TC1102 超低噪聲GaAs FET

FET GaAs 晶體管

型號(hào)： TC1102

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo
型號(hào) TC1102
名稱砷化鎵HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC1102是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備可用于高達(dá)30 GHz的電路，以及適用于低噪聲應(yīng)用。全部的設(shè)備經(jīng)過(guò)100%直流測(cè)試，以確保質(zhì)量一致。所有焊盤均鍍金熱壓或熱聲引線接合。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號(hào) TC1102
名稱砷化鎵HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 Chip

型號(hào)參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz時(shí)的典型值
高相關(guān)增益：Ga=13 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=160μm
全金金屬化，實(shí)現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測(cè)試

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