產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN2018F 先進(jìn)的工藝能力和封裝設(shè)計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設(shè)備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 5
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 40
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 25
主要特征
更高的功耗SOT23封裝
高峰值電流
低飽和電壓
140V正向阻斷電壓
相關(guān)型號
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