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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMNH45M7SCT 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMNH45M7SCT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMNH45M7SCT
  • 名稱(chēng) 40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO220AB (Generic)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMNH45M7SCT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMNH45M7SCT 這款新一代增強(qiáng)型MOSFET的設(shè)計(jì)目的最小化RDS(ON),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMNH45M7SCT
名稱(chēng)                40V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                TO220AB (Generic)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 220 A
PD @TC = +25°C (W) 240 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 31.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 64.7 nC
CISS Typ (pF) 4043 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V

 

主要特征
低輸入電容
低輸入/輸出泄漏

 

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