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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP3036SFG 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMP3036SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3036SFG
  • 名稱 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI® 3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3036SFG 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3036SFG  該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3036SFG
名稱                  30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI? 3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 29 (@5V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 16.5 nC
CISS Typ (pF) 1931 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 R DS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化。
小尺寸熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品。
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品。


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