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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SDM1L20DCP3 整流器 肖特基 二極管

型號(hào): SDM1L20DCP3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) SDM1L20DCP3
  • 名稱 1A 肖特基勢(shì)壘二極管芯片
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X3-DSN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SDM1L20DCP3

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 SDM1L20DCP3 是一款 20V 肖特基勢(shì)壘二極管,針對(duì)極低正向壓降和低泄漏電流進(jìn)行了優(yōu)化。它采用1A 肖特基勢(shì)壘二極管芯片尺寸封裝,僅占用 0.6mm 2 電路板空間,外形小巧。低熱阻使設(shè)計(jì)人員能夠應(yīng)對(duì)提高效率同時(shí)減少電路板空間的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。它非常適合在便攜式應(yīng)用中使用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            SDM1L20DCP3
名稱            1A 肖特基勢(shì)壘二極管芯片
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            X3-DSN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Dual
MaximumAverageRectifiedCurrent IO(A) 1 A
@ TerminalTemperature TT (oC) N/A oC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V) 20 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A) 10 A
Forward Voltage Drop VF (V) 0.5 V
@ IF (A) 0.5 A
Maximum ReverseCurrent IR (μA) 100 μA
@ VR (V) 20 V


主要特征
0.6mm2 占地面積,板外輪廓為 0.275mm
低正向電壓——最大限度地減少功耗
低漏電 – 最大限度地提高電池電量
軟、快速的開關(guān)能力

 

相關(guān)型號(hào)
SBL4060PTW
SBL6030PT
SBL6040PT
SBL6040PTW
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