產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN2031F 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標準
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 50
IC (A) 5
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 190
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 80
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 18
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 24
主要特征
bvco>50伏
BVCEV>80V正向閉鎖電壓，
IC=5A高連續(xù)集電極電流
ICM=12A集電極峰值電流
低飽和電壓，VCE（SAT）<40mV@1A
RCE（SAT）=24m? 對于低等效導通電阻
互補PNP類型：ZXTP2025F
相關型號
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