產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMNH3010LK3 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMNH3010LK3
名稱(chēng) 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TO252 (DPAK)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 55 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 2075 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
開(kāi)關(guān)速度快
相關(guān)型號(hào)
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