1.FLYBACK的EMC特性

FLYBACK（反激變換器）的開關(guān)功率管在開通和關(guān)斷時刻形成的電壓震蕩尖峰和電流震蕩尖峰是開關(guān)電源中的主要干擾源，對開關(guān)電源的傳導干擾和輻射干擾起著決定性的作用，本文對CCM條件下的開關(guān)尖峰形成過程進行說明。

2.FLYBACK的基本工作原理

（1）在MOSFET管開通時，輸入電壓對變壓器原邊充電而副邊DIODE承受反向電壓截止；

（2）在MOSFET管關(guān)斷時，原邊儲存的能量轉(zhuǎn)移到副邊使DIODE承受正向壓降開始導通，向輸出負載提供能量；

（3）在開關(guān)功率管開通和關(guān)斷瞬間，會產(chǎn)生變化率非常高的dv/dt和di/dt，不僅會對管子的耐壓耐流要求高，而且會產(chǎn)生頻譜很寬（開關(guān)電源的干擾頻譜一般在200 MHz以下）的電磁干；

（4）實際的反激變換器的功率開關(guān)管的開關(guān)波形的影響因素比較復雜，不僅受自身寄生參數(shù)的影響，還會受外界的干擾；

3.FLYBACK在CCM下開關(guān)過程分析

下面主要在其自身寄生參數(shù)的影響下來分析干擾波形的成因。

3.1 FLYBACK電路寄生參數(shù)特性

FLYBACK實際工作波形受PCB寄生電感、變壓器的漏感、變壓器的寄生電容、器件自身的寄生參數(shù)等因素的影響。

圖3-1表示了FLYBACK寄生參數(shù)的示意圖。其中Cin和Co為輸入輸出電容，Lk為變壓器漏感和原邊側(cè)PCB走線的寄生電感，Cp和Cs分別為變壓器原副邊繞組的寄生電容，Cm和Cd為開關(guān)管的寄生電容，Lo為副邊PCB走線和副邊等效漏感的寄生電感。

圖3-1 反激變換器寄生參數(shù)

3.2 MOS管在CCM下的關(guān)斷過程分析

3.2.1 CCM模式下初始狀態(tài)

STEP1：T0前MOSFET管處于導通狀態(tài)，DIODE處于截止狀態(tài)；

STEP2：T0時刻驅(qū)動信號為低電平，使MOSFET由關(guān)斷進入截止狀態(tài)；

注：圖3-2為T0時刻MOSFET管開始關(guān)斷到截止過程示意圖，圖中Rm為MOSFET的導通電阻，Rd為DIODE的導通電阻。

圖3-2 MOSFET在T0時刻由關(guān)斷到截止過程示意圖-T0前時刻

圖3-2 MOSFET在T0時刻由關(guān)斷到截止過程示意圖-T0關(guān)斷時刻

圖3-2 MOSFET在T0時刻由關(guān)斷到截止過程示意圖-T0后截止時刻

3.2.2 MOSFET的關(guān)斷到截止過程

STEP1：當T0前時刻，輸入端對Lk、Cp、Cin進行充電；

STEP2：當T0關(guān)斷時刻，Lk、Cp、Cin要進行能量釋放，在輸入環(huán)路與Cm等形成LC強烈的震蕩電壓與震蕩電流，疊加在MOSFET的電壓和電流波形上，形成較大的電壓尖峰震蕩和較大的電流尖峰震蕩，這就是我們在實際波形測試時，MOSFET管出現(xiàn)關(guān)斷時刻電壓尖峰震蕩和電流尖峰震蕩的原因；

STEP3：截止時刻時，Lk、Cp能量釋放為零，MOSFET管完全截止；

3.2.3 DIODE的開通到導通過程

由于FLYBACK的特點，DIODE與MOSFET在T0時刻的過程相反。

STEP1：當T0前時刻，DIODE處于截止狀態(tài)，并對Cs充電；

STEP2：T0時刻DIODE開始導通，Cs開始放電與Cd、Lo、Co形成LC震蕩回路，但是由于T0前Lo、Cd的能量為零及Cs為pF級的儲存的能量少，使得LC回路形成很小的電壓尖峰震蕩和電流尖峰震蕩，當這就是我們觀測DIODE的電壓和電流時在開通時刻有比較小的電壓和電流尖峰震蕩的原因；

STEP3：MOSFET完全截止時，DIODE完全導通時，并對Cd、Lo、Co、Cs進行充電。

3.3 MOS管在CCM下的開通過程分析

3.3.1 CCM模式下初始狀態(tài)

STEP1：T1前MOSFET管處于截止狀態(tài)，DIODE處于導通狀態(tài)；

STEP2：T1時刻驅(qū)動信號為高電平，使MOSFET由開通進入導通狀態(tài)，圖3-3為T1時刻MOSFET管從開通到導通過程示意圖；

MOSFET在T1時刻由開通到導通過程示意圖-T1前時刻

3.3.2 MOSFET的開通到導通過程

MOSFET的開通到導通的時刻正是DIODE由關(guān)斷到截止的過程；

STEP1：當T1前時刻，輸出回路對Lo、Cs、Co、Cd進行充電；

STEP2：當T1開通時刻，Lo、Cs、Co、Lo要進行能量釋放，在輸出環(huán)路形成LC強烈的震蕩電壓與震蕩電流，疊加在DIODE的電壓和電流波形上，形成較大的電壓尖峰震蕩和較大的電流尖峰震蕩，這就是我們在實際波形測試時，DIODE管出現(xiàn)關(guān)斷時刻電壓尖峰震蕩和電流尖峰震蕩的原因；

STEP3：導通時刻時，Cs、Lo能量釋放為零，DIODE管完全截止。

3.3.3 DIODE的關(guān)斷到截止過程

由于FLYBACK的特點，DIODE與MOSFET在T1時刻的過程相反；

STEP1：當T1前時刻，MOSFET處于截止狀態(tài)，并對Cp充電；

STEP2：T1時刻MOSFET開始導通，Cp開始放電與Cin、Lk、Cm形成LC震蕩回路，但是由于T1前Lk、Cm的能量為零及Cp為p F級的儲存的能量少，使得LC回路形成很小的電壓尖峰震蕩和電流尖峰震蕩，當這就是我們觀測MOSFET管的電壓和電流時在開通時刻有比較小的電壓和電流尖峰震蕩的原因；

STEP3：MOSFET完全導通時，就是DIODE完全截止時，并對Cin、Lk、Cm、Cp進行充電；

4.思考與啟示

（1）FLYBACK的噪聲源為功率管開關(guān)形成的dV/dt和di/dt；

（2）功率回路的寄生參數(shù)是形成開通和關(guān)斷尖峰的主要原因，設(shè)計端要盡量規(guī)避，減小寄生參數(shù)；

（3）分析開通和關(guān)斷過程，能夠更好的進行理解噪聲源特征；