型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC1606是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT），具有高線性和高功率附加效率。該裝置采用適當(dāng)?shù)耐坠に囘M(jìn)行處理，提供了低成本熱阻和低電感。長(zhǎng)的柵極長(zhǎng)度使得器件具有高擊穿電壓。所有設(shè)備都經(jīng)過(guò)100%直流測(cè)試，以確保質(zhì)量一致。焊盤為鍍金熱壓或熱聲引線接合。背面鍍金與標(biāo)準(zhǔn)AuSn兼容模具連接。典型應(yīng)用包括商用高性能功率放大器
型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號(hào) TC1606
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號(hào)參數(shù)
2W 6 GHz時(shí)的典型功率
線性功率增益：GL=12 dB 6 GHz時(shí)的典型值
高線性度：IP3=43 dBm，6 GHz時(shí)典型
過(guò)孔源接地
適用于高可靠性應(yīng)用
擊穿電壓：BVDGO≥18V
Lg=0.6μm，Wg=5 mm
高功率附加效率：6 GHz時(shí)標(biāo)稱PAE為43%
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測(cè)試
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