低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計

摘要：隨著計算機、通信技術(shù)的發(fā)展，低電壓大電流開關(guān)電源成為目前一個重要的研究課題。介紹了一種輸出電壓為3.3V，輸出電流為20A的開關(guān)電源的設(shè)計過程。

關(guān)鍵詞：有源鉗位；同步整流；正激式變換器

1? 引言

??? 開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。從上世紀90年代以來開關(guān)電源相繼進入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域，計算機、程控交換機、通訊、電子檢測設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開關(guān)電源。隨著電源技術(shù)的發(fā)展，低電壓，大電流的開關(guān)電源因其技術(shù)含量高，應(yīng)用廣，越來越受到人們重視。在開關(guān)電源中，正激和反激式有著電路拓撲簡單，輸入輸出電氣隔離等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。跟反激式相比，正激式變換器變壓器銅損較低，同時，正激式電路副邊紋波電壓電流衰減比反激式明顯，因此，一般認為正激式變換器適用在低壓，大電流，功率較大的場合。

2? 基本技術(shù)

2．1? 有源鉗位技術(shù)

??? 正激DC／DC變換器其固有缺點是功率晶體管截止期間高頻變壓器必須磁復(fù)位。以防變壓器鐵心飽和，因此必須采用專門的磁復(fù)位電路。通常采用的復(fù)位方式有三種，即傳統(tǒng)的附加繞組法、RCD鉗位法、有源鉗位法。三種方法各有優(yōu)缺點：磁復(fù)位繞組法正激變換器的優(yōu)點是技術(shù)成熟可靠，磁化能量可無損地回饋到直流電路中去，可是附加的磁復(fù)位繞組使變壓器結(jié)構(gòu)復(fù)雜化,變壓器漏感引起的關(guān)斷電壓尖峰需要RC緩沖電路來抑制，占空比D<0.5，功率開關(guān)管承受的電壓應(yīng)力與輸入電源電壓成正比。RCD鉗位正激變換器的優(yōu)點是磁復(fù)位電路簡單，占空比D可以大于0.5，功率開關(guān)管承受電壓應(yīng)力較低,但大部分磁化能量消耗在鉗位電阻中，因此它一般適用于變換效率不高且價廉的電源變換場合。有源鉗位技術(shù)是三種技術(shù)中效率最高的技術(shù)，它的電路圖如圖1所示，工作原理如圖2所示。在DT時段之前，開關(guān)管S₁導(dǎo)通，激磁電流i_M為負，即從C_r通過S₁流向T_r，在DT階段，開關(guān)管S的驅(qū)動脈沖u_gs使其導(dǎo)通，同時u_gs1=0，使S₁關(guān)斷，在V_in的作用下，激磁電流由負變正，原邊功率通過變壓器傳到副邊，給輸出端電感L充電；在（1－D）T時段，u_gs=0，S關(guān)斷，u_gs1到來使S₁導(dǎo)通，i_M通過S₁的反并二極管向C_r充電，在C_r和T_r漏感構(gòu)成的諧振電路的作用下，i_M由正變負，變壓器反向激磁。從以上分析中可以看出：有源鉗位正激變換器變壓器鐵心工作在雙向?qū)ΨQ磁化狀態(tài)，提高了鐵心利用率，鉗位電容的穩(wěn)態(tài)電壓隨開關(guān)占空比而自動調(diào)節(jié)，因而占空比可大于50％；V_o一定時，主開關(guān)、輔助開關(guān)應(yīng)力隨V_in的變化不大；所以，在占空比和開關(guān)應(yīng)力允許的范圍內(nèi)，能夠適應(yīng)較大輸入電壓變化范圍的情況。不足之處是增加了一個管子，使得電路變得復(fù)雜。

圖1? 有源鉗位同步整流正激式電路圖

圖2? 有源鉗位電路工作原理圖

2．2? 同步整流技術(shù)

??? 在低電壓大電流功率變換器中，若采用傳統(tǒng)的普通二極管或肖特基二極管整流由于其正向?qū)▔航荡螅ǖ蛪汗瓒O管正向壓降約0.7V，肖持基二極管正向壓降約0.45V，新型低電壓肖特基二極管可達0.32V)，整流損耗成為變換器的主要損耗，無法滿足低電壓大電流開關(guān)電源高效率,小體積的需要。

??? MOSFET導(dǎo)通時的伏安特性為一線性電阻，稱為通態(tài)電阻R_DS，低壓MOSFET新器件的通態(tài)電阻很小，如：IRL3102(20V，61A)、IRL2203S(30V,116A)、IRL3803S(30V,100A)通態(tài)電阻分別為0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω，它們在通過20A電流時，通態(tài)壓降不到0.3V。另外，功率MOSFET開關(guān)時間短,輸入阻抗高，這些特點使得MOSFET成為低電壓大電流功率變換器首選的整流器件。功率MOSFET是一種電壓型控制器件，它作為整流元件時，要求控制電壓與待整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱為同步整流電路。圖1為典型的降壓型“同步”開關(guān)變換器電路(當(dāng)電路中無SR時，為“普通”的降壓型開關(guān)變換器電路)。

3? 電路的設(shè)計

??? 所設(shè)計的電源參數(shù)如下：輸入電壓為50(1±10％)V,輸出電壓為3.3V,電流為20A,工作頻率為100kHz。

??? 采用的主電路拓撲如圖1所示。由于有源鉗位采用的是FLYBACK型鉗位電路，它的鉗位電容電壓為：

??? V_c=V_in

所選用的控制IC芯片為UC3844，它的最大占空比為50％，所以電容上的電壓最大為V_in，電容耐壓為60V以上，只要選取足夠大即可保證電路能正常工作，本電路所選取的鉗位電容為47μF/100V。

??? 有源鉗位管S₁的驅(qū)動必須跟變壓器原邊的地隔離開，而且S₁的驅(qū)動信號必須跟開關(guān)管S驅(qū)動信號反相，使用UCC3580可以實現(xiàn)兩個管子的驅(qū)動，可是這個芯片并不常見，因而這里選用UC3844跟IR2110組合。UC3844出來的控制信號用來作為IR2110的低端輸入，其反相信號作為IR2110的高端輸入，IR2110的高端驅(qū)動通過內(nèi)部自舉電路來實現(xiàn)隔離。這樣，我們就達到了驅(qū)動兩個開關(guān)管的目的。

??? 在輸出整流電路中，當(dāng)續(xù)流二極管（即SR的反并二極管）受正向電壓導(dǎo)通時，應(yīng)及時驅(qū)動SR導(dǎo)通，以減小壓降和損耗。但為了避免SR與SR1同時導(dǎo)通，造成短路事故，必須有“死區(qū)”時間，這時仍靠二極管D導(dǎo)通。SR的開關(guān)瞬時要與續(xù)流二極管的通斷瞬時密切配合，因此對開關(guān)速度要求很高。另外，從成本綜合考慮，選用IRL3102。

??? 變壓器的設(shè)計跟一般正激式變換器變壓器設(shè)計差不多，只是要考慮同步整流管的驅(qū)動。所選用的同步整流管的驅(qū)動開通電壓為4V左右，電路輸出電壓為3.3V，輸出端相當(dāng)于一個降壓型電路，占空比最大為0.5，所以變壓器副邊電壓至少為6.6V。因為MOSFET的柵－源間的硅氧化層耐壓有限，一旦被擊穿則永久損壞，所以實際上柵－源電壓最大值在20～30V之間，如電壓超過20V，應(yīng)該在柵極上接穩(wěn)壓管。

4? 實驗結(jié)果和波形分析

??? 開關(guān)管S₁和S的U_ds波形如圖3所示，RefA為S管壓降波形，50V/div，RefB為S₁管壓降波形，50V/div。電路此時工作在V_in=60V左右，S₁和S的開關(guān)應(yīng)力大概為120V，D=0.5左右。圖4為變壓器輸出電壓，也就是同步整流管SR₁和SR的驅(qū)動信號，正的部分為SR的驅(qū)動信號，負的部分為SR₁的驅(qū)動信號。實驗所得波形和分析的波形基本吻合，只是在開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間，電壓有小尖峰，這是由電路的雜散參數(shù)引起的。該電路的工作效率經(jīng)過測量大約在90％左右，基本達到設(shè)計的要求。