--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMT2004UFG
- 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI3333-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT2004UFG 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT2004UFG
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 70 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.55 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.45 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 29.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 1683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保導(dǎo)通狀態(tài)損耗最小化
小尺寸熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
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