,有效減少信號干擾。
低插入損耗: 0.9 dB 至 2 GHz,信號傳輸效率高。
高輸入線性度: 52 dBm IP3 和 34 dBm P1dB,確保信號質量。
高功率處理能力: 33.5 dBm 通過路徑和 26.5 dBm 終止路徑,適用于高功率應用。

 

應用領域
無線基礎設施
測試設備
商用雷達設備

 

相關型號
LTM4626EY#PBF
5CGTFD7D5F27C7N
MAX-M10S-00B
ADXL355BEZ-RL7
BLP9H10S-850AVTZ
BLM9D1822-30BZ
BLM10D2327-40ABZ 
B11G2327N71DYZ
CHA5266-QDG
GD25Q64EWIGR
AD822ARZ-REEL7
HMC349AMS8GETR
BMI270

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