1 引言

　　基站即公用移動通信基站是無線電臺站的一種形式，是指在一定的無線電覆蓋區(qū)中，通過移動通信交換中心，與移動電話終端之間進行信息傳遞的無線電收發(fā)信電臺。在無線基站中，功放(PA)決定了信號鏈在功耗、線性度、效率和成本方面的性能。通過對基站中的功放性能進行監(jiān)測與控制，可以最大化地提高功放的輸出，而同時又可獲得最優(yōu)的線性度和效率。本文將討論使用分立元件的功放監(jiān)測與控制解決方案，并介紹集成的解決方案。

　　2 使用分立元件進行功放控制

　　圖1示出了使用LDMOS晶體管的基本功率級。在線性度、效率和增益之間固有的權(quán)衡考慮，確定了功放晶體管的最優(yōu)偏置狀態(tài)。通過對漏極偏流的控制，使其隨溫度和時間的變化而保持一個恒定的值，就可以極大地改善功放的總體性能，同時還可以確保功放工作在調(diào)整的輸出功率范圍之內(nèi)。

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　　圖1 簡化的控制系統(tǒng)

　　一種較佳的方法是動態(tài)控制功放的柵極電壓，其原理是，使用數(shù)字控制算法測量漏極電流，通過ADC將該漏極電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，并且使用一個高分辨率DAC或一個較低分辨率的數(shù)字電位計設定所需的偏置。通過這個用戶可調(diào)的控制系統(tǒng)可以使功放維持在所需的偏置狀態(tài)，以實現(xiàn)最優(yōu)的性能，而無論電壓、溫度和其他環(huán)境參數(shù)如何變化。

　　這種控制方法中的一個關(guān)鍵因素是，使用一個高端檢測電阻和AD8211電流檢測放大器，準確地測量經(jīng)由高壓電源線提供給LDMOS晶體管的電流。AD8211的共模輸入范圍高達+65 V，并且提供20 V/V的固定增益。通過外部的傳感電阻對滿量程電流讀數(shù)進行設定。電流檢測放大器的輸出電壓可以通過多路復用器提供給ADC，以產(chǎn)生用于監(jiān)測和控制的數(shù)字量。這里必須注意，電流傳感器的輸出電壓需盡量接近ADC的滿量程輸入范圍。

　　LDMOS晶體管的源漏電流IDS是柵源電壓Vgs的函數(shù)，包含與溫度相關(guān)的兩項，即有效電子遷移率μ和閾值電壓Vth

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　　閾值電壓Vth和有效電子遷移率μ隨溫度的上升而降低。因此，溫度的變化會引起輸出功率的變化。使用一個或幾個ADT75 12-bit溫度傳感器來測量環(huán)境溫度和功放芯片溫度，可以對電路板上的溫度變化進行監(jiān)測。ADT75是一個完整的溫度監(jiān)測系統(tǒng)，采用8引腳MSOP封裝，在0°C～70°C的溫度范圍內(nèi)具有±1°C的精度。

　　將溫度傳感器的輸出電壓、漏極電流以及其他數(shù)據(jù)通過多路復用器輸入ADC，可以將溫度測量結(jié)果轉(zhuǎn)換為用于監(jiān)測的數(shù)字量。根據(jù)系統(tǒng)配置，可能有必要在電路板上使用好幾個溫度傳感器。例如，如果使用了多個功放，或者在前端需要若干個預驅(qū)動，那么，對于每個放大器使用一個溫度傳感器就可以對系統(tǒng)提供更好的控制能力。

　　使用控制邏輯電路或者微控制器，可以對電流傳感器和溫度傳感器的數(shù)字量進行連續(xù)的監(jiān)測。在監(jiān)測傳感器的讀數(shù)和處理數(shù)字輸出的同時，利用數(shù)字電位計或DAC對功放柵極電壓進行動態(tài)控制，可以維持一個最佳的偏置狀態(tài)。對于柵極電壓所需的控制量將決定DAC的分辨率。電訊公司通常在基站設計中使用多個功放，如圖2所示，這樣可以在針對每個RF載波設備選擇功放時，提供更多的靈活性，并且每個功放可以針對一個具體的調(diào)制方案而優(yōu)化。

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　　圖2 典型的高功率放大器信號鏈

　　為了對功放的柵極電壓實現(xiàn)精確控制，ADI公司的12 bit DAC AD5622、AD5627和AD5625分別能夠提供的單路、兩路和四路輸出。這些器件的內(nèi)部緩沖器具有極好的源電流和灌電流的能力，在大多數(shù)應用中可以不必使用外部緩沖器。

　　在精度不是最主要的考慮因素且8-bit的分辨率可被接受的應用中，數(shù)字電位計是一種性價比更高的選擇。這些數(shù)字調(diào)節(jié)可變電阻執(zhí)行的電子調(diào)節(jié)功能與機械式電位計或可變電阻相同，而且具有更高的分辨率、固態(tài)技術(shù)的可靠性以及卓越的溫度性能。非易失性和一次可編程(OTP)的數(shù)字電位計在時分雙工(TDD)RF應用中是理想的選擇;在TDD接收期間，功放關(guān)閉，在發(fā)送期間，功放通過固定柵壓導通。這種預編程的啟動電壓降低了開啟延遲，并且改善了開啟功放晶體管時進入發(fā)射狀態(tài)的效率。