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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)

SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)

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AC24V電源系統(tǒng)浪涌電壓防護(hù)電路

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2020-11-25 14:58:48

【轉(zhuǎn)】繼電器應(yīng)用之浪涌抑制功能

,就會(huì)受到來(lái)自?xún)?nèi)部和外部的浪涌電壓電流。繼電器浪涌抑制功能只是在抑制自身產(chǎn)生的浪涌,以消除對(duì)外部電路的影響。來(lái)自于外部的浪涌我們不得而知,這是工程師在設(shè)計(jì)整個(gè)電路時(shí)考慮的事情。外部浪涌對(duì)繼電器的殺傷力也
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設(shè)計(jì)者所希望的?! o(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊  有人提出一種無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖7(a)所示,其上電電流波形如圖7(b)所示,其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會(huì)由于兩
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如何使用MosFET開(kāi)啟特性來(lái)抑制浪涌電流?

是否有白皮書(shū)明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開(kāi)啟特性來(lái)抑制浪涌電流? 設(shè)計(jì)類(lèi)似于 TLE9853 評(píng)估,H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通過(guò)模擬感性負(fù)載,我們 CAN 控制電流
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如何使用熱敏電阻抑制浪涌電流電路分析

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干貨分享!六種抑制開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)浪涌電流的方法

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應(yīng)用全SiC模塊應(yīng)用要點(diǎn):專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果

部分及其評(píng)估而進(jìn)行調(diào)整,是以非常高的速度進(jìn)行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計(jì)的初步評(píng)估階段,使用評(píng)估等工具可使開(kāi)發(fā)工作順利進(jìn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊,可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面,Eon增加,Eoff減少。按總損耗(Eon + Eoff)來(lái)比較,當(dāng)前損耗減少。
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替代LTC4364具理想二管的浪涌抑制控制器

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氣體放電管在浪涌抑制電路的應(yīng)用

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2019-07-22 12:17:19

測(cè)量SiC MOSFET柵-電壓時(shí)的注意事項(xiàng)

紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極之間的電壓時(shí)需要注意事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解,其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般
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2021-06-12 17:12:003577

柵極電壓產(chǎn)生的浪涌嗎?

忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-電壓,當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí),可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌,需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中,我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954

布局浪涌抑制電路板注意事項(xiàng)

本文將介紹實(shí)際制作這種浪涌抑制電路時(shí)電路板布局方面的注意事項(xiàng)。
2022-03-29 17:42:544786

測(cè)量柵極之間電壓時(shí)需要注意事項(xiàng)

SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性,但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289

測(cè)量SiC MOSFET柵-電壓時(shí)的注意事項(xiàng)

在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極之間的電壓時(shí)需要注意事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967

ULLGA 封裝的電路板安裝注意事項(xiàng)

ULLGA 封裝的電路板安裝注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:42:010

SiC MOSFET柵極-電壓浪涌抑制方法-什么是柵極-電壓產(chǎn)生的浪涌?

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
2023-02-08 13:43:24927

SiC MOSFET柵極-電壓浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始,將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757

SiC MOSFET柵極-電壓浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過(guò)采取措施防止柵極電壓的正電壓浪涌,來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案,可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:151943

SiC MOSFET柵極-電壓浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET柵極電壓的負(fù)電壓浪涌,來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830

BPSS藍(lán)寶寶浪涌抑制器詳解

藍(lán)寶寶浪涌抑制器,英文簡(jiǎn)稱(chēng)BPSS,亦稱(chēng)為藍(lán)寶寶TVS瞬態(tài)抑制管,快速的響應(yīng)時(shí)間、超強(qiáng)的浪涌吸收能力和抑制電壓 能力,一般并接在電路中,解決浪涌問(wèn)題的同時(shí),對(duì)靜電又起到了超強(qiáng)的保護(hù)作用??蓜e
2023-02-16 15:02:250

提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)-實(shí)裝PCB布局相關(guān)的注意事項(xiàng)

本文將介紹本設(shè)計(jì)中的安裝電路板(PCB)版圖與元器件布局相關(guān)的注意事項(xiàng)。實(shí)裝PCB布局相關(guān)的注意事項(xiàng):下面以下圖中的電路圖(低邊型)為例,匯總了PCB布局相關(guān)的注意事項(xiàng)。
2023-02-17 09:25:101916

什么是柵極電壓產(chǎn)生的浪涌

忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-電壓,當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí),可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌,需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中,我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615

探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(II),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的正浪涌,正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的,采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法(參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路)。
2023-02-28 11:40:19566

探討負(fù)電壓浪涌的對(duì)策及其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極電壓的行為,該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件(IV),即HS(非開(kāi)關(guān)側(cè))的VGS的負(fù)浪涌,采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD(肖特基勢(shì)壘二管)D3是很有效的方法(參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路)。
2023-02-28 11:41:231353

電路板焊接需要重點(diǎn)關(guān)注的注意事項(xiàng)

在進(jìn)行電路板焊接工作時(shí),我們需要嚴(yán)格管控焊接的全流程,以確保產(chǎn)品的焊接質(zhì)量。以下為電路板焊接需要重點(diǎn)關(guān)注的注意事項(xiàng)。
2023-03-06 14:56:326631

浪涌電壓保護(hù)注意事項(xiàng)

不受管理的浪涌電壓可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)中斷或損壞,甚至對(duì)用戶(hù)和操作員造成危險(xiǎn)。浪涌保護(hù)裝置 (SPD),也稱(chēng)為瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS),通常用于通過(guò)限制或阻斷能量來(lái)防止電壓浪涌和尖峰。SPD 可以在配電網(wǎng)絡(luò)、建筑物布線和電子系統(tǒng)中找到。IEC 61000-4-5 定義了電氣和電子設(shè)備的浪涌電壓要求。
2023-03-31 09:38:032852

測(cè)量SiC MOSFET柵-電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極之間的電壓時(shí)需要注意事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解,其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833

PCBA加工電路板返修注意事項(xiàng)

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCBA電路板返修需要注意什么?PCBA加工電路板返修注意事項(xiàng)。PCBA加工有時(shí)會(huì)有需要返修的電路板,電路板返修是PCBA加工的一項(xiàng)重要制程,返修保障著產(chǎn)品的質(zhì)量
2023-04-06 09:42:162297

R課堂 | SiC MOSFET柵極電壓浪涌抑制方法-總結(jié)

布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET柵極信號(hào),由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián),因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵-電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌抑制方法除了增加抑制電路外,電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況,參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133

測(cè)量SiC MOSFET柵-電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極之間的電壓時(shí)需要注意事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解,其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571

浪涌抑制器的原理、應(yīng)用及維護(hù)

浪涌抑制器(Surge Protector)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓浪涌、電流過(guò)載和過(guò)電壓等電力問(wèn)題的電氣設(shè)備。它的功能是在電路中限制電壓或電流的突然變化,以保護(hù)電子設(shè)備不受損壞。TPS2042BDR浪涌抑制器通常用于電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、家庭電器等電子設(shè)備中。
2023-06-08 18:05:508691

TVS管和被保護(hù)電路使用選型、注意事項(xiàng)

近年來(lái), 隨著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展,無(wú)線通訊設(shè)備的集成化越來(lái)越高,TVS瞬變電壓抑制管的保護(hù)電路作用越來(lái)越重要。TVS(瞬變電壓抑制管)的參考選型、TVS管和被保護(hù)電路使用方法注意事項(xiàng)方面需要如何選擇呢?
2021-10-08 11:12:162441

R課堂 | 漏之間產(chǎn)生的浪涌

緩沖電路來(lái)降低線路電感,這是非常重要的。 首先,為您介紹 SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換電路中,發(fā)生在漏之間的浪涌。 ·? 漏之間產(chǎn)生的浪涌 ·?緩沖電路的種類(lèi)和選擇 ·?C緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?RC緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
2023-06-21 08:35:021467

如何消除或抑制浪涌電流

電流,以保護(hù)電路不被破壞。 浪涌電流的概念 要了解浪涌電流的消除和抑制方法,首先需要了解浪涌電流的原理。浪涌電流是指電路中的瞬態(tài)電流或瞬變電流,往往產(chǎn)生于電路中斷或開(kāi)關(guān)的切換過(guò)程中。例如,在變壓器的一次側(cè)斷開(kāi)電
2023-09-02 10:20:593581

抑制浪涌電流的措施有哪些?

抑制浪涌電流的措施有哪些? 在電路工程中,由于電流的急劇變化,會(huì)引起一個(gè)短時(shí)間內(nèi)電壓突然增加的現(xiàn)象,這就是浪涌電流。這種電流會(huì)對(duì)電路設(shè)備和設(shè)施產(chǎn)生損害,因此需要采取措施來(lái)抑制浪涌電流。接下來(lái),我們將
2023-09-04 17:39:406529

抑制浪涌電流是什么意思?

抑制浪涌電流是什么意思? 抑制浪涌電流是指在電路中采取一定的電路設(shè)計(jì)或安裝相應(yīng)的保護(hù)電路來(lái)防止電路中突然出現(xiàn)的浪涌電流損壞電器設(shè)備或電子元器件的現(xiàn)象。 浪涌電流是一種異常的電流,出現(xiàn)在電路中,其幅度
2023-09-04 17:39:421492

如何消除或抑制浪涌電流?抑制浪涌電流的方法有哪些?

如何消除或抑制浪涌電流?抑制浪涌電流的方法有哪些? 浪涌電流是指電流在電路中突然變化,導(dǎo)致電壓急劇變化。這種電流會(huì)破壞電子設(shè)備并對(duì)設(shè)備產(chǎn)生不可逆的影響。因此,消除浪涌電流和抑制浪涌電流的方法是非
2023-09-04 17:48:1112910

MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?

是兩個(gè)重要的參數(shù),它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先,我們來(lái)討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中,柵極電路電壓控制著和漏之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路電壓為零時(shí),MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),即沒(méi)有電流通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極電路電壓為正時(shí),會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:123845

設(shè)計(jì)高速電路板注意事項(xiàng).zip

設(shè)計(jì)高速電路板注意事項(xiàng)
2022-12-30 09:22:064

設(shè)計(jì)高速電路板注意事項(xiàng).zip

設(shè)計(jì)高速電路板注意事項(xiàng)
2023-03-01 15:37:565

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極電壓的動(dòng)作

SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189

瞬態(tài)抑制管(TVS)的注意事項(xiàng)布局布線?

瞬態(tài)抑制管(TVS)的注意事項(xiàng)布局布線?|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-01-03 10:34:362253

浪涌電流與沖擊電流區(qū)別 抑制浪涌電流的措施有哪些

浪涌電流與沖擊電流區(qū)別 抑制浪涌電流的措施有哪些? 浪涌電流與沖擊電流是兩種不同類(lèi)型的電流,它們?cè)陔姎庠O(shè)備和電路中都可能出現(xiàn)。在本文中,我將詳細(xì)介紹浪涌電流和沖擊電流的區(qū)別,并提供一些浪涌電流抑制
2024-01-03 11:00:472850

浪涌電流是什么意思?如何抑制浪涌電流?4種浪涌電流抑制電路

今天給大家分享的是: 如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中浪涌電壓? 一、什么是浪涌電流? 浪涌電流 是 電路打開(kāi)吸收的最大電流,出現(xiàn)在輸入波形的幾個(gè)周期內(nèi)。 浪涌電流的值遠(yuǎn)高于電路的穩(wěn)態(tài)電流,高電流可能會(huì)損壞設(shè)備
2024-01-09 08:36:0612206

浪涌抑制器的應(yīng)用及注意事項(xiàng)?

浪涌抑制器的應(yīng)用及注意事項(xiàng)?|深圳比創(chuàng)達(dá)電子
2024-01-19 09:55:411514

如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓?

如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓? 電源轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見(jiàn)的組件,其主要功能是將電源輸入轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓和電流。然而,在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中,常常會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓,這可能對(duì)電子設(shè)備及其周?chē)?b class="flag-6" style="color: red">電路產(chǎn)生
2024-02-04 09:17:002052

浪涌抑制器怎么判斷好壞 浪涌抑制器和浪涌保護(hù)器的區(qū)別

浪涌抑制器(MOV)在受到足夠的電壓沖擊并發(fā)生故障時(shí),通常會(huì)變成黑色或棕色。此外,有些浪涌抑制器在損壞時(shí)可能會(huì)變成綠色。
2024-02-18 11:21:294399

如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制

的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行,而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的MOSFET 散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流。 可靠的工業(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路,以防止電源線路出現(xiàn)過(guò)壓,從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過(guò)壓現(xiàn)象可能在電源線路
2024-12-22 14:42:00927

SMDJ20A單向TVS瞬態(tài)抑制管:3000W峰值脈沖功率,20V電壓高效抑制瞬態(tài)浪涌

SMDJ20A單向TVS瞬態(tài)抑制管:3000W峰值脈沖功率,20V電壓高效抑制瞬態(tài)浪涌
2025-09-04 11:49:49592

SMDJ30CA雙向 TVS瞬態(tài)抑制管:30V雙向電壓000W 浪涌中壓電路防護(hù)核心

SMDJ30CA雙向 TVS瞬態(tài)抑制管:30V雙向電壓000W 浪涌中壓電路防護(hù)核心
2025-11-20 16:42:401146

SMBJ440A單向 TVS瞬態(tài)抑制管:440V電壓 600W浪涌高壓電路防護(hù)核心

SMBJ440A單向 TVS瞬態(tài)抑制管:440V電壓 600W浪涌高壓電路防護(hù)核心
2025-11-20 16:52:051219

SMDJ36CA雙向TVS瞬態(tài)抑制管特:36V電壓3000W浪涌中壓電路雙防核心

SMDJ36CA雙向TVS瞬態(tài)抑制管特:36V電壓3000W浪涌中壓電路雙防核心
2025-11-22 16:20:071249

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