MBC50-1.0B14電容器利用熱生長二氧化硅基上的氮化硅介質(zhì)。合成的復(fù)合電介質(zhì)具有低泄漏電流和插入損耗，具有良好的長期穩(wěn)定性。電容溫度系數(shù)通常為+55 ppm/oC。
產(chǎn)品規(guī)格
零件編號 MBC50-1.0B14
簡短描述 MNOS系列電容器
電容范圍MIN（pF） 0.80
最大電容范圍（pF） 1.20
類型 光束引線
最小偏差（V） 50
最小IR（nA） 1000
Tcc類型（ppm/攝氏度） 55
CT（pF） 1
特征
低泄漏電流
優(yōu)異的長期穩(wěn)定性
低插入損耗
應(yīng)用
航空航天與國防
ISM
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