型號(hào)  AO3460-VB
絲印  VB162K
品牌  VBsemi
參數(shù)  
 類型  N溝道
 額定電壓（Vds）  60V
 最大持續(xù)電流（Id）  0.3A
 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）  2800mΩ @ 10V
 門源電壓范圍（Vgs）  20V（正負(fù)）
 閾值電壓（Vth）  1.6V
 封裝  SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介  
AO3460-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要低功耗和低電流的電子應(yīng)用。它通常用于小功率電路和電子開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  
1.  類型   這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓（Vds）   它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對(duì)高電壓條件下工作。

3.  最大持續(xù)電流（Id）   這款MOSFET的最大電流承受能力為0.3A。這使其適用于低功耗和小電流的應(yīng)用。

4.  導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）   RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為2800mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對(duì)較高，適用于小功率應(yīng)用。

5.  門源電壓范圍（Vgs）   MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6.  閾值電壓（Vth）   這款MOSFET的閾值電壓為1.6V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用SOT23封裝，這是一種小型封裝類型，適用于緊湊的電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用領(lǐng)域  
AO3460-VB這款MOSFET適用于多種需要低功耗和低電流的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊  

1.  小功率電子開(kāi)關(guān)   常用于小型電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)電路，例如手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備中的電源管理。

2.  信號(hào)開(kāi)關(guān)   在需要低功耗的信號(hào)開(kāi)關(guān)電路中使用，例如傳感器信號(hào)處理和通信設(shè)備。

3.  電池管理   可用于低功耗電池管理電路，以延長(zhǎng)電池壽命和提高能效。

4.  模擬電路保護(hù)   在模擬電路中用于過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)。

5.  小型電源轉(zhuǎn)換器   在需要小功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中使用，例如低功耗DC-DC轉(zhuǎn)換器。

總之，AO3460-VB適用于需要低功耗和低電流操作的小型電子模塊和設(shè)備，特別是在需要低功耗和小功率的應(yīng)用中。