數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量晶體管直流放大倍數(shù)時(shí)，不用接表，轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)量選擇開(kāi)關(guān)值“hFE”檔位，將被測(cè)晶體管插入晶體管插孔，LCD顯示屏可顯示出被測(cè)晶體管的直流放大倍數(shù)。
2022-12-26 09:42:49
2254 描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達(dá)到安培單位，通常如果沒(méi)有晶體管這個(gè)電路只能達(dá)到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
?！ ?050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培，最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏。 基本晶體管
2023-02-16 18:22:30
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大器設(shè)計(jì)掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法、放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響及放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。[重點(diǎn)與難點(diǎn)]重點(diǎn)：阻容耦合共射極放大器的靜態(tài)工作的設(shè)置
2009-03-20 10:02:58
晶體管放大電路有3種基本連接方式：共發(fā)射極接法、共基極接法和共集電極接法，如下圖所示。一般作電壓放大時(shí)，常采用共發(fā)射極電路。（1） 在共發(fā)射極電路中，發(fā)射極為輸入，輸出回路交流公共端。（2） 在
2017-03-30 09:56:34
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管低頻放大器晶體管低頻放大器主要是用來(lái)放大低頻小信號(hào)電壓的放大器，頻率從幾十赫到一百千赫左右一、晶體管的偏置電路為了使放大器獲得線性的放大作用，晶體管不僅須有一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，而且必須使
2021-06-02 06:14:09
晶體管低頻電壓放大電路:實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.加深理解放大電路的工作原理； 2.掌握放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)整和測(cè)量方法； 3.學(xué)會(huì)測(cè)量電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及頻率特性。 實(shí)驗(yàn)原理&
2009-09-08 08:54:00
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
電路為電流放大倍數(shù)hFE=200的晶體管開(kāi)關(guān)電路，試計(jì)算當(dāng)5V的電壓連接著100Ω的電阻加載到集電極（晶體管處于飽和狀態(tài)）時(shí)的基極電流IB。這里，基極電流的富裕度為5倍。答案在原文章中。
2017-03-28 15:54:24
器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
晶體管式電流傳感器內(nèi)部設(shè)有檢測(cè)電流用電阻。使負(fù)荷電流通過(guò)該電阻，并利用運(yùn)算放大器（OP比較電路）將其電壓降值與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，當(dāng)電流檢測(cè)電阻上的電壓降低于基準(zhǔn)電壓時(shí)，比較器的輸出電流點(diǎn)亮報(bào)警
2018-10-31 17:13:28
別與三個(gè)插孔相接），萬(wàn)用表即會(huì)指示出該管的放大倍數(shù)。若萬(wàn)用表無(wú)hFE檔，則也可使用萬(wàn)用表的R×1k檔來(lái)估測(cè)晶體管放大能力。測(cè)量PNP管時(shí)，應(yīng)將萬(wàn)用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E，紅表筆接晶體管的集電極C
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管應(yīng)用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基極偏置電壓 2．1．3 基極-發(fā)射極間電壓為0．6V 2．1．4 兩種類型的晶體管 [hide]晶體管電路設(shè)計(jì).pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下，晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。 晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
，由于得不到電流放大所以不被采用。1.4.3 三種接法的比較利用晶體管的三種接法可以組成三種基本的放大電路。它們的主要特點(diǎn)及應(yīng)用大致歸納如下：1. 共射電路具有較大的電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)，同時(shí)
2019-03-07 06:30:00
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對(duì)交流（變化）信號(hào)的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。 先來(lái)看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
晶體管開(kāi)關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開(kāi)關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號(hào)的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級(jí)視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級(jí)視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
）。對(duì)這兩個(gè)PN結(jié)所施加不同的電位，就會(huì)使晶體管工作于不同的狀態(tài)：兩個(gè)PN結(jié)都反偏——晶體管截止；兩個(gè)PN結(jié)都導(dǎo)通——晶體管飽和：一個(gè)PN結(jié)正偏，一個(gè)PN結(jié)反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發(fā)射結(jié)反
2012-02-13 01:14:04
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)摻雜濃度，并且基區(qū)很薄，集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會(huì)發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請(qǐng)注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒(méi)有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報(bào)價(jià)AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
差分放大器具有什么性能？CMOS差動(dòng)放大器晶體管不匹配的原因？差分放大器中的不匹配效應(yīng)應(yīng)該怎么消除？
2021-04-12 06:46:18
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
的比例關(guān)系。2）偏置電路 當(dāng)晶體管用于實(shí)際的放大電路時(shí)，還需要添加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先，由于晶體管的BE結(jié)（相當(dāng)于二極管）的非線性，輸入電壓達(dá)到一定水平后必須產(chǎn)生基極電流（對(duì)于硅管，通常
2023-02-08 15:19:23
時(shí)，集電極電流不再上升。此時(shí)，晶體管失去了電流放大效應(yīng)，集電極和發(fā)射極之間的電壓非常小。集電極和發(fā)射極等效于開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶體管處于飽和狀態(tài)。PNP晶體管的工作原理與NPN晶體管相同，只是偏置
2023-02-15 18:13:01
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開(kāi)。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
主要參數(shù) 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來(lái)表示晶體管放大能力?！ 『纳⒐β室卜Q集電極
2010-08-13 11:35:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。 點(diǎn)擊鏈接進(jìn)入舊版 ：晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2020-08-19 18:24:17
管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
`這是一本在市面上買(mǎi)不到的絕版書(shū)籍，《OP放大器與晶體管的放大電路設(shè)計(jì)》以迄今罕加相熟的市面銷(xiāo)售運(yùn)算放大器IC的內(nèi)部電路作為論述的焦點(diǎn)，針對(duì)如何增大放大倍速，如何實(shí)現(xiàn)高精度，怎樣致力于實(shí)現(xiàn)低噪聲
2016-08-19 14:28:29
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開(kāi)關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之- -，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不-樣，普通三極管是電流控制器件，二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
。
· 這些晶體管用于不同的電路中以減少負(fù)載效應(yīng)。
· 它們用于多種電路，如相移振蕩器、電壓表和緩沖放大器。
場(chǎng)效應(yīng)管端子
FET 具有源極、柵極和漏極三個(gè)端子，這與 BJT 的端子不同。在 FET 中，源極端
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
GaAs-GaAlAs，放大倍數(shù)可以大于1000，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)于納秒，常用作光電探測(cè)器和光放大。場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管（FET）響應(yīng)迅速（約50皮秒），但缺點(diǎn)是光敏面積和增益小，常用作超高速光電探測(cè)器。還有許多其他平面
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結(jié)型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項(xiàng)。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開(kāi)關(guān)。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
。我更喜歡共發(fā)射極方法，因?yàn)槲矣X(jué)得它更直觀，但如果你想避免倒置，也就是說(shuō)，如果你想要更高的照度產(chǎn)生更高的輸出電壓，你可能會(huì)喜歡共收集放大器。您可以使用共集電極或共發(fā)射極放大器配置，將光電晶體管變成照度
2022-04-21 18:05:28
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途，以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?！ ∈裁词泅捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管？ 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區(qū)（SOA）來(lái)決定的？影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎？
2021-04-14 06:38:16
輸入一起用來(lái)測(cè)量集電極電流。圖2.NMOS零增益放大器面包板電路程序步驟零增益放大器可用于創(chuàng)建穩(wěn)定的電流源?，F(xiàn)在，當(dāng)W1所表示的輸入電源電壓變化時(shí)，晶體管Q1的集電極所看到的電壓更為穩(wěn)定，因此可以將其
2021-11-01 09:53:18
的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開(kāi)關(guān)電路、模擬開(kāi)關(guān)電路、開(kāi)關(guān)電源、振蕩電路等。上冊(cè)則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路
2017-06-22 18:05:03
倍數(shù)時(shí)他說(shuō)道輸入信號(hào)全加在RS上，我想問(wèn)的是為什么輸入信號(hào)不是加在R3和RS的并聯(lián)上？晶體管開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)關(guān)于使用PNP發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)里面，為什么輸入電壓比VI+VCC低0.6V以上
2016-04-27 22:50:34
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
單電源運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)考慮因素有哪些？低壓放大器與傳統(tǒng)高壓產(chǎn)品有什么不同？
2021-04-14 06:16:14
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。場(chǎng)效應(yīng)晶體管特點(diǎn)（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS來(lái)控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小
2019-05-08 09:26:37
、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，要求兩管的各項(xiàng)參數(shù)要一致（配對(duì)），要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
晶體管等多種類型。三、晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。（一）電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來(lái)表示晶體管放大能力
2012-07-11 11:36:52
，這反過(guò)來(lái)又使耗盡層盡可能小，從而通過(guò)我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個(gè)正的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵(lì)電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
package.BCY89 Matched 雙 NPN 晶體管 in a TO-71- SOT31 metal package.MPSL01 NPN-高電壓、放大MPSL51 PNPMPSA06 NPN-高電壓
2021-05-25 06:28:22
D類放大器相比傳統(tǒng)AB類放大器而言有哪些優(yōu)勢(shì)？影響D類放大器應(yīng)用的因素有哪些？D類放大器有哪些主要應(yīng)用實(shí)例？
2021-04-20 06:10:23
直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
使用兩個(gè)電阻作為電源兩端的分壓器網(wǎng)絡(luò)，它們的中心點(diǎn)向晶體管提供所需的基極偏置電壓。分壓器偏置通常用于雙極晶體管放大器電路的設(shè)計(jì)中。這種將晶體管偏置的方法通過(guò)將基極偏置保持在恒定的穩(wěn)定電壓電平，從而最大程度
2020-11-02 09:25:24
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
如何用晶體管搭建一個(gè)放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
件，二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。一、晶體三極管：用于電壓放大或者電路放大的控制器件?？梢园鸦鶚O和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流
2019-03-27 11:36:30
將會(huì)導(dǎo)致高頻振蕩電壓。如果這些無(wú)法解決這些問(wèn)題，將可能導(dǎo)致晶體管損壞?！ ”M管傳統(tǒng)硅晶體管的并聯(lián)配置技術(shù)已經(jīng)十分成熟，但對(duì)于GaN器件并聯(lián)技術(shù)研究還鮮有涉及?？紤]到GaN器件驅(qū)動(dòng)的特殊性以及其高速開(kāi)關(guān)
2021-01-19 16:48:15
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天，貝爾實(shí)驗(yàn)室中，布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
“ OFF”，從而允許它用于各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它也可以驅(qū)動(dòng)在其線性有源區(qū)用于功率放大器。由于其較低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗，以及在高頻段切換高電壓而不損壞的能力，使得絕緣柵雙極性晶體管成為驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載的理想選擇，如
2022-04-29 10:55:25
頻率特性變化的密勒效應(yīng)，再比如基于晶體管的負(fù)反饋、差分放大電路的設(shè)計(jì)。這些內(nèi)容如果認(rèn)真的去看《晶體管電路設(shè)計(jì)》，同時(shí)結(jié)合李老師的電路板進(jìn)行實(shí)際的電路搭建和測(cè)試分析，相信每一個(gè)位用心的同學(xué)都會(huì)有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
放大器放大倍數(shù)的影響因素有哪些？ 放大器放大倍數(shù)是指輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的比例關(guān)系。影響放大倍數(shù)的因素有很多，主要包括以下幾個(gè)方面： 1. 放大器的電路結(jié)構(gòu)：不同的電路結(jié)構(gòu)具有不同的放大倍數(shù)特性。常見(jiàn)
2024-02-05 15:23:13452
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