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模擬電路中常用的器件其實不多，MOSFET、電阻、電容、電感、、BJT、diode。
現(xiàn)在分別說一說，這些器件在模擬電路中都需要了解哪些性能參數(shù)，仿真都需要著重仿啥。
我入職公司之前，老大讓一個老員工做過UMC和TSMC的器件性能對比，這樣對比，可以對工藝的選擇做一個初步的判斷。
MOSFET
MOS管是模擬IC中用的最多的device，它是一種有源器件。MOSFET主要有NMOS和PMOS，分為增強型和耗盡型，我們用的最多的是增強型MOSFET，但是同一種工藝，增強型和耗盡型管子可以同時存在。比如我現(xiàn)在用的SMIC40nm工藝，NMOS中，普通管子是增強型，閾值電壓是正數(shù)，native管子就是耗盡型，即閾值電壓是負(fù)數(shù)。
對于某種工藝，MOSFET有很多種分類。
按照閾值電壓大小，可分為LVT（Low Vth）、HVT（High Vth）、ELVT（Extreme Low）、ULVT（Ultra Low）、SVT（Standard Vth）等等等等。
按照電壓域，可分為低壓MOS和高壓MOS。一般低壓MOS都是薄柵，高壓管子都是厚柵，柵越厚越耐壓。一般，低壓管子用作core device ，高壓管子用作IO device。
之前用TSMC的工藝，還有個低噪聲MOSFET。不同的工藝，MOSFET細(xì)分的種類也不一樣。這些具體的要去看model文件的介紹了。
MOSFET需要了解和仿真哪些參數(shù)性能？
（1）閾值電壓Vth
一般spice model文件上給出的Vth是有條件限制的，不是說隨便的W和L都是相同的Vth，因為MOS的Vth本身也是W和L以及溫度等的函數(shù)。
（2）噪聲noise
MOS的閃爍噪聲和熱噪聲也是很重要的參數(shù)。仿真對比不同MOS在相同尺寸和相同偏置下的噪聲大小，對低噪聲設(shè)計是很有必要的。
（3）本證增益gmro
MOS的gmro的仿真也很重要。在運算放大器的設(shè)計中，我們本著面積小、低功耗、低噪聲等，盡量做到較高的增益。這時候，如果一種MOS的本征增益很大，那這種MOS是首選，當(dāng)然還有根據(jù)放大器其他的性能要求，去做一個trade off。
（4）截止頻率ft
截止頻率定義為電流增益為1的時候的頻率，ft是MOSFET在高頻設(shè)計中是必須仿真的參數(shù)，截止頻率和MOS的溝長L成反比，L越小的MOSFET，截止頻率越高，MOS的截止頻率可到幾個G。
（5）泄漏電流（leakage）
在低功耗設(shè)計中，仿真MOS的leakage current是必須的。隨著工藝的先進(jìn)，MOSFET的泄漏電流占比越來越大，在低功耗幾百甚至幾十nA的電流中，leakage電流不可忽略。而且leakage在數(shù)字邏輯電路中也很重要，數(shù)字邏輯電路一般都有很多門電路，比如某一工藝庫中的D觸發(fā)器的leakage為10nA，那么100個D觸發(fā)器的leakage就達(dá)到了1uA，這在低功耗設(shè)計中是完全接受不了的。
MOS還有很多其他參數(shù)，根據(jù)電路需求去仿真。比如在對mismatch要求較高的電路中，用蒙卡去仿真Vth的失配是有必要的。
電阻
電阻的分類一般有四大類，poly電阻、擴散電阻、金屬電阻、阱電阻。
poly電阻又分為 silicide poly和 non silicide poly。non silicide poly電阻要比silicide poly方塊電阻大。比如non silicide P+ poly電阻（rpposab），SMIC180nm工藝典型方塊電阻316Ω/方塊，SMIC40nm工藝典型方塊電阻624Ω/方塊。帶有金屬硅化物silicide P+ poly電阻（rppo），SMIC180nm工藝典型方塊電阻7Ω/方塊。
rpposab電阻使用的最廣泛，放塊電阻較大且溫度系數(shù)很低。
要仿真的參數(shù)：
（1）方塊電阻
方塊電阻是resistance最重要的參數(shù)，知道每種電阻方塊電阻大小，才知道用哪種電阻去設(shè)計電路是合理的，這樣才能節(jié)省面積。
（2）溫度系數(shù)
電阻的溫度系數(shù)可以通過model文件去查，但是實際仿真溫度系數(shù)是更保險的。在帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計中，電阻的溫度系數(shù)是很重要的參數(shù)，是用負(fù)溫度系數(shù)還是正溫度系數(shù)，需要根據(jù)電路實際去選擇。
（3）sigma
電阻的變化率也很重要，對應(yīng)于特定尺寸的電阻，它最大值是多少，最小值是多少，變化的delta是多大，一個sigma是多大，這些需要用蒙卡去仿真。電阻的變化率相對電容還是比較大的，在PVT影響下能達(dá)到20%很常見。
（4）layout
電阻的版圖，在mismatch要求高的電路中，電阻的版圖一般畫成蛇形交叉的，這樣匹配更好。
電容
電容包括MOS電容、MOM電容、MIM電容、PIP電容。
PIP電容是poly-poly電容，因為需要兩層poly，因此普通工藝沒有這個電容，應(yīng)用不廣泛。
MOS電容是用MOSFET做電容，可做較大容值電容，但是精確度不高。線性度差，一般需要接電源或者地線，一般用作RC濾波和去耦合電容。
MOM（metal-oxide-metal）電容和MIM（metal-insulator-metal）電容用的最多，MOM電容能夠做到很小的容值。這兩個電容上下極板都是金屬，線性度高，一般做彌勒電容補償、電容陣列。
1）單位面積電容
仿真電容的單位面積電容對于電路設(shè)計尤為必要。我們需要知道不同的電容，單位面積大還是小，這樣才有利于評估多大的電容用哪種電容做合適，不然盲目下手，很可能不是最優(yōu)解。
（2）溫度系數(shù)
電容溫度系數(shù)我本人仿真的不是很多，因為電容溫度系數(shù)遠(yuǎn)沒有電阻的大。
（3）sigma
電容的失配需要用蒙卡去仿真，在電容陣列這種對匹配要求高的電路中，電容的sigma不能太大。
電感
電感一般用在和射頻關(guān)系較大的電路中，電感在模擬版圖中的面積占比是很大的，一個芯片的版圖中，如果有電感，幾乎是顯而易見的，占很大面積，且形狀特殊，大多都是螺旋狀。
我本人從沒用過電感器件呢。
BJT
三極管在CMOS設(shè)計中用的不多，但是也會涉及，比如基準(zhǔn)源電路。三極管不會大規(guī)模用在core電路中，因為MOS的性能很多是優(yōu)于BJT的，MOS更易于集成。CMOS中的BJT也是寄生BJT，不是真正意義上的BJT器件。
關(guān)于CMOS中BJT詳細(xì)介紹參考我之前的文章：
https://zhuanlan.zhihu.com/p/571912110
工商網(wǎng)監(jiān)
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