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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXTN2018FQ NPN 中功率 晶體管

型號(hào)： ZXTN2018FQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車
  • Product NPN
  • VCEO, VCES 60 V
  • IC (A) 5 A
  • ICM (A) 12 A
  • PD (W) 1.2 W
  • fT (MHz) 130 MHz

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2018FQ

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTN2018FQ 這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
Product Type NPN
VCEO, VCES (V) 60 V
IC (A) 5 A
ICM (A) 12 A
PD (W) 1.2 W
hFE (min) 100 Min
hFE(@ IC) 2 A
hFE(Min 2) 40
hFE(@ IC2) 5 A
VCE (SAT)Max (mV) 55 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A) 1/50
VCE (SAT)(Max.2) 170 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130 MHz

 

主要特征
BVCEO > 60V
最大連續(xù)集電極電流 IC = 5A
VCE(SAT) < 45mV @ 1A
RCE(SAT) = 25mΩ
高功耗 SOT23（DN 型）封裝
高峰值電流
低飽和電壓
140V 正向阻斷電壓

 

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