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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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QPD1008 射頻功率晶體管

型號: QPD1008

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 3,200
  • 增益(分貝) > 17
  • 飽和度(dBm) 52
  • PAE (%) 70
  • 電壓(伏) 50
  • Idq (毫安) 260
  • 包裝類型 NI-360

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1008

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1008 是一款 125 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 3.2 GHz 和 50V 電源軌范圍內(nèi)工作。該器件采用行業(yè)標準氣腔封裝,非常適用于軍用和民用雷達、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設備和測試儀器。該器件可以支持脈沖、CW 和線性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 3,200
增益(分貝) > 17
飽和度(dBm) 52
PAE (%) 70
電壓(伏) 50
Idq (毫安) 260
包裝類型 NI-360

 

主要特征
頻率范圍:DC - 3.2 GHz
輸出功率 (P3dB):2 GHz 時為 162 W
線性增益:> 17 dB,典型值為 2 GHz
典型 PAE3dB:在 2 GHz 時 > 70 %
工作電壓:50V
低熱阻封裝

 

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