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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NDT3055L-VB-SOT223封裝N溝道MOSFET

型號(hào): NDT3055L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 極性 N溝道
  • 額定電壓 60V
  • 額定電流 4A
  • 導(dǎo)通電阻 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
  • 門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
  • 閾值電壓 1.53Vth (V)

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NDT3055L詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 
- 極性 N溝道
- 額定電壓 60V
- 額定電流 4A
- 導(dǎo)通電阻 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 1.53Vth (V)
- 封裝類(lèi)型 SOT223

應(yīng)用簡(jiǎn)介 
NDT3055L是一款N溝道MOSFET,具有適中的額定電壓和額定電流,適合在各種電源管理和功率放大器應(yīng)用中使用。它的導(dǎo)通電阻較低且具有較高的性能特性,能夠提供可靠而高效的電流開(kāi)關(guān)功能。

該器件通過(guò)控制20Vgs (±V)的門(mén)源電壓,實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和截止,實(shí)現(xiàn)電流的控制和開(kāi)關(guān)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。它的低導(dǎo)通電阻能夠降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

NDT3055L采用SOT223封裝,封裝小巧,適合在空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景中使用。

該器件廣泛應(yīng)用于電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。其適中的額定電壓和額定電流使其特別適用于中低功率的應(yīng)用需求。在這些領(lǐng)域中,NDT3055L能夠提供可靠的功率開(kāi)關(guān)控制,實(shí)現(xiàn)高效能的電流傳輸和開(kāi)關(guān)操作。

總之,NDT3055L是一款適中性能的N溝道MOSFET,適用于電源管理和功率放大器的各種應(yīng)用模塊中,特別是在電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。

 

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