--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMTH10H017LPD
- 名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 PowerDI®5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH10H017LPD 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的特點(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH10H017LPD
名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 59 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 93 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 17.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 30.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 28.6 nC
CISS Typ (pF) 1986 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
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