--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號(hào) ELM6472-7PST
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 SMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的ELM6472-7PS是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以提供最佳功率和增益。
型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) ELM6472-7PST
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 SMT
型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB=39.0dBm(典型)
高增益:G1dB=10.5dB(典型值)
高功率附加效率:PAE=35%(典型值)
寬帶:頻率=6.4至7.2GHz
內(nèi)部匹配
SMT應(yīng)用的塑料封裝
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