電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關斷，是典型的自關斷器件。
2011-01-22 11:57:57
29668 
晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電，故稱之為雙極性晶體管(BJT)，也稱為半導體三極管，以下簡稱晶體管。
2023-02-03 15:43:1410467 
雙極性晶體管(英語：bipolar transistor)，全稱雙極性結型晶體管(bipolar junction transistor, BJT)，俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。
2023-02-24 17:49:516341 
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領著人類科技發(fā)展的重要引擎。
2023-12-28 15:55:255399 
雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導體三極管或三極管，是一種具有三個終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:055231 
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅動電路復雜，驅動功率大。
2024-03-07 15:38:299818 
電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅動電路復雜，驅動功率大。
2024-03-07 17:06:382690 
為大家奉上GP,multisim對雙極性晶體管模型進行模擬分析是基于GP模型的。
2016-01-16 09:13:21
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結（稱這個PN結為“發(fā)射結”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)，接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管，英語名稱為Bipolar Transistor，是雙極性結型晶體管的簡稱
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作，還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特征。工作上與MOSFET相同，通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極與漏極間流過電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33
之間）和發(fā)射結（B、E極之間），發(fā)射結與集電結之間為基區(qū)。 根據(jù)結構不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
晶體管進行舉例。如果是PNP型晶體管，則只要把晶體管的極性由正換成負就行。如果要從基極電流、集電極電流、發(fā)射極電流的組成、流動，PN結的能級等等方面來講清晶體管的放大機理，就更復雜了。這在許多專業(yè)
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
）的三層結構的Field-Effect Transistor（場效應晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
低功耗設計中，晶體管控制電路會對電路產生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結都會有漏電流。當I/O控制基極電壓時，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP開關電路的設計中，基極增加了一個下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進行選擇。
2023-02-15 18:13:01
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-3 15:11 編輯
ROHM 2Sx雙極結型晶體管（BJT）設計用于工業(yè)和消費類應用。 這些BJT有PNP和NPN兩種極性。 2Sx
2019-06-03 14:41:13
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
類型。
雙極結型晶體管(BJT)
雙極結型晶體管是由基極、集電極和發(fā)射極 3 個區(qū)域組成的晶體管。雙極結型晶體管（與 FET 晶體管不同）是電流控制器件。進入晶體管基極區(qū)的小電流會導致從發(fā)射極流向集電極
2023-08-02 12:26:53
本實驗的目的是研究雙極性結型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括：在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化（如電源或溫度）的影響。
2021-02-24 06:24:07
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關特性好，驅動功率高，但驅動電路復雜;GTR和普通雙極結型
2023-02-03 09:36:05
PNP 和 NPN 是兩種類型的雙極結型晶體管 （BJT）。BJT由可以放大電流的摻雜材料制成。它具有PNP和NPN配置選項。PNP 和 NPN晶體管可用于放大或開關。本文將解釋NPN和PNP之間
2023-02-03 09:50:59
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
。對于NPN，它是灌電流?！ ∵_林頓晶體管開關 這涉及使用多個開關晶體管，因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中，一個小輸入雙極結型晶體管（BJT）晶體管參與打開和關閉
2023-02-20 16:35:09
，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結有內建電場，通過外加電場來增大或減小
2025-04-15 10:24:55
，有沒有一種簡單且有效的器件實現(xiàn)對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因為通過調控晶體管內建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結有內建電場，通過外加電場來增大或減小
2025-09-15 15:31:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。前者是本次討論的重點?！ ?b class="flag-6" style="color: red">雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型：NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型（正極）和N型（負極）半導體材料
2023-02-17 18:07:22
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
的比值，使其成為一個跨導器件，IGBT 也是如此。然后我們可以把 IGBT 看作是由 MOSFET 提供基極電流的功率 BJT。絕緣柵雙極性晶體管可以用在小信號放大電路中，與 BJT 或 MOSFET
2022-04-29 10:55:25
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
采用雙極性晶體管的基準電源電路
2019-09-10 10:43:51
、上位機等，給新手綜合學習的平臺，給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導體三...
2021-07-21 06:31:06
高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經商品化的高頻晶體管，大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor，雙極性接點晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:05
44 雙極結型晶體管/絕緣柵場效應晶體管/PN結晶體管習題集:第二章 PN結填空題1、若某硅突變PN結的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 電力晶體管（GTR）
術語用法：電力晶體管（Giant Transistor—GTR，直譯為巨型晶體管）耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Juncti
2009-04-14 22:05:1316937 
異質結雙極晶體管,異質結雙極晶體管是什么意思
異質結雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(qū)(base)異質結SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:555648 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 雙極型晶體管原理詳細介紹
電子和空穴兩種載流子都起作用的晶體管，又稱結型晶體管。
2010-03-05 11:55:1329647 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個P型層.根據(jù)國際電工委員會IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:224527 人們普遍認為，使用雙極結型晶體管（BJT）電流源可以對雙極結型晶體管差分放大器進行溫度補償，但事實并非如此。對I0進行溫度補償?shù)玫匠?shù)re，會導致電流源外部發(fā)射極電阻R0上的電壓低，從而無法精確設置I0。本設計實例分析了BJT差分放大器的發(fā)射極電路電流源I0，及其不同實現(xiàn)方式對放大器增益的影響。
2018-06-04 18:30:005740 
）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
2018-03-01 15:37:4743156 本文將介紹雙極型晶體管的基本結構。雙極晶體管是雙極型結型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結構。
2018-03-05 16:12:1427407 
雙極性晶體管（英語： bipolar transistor），全稱雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件。雙
2018-03-27 14:09:5634382 工藝的不同可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結構的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET），接下來我們就以BJT和FET為例來講述晶體管的工作原理。
2019-04-09 14:18:3136633 雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。
2019-09-13 10:57:0011073 ）。 小貼士： 雙極性晶體管，全稱雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極管，
2020-03-23 11:03:1813923 
以其發(fā)明者Sidney Darlington命名的達林頓晶體管連接在一起的兩個標準NPN或PNP雙極結型晶體管（BJT）的排列。一個晶體管的發(fā)射極連接到另一個晶體管的基極，以產生更靈敏的晶體管，其電流增益大得多，可用于需要電流放大或開關的應用。
2020-08-04 08:00:000 雙極性晶體管（英語：bipolar transistor），全稱雙極性結型晶體管（bipolar junction transistor， BJT），俗稱三極管，是一種具有三個終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。
2020-08-07 16:37:3612615 
本實驗的目的是研究雙極性結型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括:在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化(如電源或溫度)的影響。背景知識電流鏡是一種電路模塊,通過復制輸出端子的電流來產生完全一樣的流入/流出輸入端子電流
2020-12-24 14:39:151669 光電二極管可以產生光電流，因為它的結暴露在入射光下。除了暴露的半導體材料是雙極結型晶體管 （BJT）的基極之外，光電晶體管的功能與此類似。
2021-06-23 16:46:5910207 
雙極型晶體管的原理 雙極型晶體管是一種電流同時控制電子和空穴的導電，是最普及的一種功率晶體管，具有體積小、質量輕、耗電少、壽命長、可靠性高的特點。 雙極型晶體管原理： 對于PNP型器件，需要將兩組
2021-08-18 17:24:336326 雙極型晶體管原理：對于PNP型器件，需要將兩組電源極性反接， 集電極高的反向偏壓。
2022-01-04 10:11:206635 Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。...
2022-02-09 12:34:232 MOSFET的工作原理類似于BJT晶體管，但有一個重要的區(qū)別：
對于BJT晶體管，電流從一個基極到另一個發(fā)射極，決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對于MOSFET晶體管，電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個源極。
2022-06-01 14:55:097736 
雙極結型晶體管(BJT或雙極型晶體管，通常稱為三極管)是一種晶體管，其原理取決于兩個半導體之間的接觸。 BJT可用于放大器電路，開關電路或振蕩電路。 BJT也可以用于單獨組件或集成電路中。 之所以
2022-06-12 14:45:154783 雙極結型晶體管(BJT或雙極型晶體管，通常稱為三極管)是一種晶體管，其原理取決于兩個半導體之間的接觸。 BJT可用于放大器電路，開關電路或振蕩電路。 BJT也可以用于單獨組件或集成電路中。 之所以
2022-06-17 09:04:109281 雙極晶體管（BJT）是最基礎的集成電路器件之一，在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因為這種晶體管工作時，電子和空穴兩種載流子均參與導電，所以被稱為雙極性結型晶體管，簡稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:164468 一.晶體管包括雙極結型晶體管(BJT)、場效應管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結型晶體管，其按PN結結構分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:3924999 對于BJT晶體管，電流從一個基極到另一個發(fā)射極，決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。
對于MOSFET晶體管，電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流能從漏極流向另一個源極。
2022-11-21 09:44:154434 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導（conductance）。高能注入和重摻雜帶來的能帶狹窄也會介紹到
2022-12-05 11:20:091709 首先介紹了雙極性晶體管（BJT）的工作原理，接著演示了晶體管的伏安（I-V）特性，電流增益（current gain）和輸出電導（conductance）。高能注入和重摻雜帶來的能帶狹窄也會介紹到。
2023-02-02 14:15:302608 
場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管(晶體管三極管BJT)是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管
2023-02-02 14:24:024240 
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-02-10 16:56:411096 NPN晶體管是由N型晶體管和P型晶體管組成的，它可以控制電流的流動方向，并且可以用來實現(xiàn)電路的開關控制。NPN晶體管的特點是可以控制電流的流動方向，可以實現(xiàn)電路的開關控制，并且具有較高的靜態(tài)電流增益。
2023-02-24 16:41:109315 
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:551026 
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導電性質的三極管。與場效應晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點。
2023-05-17 15:23:138031 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣柵型
2023-05-20 15:19:121228 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:481105 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:294510 
晶體管和電阻做電流源的區(qū)別是什么？? 在電路中，電流源是一種非常常見的元件。它可以提供恒定的電流，以確保電路中其他元件的正常工作。電路中的電流源可以使用多種方式實現(xiàn)，晶體管（BJT）和電阻分別作為
2023-09-18 10:44:171538 【科普小貼士】什么是雙極晶體管（BJT）？
2023-12-13 14:38:562201 
晶體管作為現(xiàn)代電子技術的核心組件之一，尤其是雙極結型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:582379 
PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應，PNP晶體管的結構特點在于其三個不同的半導體區(qū)域：正極（P型）、負極（N型）、正極（P型）。這種結構使得PNP晶體管在電流流動方向和電荷類型上與NPN晶體管有所不同，但其工作原理基本相同。
2024-07-01 17:45:329204 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結型晶體管）是兩種常見的半導體
2024-08-13 17:42:004535 NPN型和PNP型晶體管是電子學中的兩種基本且重要的雙極型晶體管（BJT），它們在電路設計中扮演著至關重要的角色。下面將詳細闡述這兩種晶體管的定義、結構、工作原理、特性、應用以及它們之間的區(qū)別。
2024-08-15 14:58:399803 能的影響，而非像雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）那樣通過電流控制來實現(xiàn)信號的放大或開關功能。
2024-08-15 15:12:055038 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009540 場效應管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結型晶體管）是兩種在電子電路中廣泛應用的半導體器件。盡管它們都具有放大和開關功能，但在工作原理、結構、性能特點以及應用領域等方面存在顯著差異。
2024-09-13 16:46:233517 晶體管與場效應管的區(qū)別 工作原理 ： 晶體管 ：晶體管（BJT）基于雙極型晶體管的原理，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場效應管 ：場效應管（FET）基于單極型晶體管的原理，即
2024-12-03 09:42:522013 晶體管的基極（B）和發(fā)射極（E）之間施加正向電壓時，勢壘被降低，允許電流通過。 1. 晶體管的基本結構 晶體管主要有三種類型：雙極型晶體管（BJT，Bipolar Junction
2024-12-03 09:50:383522 BJT（Bipolar Junction Transistor）是雙極結型晶體管的縮寫，是一種三端有源器件，通過控制基區(qū)電流來控制集電區(qū)電流，從而實現(xiàn)電流的放大、調節(jié)和開關等功能。BJT的工作原理
2024-12-31 16:11:315763 經典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史，可追溯到Julius E Lilienfeld進行的開創(chuàng)性研究，它構成了現(xiàn)代
2025-01-10 16:01:501488 當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071123 
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