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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FHX35X/002 低噪聲 HEMT

型號(hào): FHX35X/002

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FHX35X/002
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 名稱 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FHX35X/002 

型號(hào)簡介
Sumitomo的FHX35X/002芯片和FHX35LG/002封裝器件均為HEMT(高電子遷移率晶體管)適合用作前端的晶體管在高速光波通信系統(tǒng)中的光學(xué)接收器。這種HEMT結(jié)合了高跨導(dǎo)、低柵極電容和低漏電流;實(shí)現(xiàn)低噪聲的所有重要因素前置放大器。富士通嚴(yán)格的質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)的測(cè)試程序確保最高的可靠性性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FHX35X/002 
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
高跨導(dǎo)
低漏電流
低柵極電容
黃金粘合系統(tǒng)
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性


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FHX35X/002 
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