型號簡介
Sumitomo的TC1102是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備可用于高達(dá)30 GHz的電路，以及適用于低噪聲應(yīng)用。全部的設(shè)備經(jīng)過100%直流測試，以確保質(zhì)量一致。所有焊盤均鍍金熱壓或熱聲引線接合。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號 TC1102P0912
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關(guān)增益：Ga=13 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=160μm
全金金屬化，實(shí)現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試
相關(guān)型號
TC1504N
TC1301
TC2282
TC2281
TC2381
TC1501
TC2181
TC1606
TC2201
TC1301VP0912
TC1301VP0710
TC1301V
TC1202P0710
TC1202P0912
TC1201P0912
TC1201P0811
TC1201
TC1102P0912
TC1102P0811
