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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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D2V5F4U8MR ESD保護(hù) 二極管

型號(hào): D2V5F4U8MR

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) D2V5F4U8MR
  • 名稱(chēng) ESD保護(hù) 二極管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

D2V5F4U8MR

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 D2V5F4U8MR 這款 瞬態(tài)電壓抑制器旨在保護(hù)低電壓。它專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到高速數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)路的敏感組件免受 ESD(靜電放電)、CDE(電纜放電事件)和 FET(快速電瞬變)引起的過(guò)壓影響。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    D2V5F4U8MR
名稱(chēng)                    ESD保護(hù) 二極管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 80
AEC Qualified Yes
Configuration Quad (Uni-Directional)
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 2.1 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 2.5 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 2.7 V
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 20 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) ±8 kV


主要特征
保護(hù)兩線(xiàn)對(duì)(四線(xiàn))
低電容 < 3pF,適用于高速接口
低工作電壓和鉗位電壓
IEC 61000-4-2,4 級(jí)(ESD),> ±15KV(空氣);> ±8KV(接觸)
IEC 61000-4-5,3 級(jí)(閃電),48A (8/20μs)


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