場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。

　　場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。

　　在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。

　　它具有以下特性：

　　高輸入電阻：FET的輸入電阻非常高，因此可以在電路中扮演信號源和負載之間的緩沖作用。

　　零偏置電流：FET的門電極與通道之間沒有電流流動，因此其偏置電流為零，從而使得FET在放大小信號方面非常適用。

　　可控性好：FET的導(dǎo)電能力可以通過控制門電極電壓來調(diào)節(jié)。因此，F(xiàn)ET具有較好的可控性，可以在電路中被用作開關(guān)。

　　快速開關(guān)速度：由于FET沒有PN結(jié)，其開關(guān)速度比雙極晶體管快得多。

　　可靠性高：FET的結(jié)構(gòu)簡單，壽命長，可靠性高。

　　需要注意的是，F(xiàn)ET在工作時需要注意防止靜電電荷的積累，以免損壞器件。此外，F(xiàn)ET的輸入電容相對較大，需要注意驅(qū)動電路的匹配和設(shè)計，以確保FET在高頻應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。

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