電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2023年,國產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā),眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品,尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:00
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有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC403 - microBUCK SiC403 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with Programmable LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
效率,并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上,有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年?! 【拖穸兰o(jì)八十年代的IGBT革命一樣,今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅(SiC)再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級測試 求助:需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
通過電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗?! ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進(jìn)行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評估事項(xiàng),在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評估事項(xiàng):柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是:接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35
中國企業(yè)底氣。中國企業(yè)集體在功率器件新賽道SiC產(chǎn)業(yè)鏈上發(fā)力,包括材料、器件、設(shè)備等各環(huán)節(jié),投資相當(dāng)火熱。今年下半年,這些投資陸續(xù)開花結(jié)果,各種好消息接踵而至。 11月24日,由中建二局承建的深圳市
2022-12-27 15:05:47
目前在做幾條生產(chǎn)線,每條線每臺(tái)PLC的IP設(shè)置都是一模一樣的,每條線各有一臺(tái)PC(labview)做監(jiān)控,每臺(tái)PC上就一個(gè)網(wǎng)口,連在每條線的交換機(jī)上,現(xiàn)在想把每條線PC的數(shù)據(jù)串起來,怎么在不增加硬件的情況下弄呢,請教一下各位
2017-09-14 15:32:01
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù):1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
如果從測試的類型上來看,從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)線測試,一個(gè)電控模塊會(huì)包含表征測試、系統(tǒng)驗(yàn)證測試、軟硬件在環(huán)測試、路測和產(chǎn)線下線測試這樣幾個(gè)不同階段。為什么儀表廠商、特別是射頻儀表的廠商會(huì)越來越多地進(jìn)入到
2019-07-18 06:16:01
在使用浩辰CAD制圖軟件繪圖過程中經(jīng)常需要將多條線合并為多段線,比如想計(jì)算房間面積,直接選房間輪廓線沒有得到結(jié)果,把輪廓線合并后,就可以清晰可見房間面積了。這種情況一般可以通過合并多線段的CAD
2020-01-14 14:46:08
和板卡信息丟失
2. PSoC Programmermer沒法擦除指定flash,都是整個(gè)128K擦除,例如在flash中分配一個(gè)row來存儲(chǔ)產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù),如何保證在燒寫images后,保留產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)呢?謝謝
2024-02-27 06:02:59
請教:EPM240T可以建CONST數(shù)組嗎?如果不行,可以建變量數(shù)組,會(huì)耗用芯片內(nèi)部多大資源?什么資源?比如一個(gè)8位寬度數(shù)據(jù),建256個(gè)。 wire [7:0] xxx[255:0];會(huì)耗用多大資源?用WIRE還是用REG比較好?
2016-02-01 08:49:06
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
上半年先進(jìn)制程及成熟制程產(chǎn)能已被客戶全部預(yù)訂一空。大陸方面,中芯國際早已著手進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn);華潤微、華虹半導(dǎo)體等廠商均表示8寸晶圓產(chǎn)線全部滿負(fù)荷運(yùn)行。ST單片機(jī)的熱門型號(hào)漲幅更是一度達(dá)到了200%,并且交
2021-07-23 07:09:00
1.請問一下條件結(jié)構(gòu)怎樣多條件輸入,比如說隨機(jī)數(shù)節(jié)點(diǎn)隨機(jī)產(chǎn)生0到1的數(shù),當(dāng)我獲取到0.2,0.55,0.9三個(gè)數(shù)的時(shí)候,開始執(zhí)行后面的程序。這個(gè)多條件不同步怎么實(shí)現(xiàn)的呢
2016-04-06 20:26:02
labview“繪制多條直線”控件如何實(shí)現(xiàn)同一個(gè)圖片顯示控件上可以顯示多種顏色線?(現(xiàn)在是同一圖片上同一時(shí)刻只能顯示一種顏色,下一時(shí)刻圖片上線的顏色又會(huì)全部變成另一種顏色。)想要實(shí)現(xiàn)的是新圖片某一時(shí)刻顯示的線有不同的顏色?
2018-03-27 17:06:17
“測”精準(zhǔn)數(shù)據(jù)
“數(shù)”據(jù)匯總分析
“智”能開啟高質(zhì)生產(chǎn)
八軸智能測徑儀在高溫、高速的軋鋼產(chǎn)線中兢兢業(yè)業(yè)的檢測數(shù)據(jù),為工作人員提供智能化服務(wù),讓不合格品無所遁形。
1、適應(yīng)環(huán)境情況
軋材速度
2023-09-01 17:42:22
項(xiàng)目名稱:風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃:申請理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn),目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開發(fā),是一個(gè)國產(chǎn)化項(xiàng)目,也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
VIPER12A、VIPER22A:優(yōu)質(zhì)國產(chǎn)電源管理IC特價(jià)銷售:BIPER12A—0.72元/PCSBIPER22A—0.77元/PCS,性能絕對可靠,完全替代ST產(chǎn)VIPER12A
2013-08-17 11:20:24
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
如圖,,這是什么問題???有沒有大神能告訴我一下。。。。另外,,怎樣創(chuàng)建“繪制多條曲線”的“直線結(jié)束點(diǎn)”的輸入控件,,要自己創(chuàng)建,,有數(shù)組,怎樣生成要求的格式?xy這兩個(gè)名字怎么命名?
2014-05-07 14:59:09
分享一個(gè)不錯(cuò)的遙控模塊產(chǎn)線測試解決方案
2021-06-18 07:37:57
臺(tái)產(chǎn)鋰電保護(hù)MOS:AO8810,AO8822,D2017M,A1870,4410,4407***產(chǎn)低壓MOSFET系列:SI2301,SI2300,SI2302,SI3400,SI3401
2011-12-13 10:19:26
如何用labview在三維圖里畫多條線?
2014-11-08 12:08:54
`如何使用機(jī)器視覺識(shí)別這個(gè)零件的缺口并準(zhǔn)確定位出位置和角度信息?包括使用幾個(gè)相機(jī)如何動(dòng)作識(shí)別等等希望大家看看 給些思路`
2013-07-02 21:04:21
中低端片式電阻市場,國內(nèi)片式電阻產(chǎn)業(yè)開始面臨被“卡脖子”的風(fēng)險(xiǎn)。積極應(yīng)對客戶需求,成立富捷電阻事業(yè)部,產(chǎn)能250億只/月 在這種內(nèi)外交困的市場環(huán)境下,國產(chǎn)元器件行業(yè)紛紛加強(qiáng)布局,發(fā)展技術(shù)緊抓擴(kuò)產(chǎn)
2021-12-31 11:56:10
ZNH-MES40型 工業(yè)4.0生產(chǎn)線實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)一、概述ZNH-MES40型 工業(yè)4.0生產(chǎn)線實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)雕刻代木材料頭像的自動(dòng)化無人車間。整線無人化車間主要由模擬 MES 系統(tǒng)、總控單元、立體倉庫
2021-07-01 08:26:56
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn),本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上,介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
`捷配產(chǎn)線智能升級!雙面板優(yōu)惠讓利如下:1㎡打樣內(nèi)優(yōu)惠50元/㎡,24小時(shí)出貨2㎡批量以上價(jià)格低至350元/㎡ 48小時(shí)極速出貨生益板材低至400元/㎡建滔板材低至380元/㎡國紀(jì)板材低至350元/㎡逾期退款,順豐包郵!下單官網(wǎng): https://www.jiepei.com/G34`
2018-12-21 14:44:43
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
,實(shí)現(xiàn)快速自動(dòng)建庫,并且輸出多種EDA格式。與傳統(tǒng)的EDA建庫相比,智能建庫將可以大幅縮短建庫時(shí)間,全面提高效率和準(zhǔn)確率。為昕科技旨在通過新技術(shù)加速完善國產(chǎn)EDA布局,面向電子系統(tǒng)/產(chǎn)品研發(fā)全流程,提供
2022-04-06 15:10:51
6 等無線通信新技術(shù)的廣泛應(yīng)用,預(yù)計(jì)全球 2035 年需求量將達(dá)到 3125 億只,存在 1000 億供需缺口。圖:2019-2025 年全球晶振市場需求及產(chǎn)量來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),西南證券圖
2022-12-23 12:11:24
無線充電藍(lán)牙測試方案(主要分研發(fā)測試 & 產(chǎn)線測試方案)
2020-07-08 16:13:10
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
目前國產(chǎn)led驅(qū)動(dòng)芯片的質(zhì)量怎么樣?有沒有使用國產(chǎn)芯片的?
2018-04-10 10:54:37
`走線或Slide 的時(shí)候顯示才這樣 相當(dāng)難看怎么弄掉那個(gè)缺口`[attach]***[/attach]
2013-03-29 09:44:37
專案執(zhí)行分為三個(gè)主要階段:規(guī)范和用例定義,技術(shù)開發(fā),原型展示研發(fā)。WINSIC4AP項(xiàng)目中的SIC技術(shù)制造SiC元件需要使用專用生產(chǎn)線,系因半導(dǎo)體的物理特性(摻雜劑的極低擴(kuò)散性和晶格的復(fù)雜性),以及
2019-06-27 04:20:26
轉(zhuǎn)轍機(jī)缺口監(jiān)測問題一直是鐵路信號(hào)系統(tǒng)特別是信號(hào)維修部門關(guān)注的熱點(diǎn)。隨著鐵路高速、高密度行車區(qū)段的不斷增加,為了確保行車安全,對行車道岔運(yùn)行質(zhì)量與狀態(tài)穩(wěn)定性監(jiān)測無為重要。
2020-03-30 07:48:45
`幫忙看下這個(gè)電解電容外殼上一個(gè)H型商標(biāo)是什么什么公司產(chǎn)的?`
2013-04-15 09:12:19
建圳達(dá)電纜 建圳達(dá)電纜建圳達(dá)電纜建圳達(dá)電纜澳洲扁平線-技術(shù)特性導(dǎo)體面積m㎡額定電流電氣性能暴露在空氣中A包圍在熱的絕緣內(nèi)A埋與管道中A20℃時(shí)的最 ?直流電阻 ohm
2021-11-10 19:19:41
建圳達(dá)電纜建圳達(dá)ul1007電子線建圳達(dá)ul電子線建圳達(dá)ul電子線,ul1007證書正規(guī)線材導(dǎo)體規(guī)格:UL 1007 電子線為電器設(shè)備內(nèi)部連線,在生產(chǎn)UL1007 電子線領(lǐng)域, 通用標(biāo)稱是以AWG
2022-04-18 08:52:51
SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C
2010-03-04 13:25:26
6541 本文介紹了適用于MPLAB工具設(shè)計(jì)的多條忠告。
2018-06-05 17:28:00
7 關(guān)鍵詞:AMOLED , 國產(chǎn)手機(jī) , 換屏 , LCD 2014-8-13 11:35:04 上傳 下載附件 (36.7 KB) AMOLED屏幕一直以來是三星最引以為傲的顯示技術(shù),自2010
2019-01-13 20:49:01
182 MT-018: 有意為之的非線性DAC
2021-03-21 03:31:30
7 在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:37
4228 6 等無線通信新技術(shù)的廣泛應(yīng)用,預(yù)計(jì)全球 2035 年需求量將達(dá)到 3125 億只,存在 1000 億供需缺口。 ? 圖:2019-2025 年全球晶振市場需求及產(chǎn)量 來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),西南證券 ? 圖:不同設(shè)備需要晶振數(shù)量 來源:上海證券研究所 國內(nèi)市場上,智研咨詢
2022-12-23 00:00:10
781 6 等無線通信新技術(shù)的廣泛應(yīng)用,預(yù)計(jì)全球 2035 年需求量將達(dá)到 3125 億只,存在 1000 億供需缺口。 ? 圖:2019-2025 年全球晶振市場需求及產(chǎn)量 來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),西南證券 ? 圖:不同設(shè)備需要晶振數(shù)量 來源:上海證券研究所 國內(nèi)市場上,智研咨詢
2022-12-23 13:20:02
745 自己的模板 研究 報(bào)告《 2023
國產(chǎn)sic上車關(guān)鍵年》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ?
SiC? 即可領(lǐng)??! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ,請?zhí)砑?/div>
2023-03-11 13:15:02
332 國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢
2023-03-15 17:22:55
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市場空間巨大,SiC國產(chǎn)化趨勢加速
2023-01-13 09:07:05
2 2023年國產(chǎn)SiC上車
2023-10-31 23:02:00
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