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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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FLM1314-3F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET

型號(hào): FLM1314-3F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FLM1314-3F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IA

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM1314-3F

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FLM1314-3F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確??煽啃院鸵恢碌男阅堋?/p>


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FLM1314-3F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IA
 

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB b35.0dBm(型號(hào))
高增益:G1dB as5.5dB(類型)
高PAE:η加p25%(類型)
低IM3=-45dbc@po=24.0dBm
寬帶:13.75至14.5GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50?


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