--- 產品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 25,000
- 增益(分貝) 15
- 飽和度(dBm) 38.6
- PAE (%) 57
- 電壓(伏) 28
- Idq (毫安) 80
- 包裝(毫米) 0.83 x 0.55 x 0.10
--- 產品詳情 ---

產品簡介
Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT,可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 電源下工作。該器件采用 Qorvo 成熟的 QGaN15 工藝構建。該器件可以支持脈沖、CW 和線性操作。
產品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 25,000
增益(分貝) 15
飽和度(dBm) 38.6
PAE (%) 57
電壓(伏) 28
Idq (毫安) 80
包裝(毫米) 0.83 x 0.55 x 0.10
主要特征
頻率范圍:DC - 25 GHz
輸出功率 (P3dB):10 GHz 時為 7.2 W
線性增益:10 GHz 時典型值為 15 dB
典型 PAE3dB:10 GHz 時為 57%
10 GHz 時的典型 NF:1.3 dB
工作電壓:28V
CW 和脈沖能力
0.83 x 0.55 x 0.10 芯片
相關型號
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