伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個引腳，因此需用通過兩個伏安特性來展示晶體管的特征，這兩個伏安特性分別為輸入伏安特性和輸出伏安特性。
2023-02-20 15:04:42
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我們知道晶體管種類雖然很多，但是基本上分為PNP型和NPN型兩大類。介紹，這兩類晶體管各電極電流方向不同，其電路符號也是不同的。晶體管電路符號中發(fā)射極箭頭的方向表示晶體管各電極電流流動的方向，利用這一點可以方便分析電路中各電極電流流動方向。
2023-07-06 11:22:477116 
題庫來源：特種作業(yè)?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等?！ “捶庋b結構分類 晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀
2010-08-12 13:59:33
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號幅頻特性不擴展的理由擴展共射級放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點陣液晶屏，顯示內容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
或使其特性變壞。(5) 集電極--發(fā)射極反向電流ICEOICEO是指晶體管基極開路時，集電極、發(fā)射極間的反向電流，也稱穿透電流。ICEO越小越好，現在應用較多的硅晶體管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表性的特性進行的，因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅動電路、高壓開關電路及行推動等電路。常用的國產高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點。【功率元器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導通電阻相當）和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y構與特點
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS晶體管等效電路的電學特性的的PSPICE仿真該如何去做？、有啥思路？[em:9:]
2014-05-07 20:32:28
表親非常相似的特性，不同之處在于，對于第一個教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對于
2023-02-03 09:44:48
用multisim仿真高頻振蕩器，晶體管集電極輸出為12v,哪位高手幫我看看
2019-01-14 22:50:32
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
功率晶體管?！?工作頻率按工作頻率，晶體管可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管。》 包裝結構根據封裝結構，晶體管可分為金屬封裝晶體管、塑料封裝晶體管、玻璃外殼封裝晶體管、表面封裝晶體管和陶瓷封裝
2023-02-03 09:36:05
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認識到這種設計對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
、功率放大器的設計與制作、拓寬頻率特性等。作者：鈴木雅臣，任職于Accuphase公司，主要從事數字視聽設備設計工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設計入門》、《晶體管電路設計》等。下載鏈接：[hide][/hide]`
2017-06-22 18:05:03
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
二次擊穿現象，安全工作區(qū)域寬等特點，主要分為兩種：結型場效應管（JFET)和絕緣棧型場效應管（MOSFET)。對N溝道結型場效應管2N3370的輸出特性進行分析。對N溝道增強型MOSFET2N7000的輸出特性進行仿真
2012-08-03 21:44:34
工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。（三）按電流容量分類晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。（四）按工作頻率分類晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管
2012-07-11 11:36:52
基于單片機的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
怎樣去設計掃描信號發(fā)生器？掃描信號發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點？
2021-04-15 06:13:59
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進行數據采集？如何用LabVIEW顯示單結晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
變化。因這一變化點在3V以下，故產品為合格。關于數字晶體管的溫度特性根據環(huán)境溫度、VBE、hFE、R1、R2變化。hFE的溫度變化率約為0.5％/oCVBE的溫度系數約為－2mV/oC(-1.8
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業(yè)內隔離式
2023-02-27 09:37:29
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外，還能測試二極管，測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
閾值范圍和晶體管之間RDS（on）差異造成的影響。通過仿真，在SIMetrix中對CoolGaN?晶體管進行建模分析。仿真模型使用0.9V～1.6V閾值電壓和55mΩ～70mΩ的RDS（on）值
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
不導通。當UA＞UG時，P1N1結正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結構開通，A-K間導通并出現負阻現象。其過程及伏安特性與單結晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：單結晶體管的負阻特性出現在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負載線與輸入特性曲線的交點為什么就是Q點？
2019-04-01 06:36:50
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
頻率特性變化的密勒效應，再比如基于晶體管的負反饋、差分放大電路的設計。這些內容如果認真的去看《晶體管電路設計》，同時結合李老師的電路板進行實際的電路搭建和測試分析，相信每一個位用心的同學都會有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
晶體管實驗:實驗一 三極晶體管與場效應晶體管的特性圖示一、實驗目的1.掌握半導體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經商品化的高頻晶體管，大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor，雙極性接點晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:0544 晶體管性能的優(yōu)劣，可以從它的特性曲線或一些參數上加以判別。本次實驗主要介紹采用簡易的儀器設備鑒別晶體管性能的方法，即用萬用表粗測晶體管的性能和用逐點法測繪管子
2009-10-28 10:14:1426 晶體管特性曲線描繪儀
晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原
2008-07-25 13:35:501950 
晶體管高頻放大器的輸入回路
2008-12-15 17:25:59613 
半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數測量一、實驗目的1、了解半導體特性圖示儀的基本原理2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:0915284 
晶體管的高頻小信號等效模型
晶體管的高頻小信號等效電路主要有兩種表示方法： 物理模型等效電路：混合 參數等效電路。
2009-03-12 10:51:094840 
晶體管特性曲線描繪儀電路圖
2009-05-19 14:08:451528 
電力晶體管的基本特性
(1)靜態(tài)特性
共發(fā)射極接法時可分為三個工作區(qū)：
① 截止區(qū)。在截止區(qū)
2009-11-05 12:07:481815 高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么
具有高速電子移動率、低噪音特性、高fr（斷開頻率）等優(yōu)良的特性。以使用化合物半導本
2010-03-01 11:12:074419 超高頻晶體管,超高頻晶體管工作原理
晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示
2010-03-01 11:16:07922 電力晶體管的基本特性和主要參數有哪些?
電力晶體管-基本特性
1)靜態(tài)特性
2010-03-05 13:37:033235 晶體管特性圖示儀,
晶體管特性圖示儀是什么意思
體
管特性圖示儀它是一種能對
晶體管的
特性參數進行測試的儀器?！ ∫话?/div>
2010-03-05 14:29:093767 超高頻晶體管,超高頻晶體管是什么意思
晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極
2010-03-05 16:20:312230 通過圖解分析法和微變等效電路分析法，對晶體管恒流源負載的等效靜態(tài)電阻和動態(tài)電阻進行了詳細分析，闡明了它們在不同工作狀態(tài)下的變化情況，以指導具有晶體管恒流源負載的晶體管工作狀態(tài)的確定.
2011-03-01 15:26:01138 晶體管特性圖示儀原理與使用 晶體管特性圖示儀原理與使用
2016-02-18 14:56:2453 838 93晶體管特性圖示儀校準儀
2017-10-16 10:57:305 晶體管測量儀器是以通用電子測量儀器為技術基礎，以半導體器件為測量對象的電子儀器。用它可以測試晶體三極管（NPN型和PNP型）的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性；測試各種反向飽和電流和擊穿電壓
2017-12-08 08:34:5836217 
本文開始介紹了晶體管的分類與場效應晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測方法。
2018-02-01 09:18:3229435 本文檔的主要內容詳細介紹的是雙極型晶體管和基本放大電路的分析特性參數等資料課件免費下載內容包括了:1.雙極型晶體管2 BJT基本放大電路直流分析方法3 BJT基本放大電路交流分析方法4 三種組態(tài)放大器的中頻特性5單級共發(fā)放大器的頻率特性6 多級放大電路
2018-10-23 17:06:0915 本文檔的主要內容詳細介紹的是晶體管的特性與參數詳細資料說明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數
2019-06-17 08:00:0026 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:258461 
本文為大家介紹Si晶體管（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為Si晶體管，但根據制造工藝和結構，還可分為雙極、MOSFET等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓
2020-07-14 11:38:373105 
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。
2021-03-21 15:43:036509 
這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進行總結分析，講述晶體管頻率特性不擴展的原因!
2023-01-10 14:11:191421 
這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進行總結分析，講述晶體管頻率特性不擴展的原因！
2023-01-30 15:11:491712 高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數，因此廣泛應用于無線電通信、雷達、導航、廣播電視等領域。
2023-02-25 15:05:443765 為什么晶體管有高低頻的特性？? 晶體管是一種半導體器件，起到了控制電流的作用。在電子設備中，晶體管是一種非常重要的元件，廣泛應用于各種電路中。晶體管的特性非常復雜，包括高低頻的特性。 晶體管的高低
2023-09-20 16:43:221779 晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節(jié)計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。
2023-09-27 10:59:4014150 
在本文中，我們將討論CB晶體管的特性曲線，如 CB晶體管的靜態(tài)輸入和靜態(tài)輸出特性曲線（共基）。
2024-05-05 15:47:002559 
在電子工程中，晶體管是一種廣泛應用的半導體器件，它能夠控制電流的流動。在眾多晶體管類型中，達林頓晶體管（Darlington Transistor）以其獨特的工作原理和顯著的特性而備受矚目。本文將深入探討達林頓晶體管的工作原理，以及其主要特性，并給出相應的分析和討論。
2024-05-22 16:49:213733 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優(yōu)選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景，并結合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203067 晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負載的特性表現，這些特性直接關系到晶體管在各種電路中的應用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號、電源電壓、溫度以及晶體管自身的結構參數等。
2024-09-24 17:59:572692 無線電技術是現代通信的基石，它依賴于無線電波的傳輸來實現信息的遠距離傳遞。在這一領域中，高頻晶體管扮演著至關重要的角色。 高頻晶體管的工作原理 高頻晶體管，通常指的是能夠在較高頻率下工作的晶體管，如
2024-12-03 09:44:391417 的 fT 為 7GHz。兩種類型都具有低噪聲特性，是高頻放大器和混頻器應用的理想選擇。兩個陣列都是匹配的高頻晶體管對。這種匹配簡化了 DC 偏置問題，并最大限度地減少了差分放大器配置中的不平衡。它們的高 fT 使 UHF 放大器的設計具有卓越的穩(wěn)定性。
2025-02-25 17:26:35897 
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