QPD1016 射頻晶體管

射頻射頻晶體管晶體管

型號(hào)： QPD1016

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 1,700
增益（分貝） 23.9
飽和度(dBm) 58.3
PAE （%） 77.4
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 1,000
包裝類型 NI-780

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1016 是一款 500 W (P3dB) 預(yù)匹配分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 1.7 GHz 和 50 V 電源下工作。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，非常適合 IFF、航空電子設(shè)備、軍用和民用雷達(dá)以及測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 1,700
增益（分貝） 23.9
飽和度(dBm) 58.3
PAE （%） 77.4
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 1,000
包裝類型 NI-780

主要特征
頻率范圍：DC - 1.7 GHz
輸出功率 (P3dB)：1.3 GHz 時(shí)為 680 W
線性增益：1.3 GHz 時(shí)典型值為 23.9 dB
典型 PAE3dB：1.3 GHz 時(shí)為 77.4%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
連續(xù)波和脈沖能力

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