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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMTH3004LFGQ 30V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH3004LFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH3004LFGQ
  • 名稱 30V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH3004LFGQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH3004LFGQ 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH3004LFGQ
名稱                  30V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 50 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關(guān)（生產(chǎn)中測試）——確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應用
低 RDS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
優(yōu)秀的 Qgd x RDS(ON) 產(chǎn)品 (FOM)
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
100% UIS（雪崩）評級
完全無鉛且完全符合 RoHS 標準
不含鹵素和銻?！熬G色”設備
符合 AEC-Q101 高可靠性標準
PPAP 能力


相關(guān)型號
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