產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6015LDVW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件非常適合用于電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH6015LDVW
名稱(chēng) 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 POWERDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 24.5 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
PD @TC = +25°C (W) 24.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 27 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.3 nC
CISS Typ (pF) 825 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面
ESD保護(hù)柵極
相關(guān)型號(hào)
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