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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>SICMOSFET的特性及對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求

SICMOSFET的特性及對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求

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2019-07-03 08:14:004030

液態(tài)金屬的驅(qū)動(dòng)特性及其在機(jī)器人上的應(yīng)用

由中國(guó)科大、澳大利亞伍倫貢大學(xué)和蘇州大學(xué)組成的聯(lián)合研究組近年來(lái)研究液態(tài)金屬的驅(qū)動(dòng)特性及其在機(jī)器人上的應(yīng)用,設(shè)計(jì)了基于鎵基室溫液態(tài)金屬的新型機(jī)器人驅(qū)動(dòng)器,首次實(shí)現(xiàn)了液態(tài)金屬驅(qū)動(dòng)的功能性輪式移動(dòng)機(jī)器人。
2018-10-20 10:35:516445

電阻的峰值特性及可靠性設(shè)計(jì)要求

電阻通常都會(huì)有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的阻值、功率及最大耐壓,除此常規(guī)參數(shù)以外,很少有人關(guān)注電阻的峰值特性,也不會(huì)計(jì)算,更不用提可靠性要求了,其實(shí)器件的失效往往就在這些不關(guān)注的地方。
2019-08-18 11:24:278065

電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何滿足真空機(jī)器人的發(fā)展要求

在本文中,我將回顧真空機(jī)器人的主要特點(diǎn)和當(dāng)前趨勢(shì),以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)如何幫助滿足這些要求。
2019-08-23 08:56:401219

SiCMOSFET和SiCSBD換流單元瞬態(tài)模型

(SiC)器件所具有的高開(kāi)關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對(duì)雜散參數(shù)影響的敏感性,對(duì)其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。 通過(guò)功率開(kāi)關(guān)器件瞬態(tài)過(guò)程的時(shí)間分段、機(jī)理解耦與參數(shù)解耦,突出器件開(kāi)關(guān)特性,弱化物理機(jī)理,
2022-12-09 10:22:551594

風(fēng)閥驅(qū)動(dòng)器的基本特性都包括著哪些

風(fēng)閥驅(qū)動(dòng)器的基本特性包括電機(jī)靜態(tài)數(shù)據(jù)特性、不斷運(yùn)動(dòng)健身特性(動(dòng)態(tài)特性)、電機(jī)啟動(dòng)特性和電機(jī)剎車系統(tǒng)特性(暫態(tài)過(guò)程特性)。下邊各自作詳細(xì)介紹: 1、靜態(tài)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)距特點(diǎn) 風(fēng)閥驅(qū)動(dòng)器的磁鐵線圈通交流電
2021-02-25 11:17:32842

多種柵極驅(qū)動(dòng)供電選項(xiàng)和基本驅(qū)動(dòng)要求

為半橋配置的高端柵極供電起初似乎是一項(xiàng)棘手的任務(wù),因?yàn)榇蟛糠窒到y(tǒng)都有較高的電平轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度要求。本文論述讓設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)的可行解決方案。
2021-03-15 10:56:464831

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特性及應(yīng)用綜述

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的特性及應(yīng)用綜述
2021-06-25 10:17:3022

歐盟關(guān)于LED驅(qū)動(dòng)電源的安規(guī)、性能要求

歐盟關(guān)于LED驅(qū)動(dòng)電源的安規(guī)、性能要求
2022-03-07 15:34:1615

通過(guò)GaN特性優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路

  對(duì)于GaN開(kāi)關(guān),需要仔細(xì)設(shè)計(jì)其門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路,以實(shí)現(xiàn)更高能效、功率密度及可靠性。此外,謹(jǐn)慎的布板,使用專用驅(qū)動(dòng)器如安森美半導(dǎo)體的NCP51820,及針對(duì)高低邊驅(qū)動(dòng)器的一系列特性,確保GaN器件以最佳性能工作。
2022-05-09 15:01:323748

總線電流要求與收發(fā)器驅(qū)動(dòng)能力

總線電流要求與收發(fā)器驅(qū)動(dòng)能力
2022-11-07 08:07:300

IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化,因而驅(qū)動(dòng)電路性能不好,常常會(huì)造成IGBT的損壞。
2023-02-16 15:07:435459

專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果

這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過(guò)的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策,增加微法級(jí)的CGS,對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓(搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊)。
2023-02-27 13:38:59704

如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間

SiCMOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多,英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時(shí)間,Easy模塊保證2us的短路時(shí)間,因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們來(lái)具體
2022-05-24 15:09:573237

學(xué)技術(shù) | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗

SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件,以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性,已經(jīng)越來(lái)越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET,發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì),盡可能
2022-11-30 15:28:285428

伺服驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)要求

的控制目的。既然伺服驅(qū)動(dòng)器如此的重要,那我們對(duì)于它都應(yīng)該有哪些要求呢?簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)說(shuō):1、伺服驅(qū)動(dòng)器的調(diào)速范圍一定要夠?qū)?,要是老保持一種電機(jī)轉(zhuǎn)速,那我們要它沒(méi)有任何意
2023-01-13 16:20:162570

LED驅(qū)動(dòng)電源CE認(rèn)證要求是什么?

。LED驅(qū)動(dòng)電源出口歐盟的話是需要辦理CE認(rèn)證的,那么LED驅(qū)動(dòng)電源CE認(rèn)證的要求是什么呢?19107516775 LED驅(qū)動(dòng)電源CE認(rèn)證要求包括2個(gè)部分:EMC和LVD, 一、EMC,包括EMS和EMI
2023-08-01 16:57:432140

6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiC MOSFET)

新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:561666

如何更好的使用EiceDRIVER? IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用,但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER1
2023-08-17 09:27:252359

igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響?

igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件,常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管,由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:141899

MOS管的特性驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路

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2023-11-14 10:18:271

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

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2023-11-14 10:22:465

如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過(guò)流保護(hù)

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2023-11-14 14:15:192

LED燈具對(duì)低壓驅(qū)動(dòng)芯片的要求

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2023-11-15 11:20:200

基于逆變器的解決方案及驅(qū)動(dòng)和信號(hào)隔離要求

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2023-11-29 09:20:191

英飛凌EiceDRIVER?技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低,開(kāi)關(guān)速度快,dv/dt高,短路時(shí)間小,對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:102320

電流互感器的特性和使用要求

電流互感器的特性和使用要求? 電流互感器是一種常用的電流測(cè)量和保護(hù)裝置,其主要功能是將高電流通過(guò)互感器變換成低電流,以便于測(cè)量、保護(hù)和控制。它廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中的輸配電設(shè)備和裝置中,如變電站
2023-12-20 14:34:292808

SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高溫性能,因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:491695

汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)的特性

汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)是電動(dòng)汽車的核心部件,它將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能,驅(qū)動(dòng)汽車行駛。隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題日益嚴(yán)重,電動(dòng)汽車作為一種清潔、高效的交通工具,越來(lái)越受到關(guān)注。本文將對(duì)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)的特性進(jìn)行詳細(xì)
2024-01-09 15:12:571933

推動(dòng)SiCMOSFET國(guó)產(chǎn)化,華秋獲“芯塔電子”優(yōu)秀媒體合作伙伴獎(jiǎng)

隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車,光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車上SiCMOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾年可以看到,國(guó)內(nèi)外各大廠商都密集地加入到SiC
2024-01-19 14:49:54890

簡(jiǎn)述igbt對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求有哪些

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
2024-03-12 15:27:382621

如何更好的驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET?——試用X3系列加強(qiáng)型半橋驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對(duì)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高的要求。為了最大化利用SiCMOSFET的性能優(yōu)勢(shì),驅(qū)動(dòng)芯片的選擇需要著重考慮如下幾個(gè)方面:01更高的軌到軌電
2024-05-10 08:14:00939

伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)伺服電機(jī)的控制要求

伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)伺服電機(jī)的控制要求是一個(gè)復(fù)雜而深入的話題。以下是關(guān)于伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)伺服電機(jī)控制要求的概述: 精確性 :伺服驅(qū)動(dòng)器需要能夠精確地控制電機(jī)的位置、速度和加速度,以滿足高精度應(yīng)用的需求。 穩(wěn)定性
2024-06-14 15:24:451852

伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)執(zhí)行元件的基本要求

元件的基本要求,包括性能要求、結(jié)構(gòu)要求、控制要求和可靠性要求等方面。 性能要求 伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)執(zhí)行元件的性能要求主要包括以下幾個(gè)方面: 1.1 精度 伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)要求執(zhí)行元件具有高精度,以保證系統(tǒng)的運(yùn)動(dòng)控制精度。執(zhí)行
2024-06-14 15:30:021243

igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求驅(qū)動(dòng)條件

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的性能和可靠性具有重要影響。本文將介紹IGBT
2024-07-25 10:48:102969

GaN-FET的關(guān)鍵參數(shù)和驅(qū)動(dòng)要求

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2024-09-12 09:57:371

伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)執(zhí)行元件的基本要求

性能  伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)要求執(zhí)行元件具有良好的動(dòng)態(tài)性能,以保證系統(tǒng)在高速運(yùn)動(dòng)和高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。執(zhí)行元件的動(dòng)態(tài)性能包括阻尼比、共振頻率和振動(dòng)特性等?! 〗Y(jié)構(gòu)要求  伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)執(zhí)行元件的結(jié)構(gòu)要求主要
2024-10-23 15:52:161022

伺服驅(qū)動(dòng)器的電源要求和配置

在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,伺服驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅需要提供足夠的動(dòng)力來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī),還需要確保運(yùn)動(dòng)的精確性和穩(wěn)定性。 1. 電源要求 1.1 電壓要求 伺服驅(qū)動(dòng)器的電源電壓要求通常由制造商根據(jù)
2024-11-04 15:28:463650

提高工業(yè)電機(jī)效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器

工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC(碳化硅)MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導(dǎo)通電阻和增加擊穿
2024-11-15 17:30:131192

驅(qū)動(dòng)板的電源要求有哪些

驅(qū)動(dòng)板的電源要求主要包括以下幾個(gè)方面,有感興趣的小伙伴可以進(jìn)來(lái)了解一下哦!
2025-02-13 09:33:331038

安泰高壓放大器在驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)特性測(cè)試中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱: 驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)特性測(cè)試 測(cè)試目的: 針對(duì)球囊形DEA的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)要求搭建了測(cè)試平臺(tái)。通過(guò)MATLAB軟件控制高壓放大器對(duì)球囊型DEA加電驅(qū)動(dòng),使用氣壓傳感器記錄驅(qū)動(dòng)器DE球囊內(nèi)部的氣壓
2025-02-18 14:27:37589

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(九)——柵極鉗位

,然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)器的相關(guān)功能?,F(xiàn)在市場(chǎng)上功率半導(dǎo)體器件IGBT,MOSFET,SiCMOSFET和GaN,大都是電壓柵控器件,驅(qū)動(dòng)起來(lái)比電流型
2025-04-07 18:06:111110

新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板——SiC MOSFET半橋電路

新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板——SiCMOSFET半橋電路該評(píng)估板用于評(píng)估半橋電路中的1ED314xMC12H隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該電路板包括兩個(gè)
2025-04-15 17:03:45950

柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路設(shè)計(jì)對(duì)SiC MOSFET開(kāi)關(guān)性能的影響

摘要每個(gè)功率開(kāi)關(guān)都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,這是必要的,但容易被忽視。柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程有著非常重要的影響,本文分析了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力和雜散參數(shù)這兩個(gè)參數(shù)。本文以SiCMOSFET關(guān)斷過(guò)程為基礎(chǔ),分析了與驅(qū)動(dòng)電路輸出能力和雜散參數(shù)相關(guān)的影響因素,并通過(guò)理論分析和仿真結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。此外,還列
2025-08-22 17:19:47826

汽車級(jí)四路高端驅(qū)動(dòng)器NCV760040:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)解析

在汽車電子以及其他對(duì)可靠性和性能要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域,高端驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。今天我們要深入探討的是安森美(onsemi)推出的一款汽車級(jí)四路高端驅(qū)動(dòng)器——NCV760040,它具備眾多出色的特性和功能,能滿足多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2025-11-28 10:42:05262

高速差分線驅(qū)動(dòng)器SN65LVDS31 - EP的特性與應(yīng)用解析

高速差分線驅(qū)動(dòng)器SN65LVDS31-EP的特性與應(yīng)用解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的高速差分線驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一下德州儀器(TI)的SN65LVDS31
2025-12-24 09:15:09287

探索SNx5LVDS3xx高速差分線路驅(qū)動(dòng)器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

探索SNx5LVDS3xx高速差分線路驅(qū)動(dòng)器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高速數(shù)據(jù)傳輸一直是關(guān)鍵需求,而SNx5LVDS3xx系列高速差分線路驅(qū)動(dòng)器在這方面表現(xiàn)出色。本文將深入探討該系
2025-12-25 16:45:25543

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