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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXMS6005DG 60V N 溝道自保護(hù)增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): ZXMS6005DG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXMS6005DG
  • 名稱 60V N 溝道自保護(hù)增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223 (Type DN)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMS6005DG 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMS6005DG 是一款具有邏輯電平輸入的自保護(hù)低側(cè) IntelliFET? MOSFET。它集成了過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓(有源鉗位)和 ESD 保護(hù)邏輯電平功能。ZXMS6005DG 非常適合作為在標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 不夠堅(jiān)固的惡劣環(huán)境中由 3.3V 或 5V 微控制器驅(qū)動(dòng)的通用開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXMS6005DG
名稱                    60V N 溝道自保護(hù)增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT223 (Type DN)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Single
Polarity N
TAB Drain
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 2
PD (W) 3
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 250
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 200
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 24
EAS (mJ) 490
TJ (°C) 150


主要特征
緊湊型高功耗封裝
低輸入電流
邏輯電平輸入(3.3V 和 5V)
具有自動(dòng)重啟功能的短路保護(hù)
過(guò)壓保護(hù)(有源鉗位)
帶自動(dòng)重啟功能的熱關(guān)斷
過(guò)流保護(hù)
輸入保護(hù)(ESD)
高連續(xù)額定電流


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