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場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn) | |
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一、用指針式萬用表對(duì)場效應(yīng)管進(jìn)行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(gè)電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向PN結(jié),即是正向電阻,判定為P溝道場效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試,直到判別出柵極為止。 (2)用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞 測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或?yàn)橥?,則說明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測。 (3)用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力 具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,說明管的放大能力較差;表針擺動(dòng)較大,表明管的放大能力大;若表針不動(dòng),說明管是壞的。 運(yùn)用這種方法時(shí)要說明幾點(diǎn):首先,在測試場效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí),萬用表針可能向右擺動(dòng)(電阻值減?。?,也可能向左擺動(dòng)(電阻值增加)。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高,而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同(或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū))所致,試驗(yàn)表明,多數(shù)管的RDS增大,即表針向左擺動(dòng);少數(shù)管的RDS減小,使表針向右擺動(dòng)。但無論表針擺動(dòng)方向如何,只要表針擺動(dòng)幅度較大,就說明管有較大的放大能力。第二,此方法對(duì)MOS場效應(yīng)管也適用。但要注意,MOS場效應(yīng)管的輸人電阻高,柵極G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿去碰觸柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極,引起柵極擊穿。第三,每次測量完畢,應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起VGS電壓,造成再進(jìn)行測量時(shí)表針可能不動(dòng),只有將G-S極間電荷短路放掉才行。 (4)用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管 首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對(duì)調(diào)表筆再測量一次,把其測得電阻值記下來,兩次測得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。 (5)用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小 對(duì)VMOS N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說明管的跨導(dǎo)值越高;如果被測管的跨導(dǎo)很小,用此法測時(shí),反向阻值變化不大。 二、.場效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng) (1)為了安全使用場效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。 (2)各類型場效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。 (3)MOS場效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮。 (4)為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,焊接場效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時(shí),絕對(duì)不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意。 (5)在安裝場效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動(dòng),有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。 對(duì)于功率型場效應(yīng)管,要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨鲂?yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。 總之,確保場效應(yīng)管安全使用,要注意的事項(xiàng)是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術(shù)人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),采取切實(shí)可行的辦法,安全有效地用好場效應(yīng)管。 VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動(dòng)電流小(0.1μA左右),還具有耐壓高(最高1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。
眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。 國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等,典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。 下面介紹檢測VMOS管的方法。 1.判定柵極G 將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。 2.判定源極S、漏極D 由圖1可見,在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。 3.測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on) 將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。 由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。 4.檢查跨導(dǎo) 將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高。 注意事項(xiàng): (1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管,測量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。 (2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,本檢測方法中的1、2項(xiàng)不再適用。 (3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。 (4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,其最高工作頻率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。 (5)使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達(dá)到30W。 (6)多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè),而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。 |
場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn)
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越大,器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使場效應(yīng)管不會(huì)失效。就選擇場效應(yīng)管而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。設(shè)計(jì)工
2020-07-10 14:51:42
場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路分析
在分析的時(shí)候,比如此時(shí)輸入端為高電平,如何確定場效應(yīng)管源極(S極)的電平,從而無法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
TLE9867在制動(dòng)模式下,當(dāng)高壓側(cè)場效應(yīng)管導(dǎo)通、低壓側(cè)場效應(yīng)管斷開時(shí),如何獲得反向電動(dòng)勢(shì)電流?
你好,在制動(dòng)模式下,當(dāng)高壓側(cè)場效應(yīng)管導(dǎo)通、低壓側(cè)場效應(yīng)管斷開時(shí),如何獲得反向電動(dòng)勢(shì)電流?
2024-05-20 06:03:48
proteus 雙柵極場效應(yīng)管
兄弟姐妹們,做proteus仿真,發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場效應(yīng)管3sk系列的怎么辦啊???
2012-12-05 22:55:00
三極管與場效應(yīng)管
場效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過了三極管了么,三極管會(huì)不會(huì)被淘汰?為什么總是討論三極管問題?我是初學(xué)者,剛學(xué)了場效應(yīng)管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44
結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管的分類
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
場效應(yīng)管ppt
1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管1.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管的比較場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:16
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0VMOS場效應(yīng)管介紹及應(yīng)用
VMOS場效應(yīng)管介紹及應(yīng)用
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不
2010-01-13 15:22:25
146
146場效應(yīng)管電子基礎(chǔ)教程
場效應(yīng)管電子基礎(chǔ)教程
場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)1. 什么叫場效應(yīng)管?Field Effect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載
2010-04-14 15:55:42
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261場效應(yīng)管的檢測與測量
場效應(yīng)管的檢測:
由于場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、原理和普通三極管不同,在業(yè)余條件下用萬用表作判別的方法亦不相同,在測試前
2007-07-15 12:40:39
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27526場效應(yīng)管的檢測方法
場效應(yīng)管的檢測方法
一、用指針式萬用表對(duì)場效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣
2007-12-22 11:34:38
2091
2091場效應(yīng)管知識(shí) 什么叫場效應(yīng)管 場效應(yīng)管工作原理
場效應(yīng)管知識(shí)場效應(yīng)晶體管
1.什么叫場效應(yīng)管?
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)
2008-01-15 10:26:47
17464
17464
場效應(yīng)管的類型
這一節(jié)我們要了解場效應(yīng)管的分類,各種場效應(yīng)管的工作特點(diǎn)及根據(jù)特性曲線能判斷管子的類型。
2008-05-23 10:00:48
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VMOS場效應(yīng)管的檢測方法
VMOS場效應(yīng)管 VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)
2009-04-25 15:47:44
2452
2452
場效應(yīng)管的識(shí)別方法及好壞判斷
場效應(yīng)管的識(shí)別方法及測量
一、 符號(hào): “Q、VT” ,場效應(yīng)管簡稱FET,是另一種半導(dǎo)體
2009-04-26 08:34:50
9920
9920
場效應(yīng)管介紹
場效應(yīng)管介紹
場效應(yīng)管(英縮寫FET)是電壓控制器件,它有輸入電壓來控制輸出電流的變化。它具有輸入阻抗高噪聲低,動(dòng)態(tài)
2009-06-30 13:48:08
3724
3724場效應(yīng)管質(zhì)量的簡易判斷
場效應(yīng)管質(zhì)量的簡易判斷
1.結(jié)型場效應(yīng)管電極的判別根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)管的PN 結(jié)正、反向電阻值的不同.可以用萬用表判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法參
2009-08-22 16:00:03
2397
2397功率場效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。
一.功率場效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:14
5400
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場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)2
場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)2
一、場效應(yīng)管工作原理 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極
2009-11-09 15:40:32
1774
1774場效應(yīng)管放大電路
場效應(yīng)管放大電路
1.場效應(yīng)管的小信號(hào)模型
已知場效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式:
2009-11-09 15:59:19
3089
3089場效應(yīng)管的型號(hào)命名方法
場效應(yīng)管的型號(hào)命名方法
現(xiàn)行場效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)
2009-11-26 08:40:22
8457
8457場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn)
場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn) MOS場效應(yīng)管的輸人電阻高,柵極G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿
2009-11-26 10:26:35
1058
1058效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn)
效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn)
一、用指針式萬用表對(duì)場效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)
2009-11-30 10:52:21
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1645場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制電流器件。其特點(diǎn)是輸入電阻高,噪聲系數(shù)低,
2009-12-08 08:59:03
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9055場效應(yīng)管(FET),場效應(yīng)管(FET)是什么意思
場效應(yīng)管(FET),場效應(yīng)管(FET)是什么意思
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同,僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
2010-03-01 11:06:05
48375
48375VMOS場效應(yīng)管的檢測方法及注意事項(xiàng)
VMOS場效應(yīng)管的檢測方法及注意事項(xiàng)
VMOS場效應(yīng)管的檢測方法(1).判定柵極G 將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個(gè)管腳之
2010-03-04 09:49:27
1033
1033VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)
2010-03-04 09:51:03
1797
1797如何測試場效應(yīng)管
如何測試場效應(yīng)管
1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識(shí)別: 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)
2010-03-04 10:00:23
10728
10728VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:53
3750
3750場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:22
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1113場效應(yīng)管放大電路
模電課件,關(guān)于場效應(yīng)管放大電路的基本知識(shí),簡單介紹場效應(yīng)管放大電路及其應(yīng)用
2015-12-31 17:40:48
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0場效應(yīng)管檢測方法詳解
根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極
2017-05-20 14:49:56
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10886
MOS場效應(yīng)管的工作原理_場效應(yīng)管測量方法_場效應(yīng)管與三極管的區(qū)別
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。
2017-07-23 10:43:15
14127
14127MOS場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理-mos場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管有什么區(qū)別
很多人對(duì)MOS場效應(yīng)管的工作原理、基本結(jié)構(gòu)和檢測方法不是很了解,尤其對(duì)于電工來說,如果有一個(gè)直觀的概念可能在日常工作中能節(jié)省很多時(shí)間,而小編今天就搜集了整個(gè)對(duì)MOS場效應(yīng)管的詳細(xì)介紹,希望對(duì)各位電工朋友有所幫助。
2017-07-25 18:27:09
30889
30889
場效應(yīng)管測量方法
場效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕彖柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我{ ]平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們]平常主板中常見使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識(shí)。
2017-10-25 14:45:14
22417
22417
場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因
本文主要介紹了場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因以及場效應(yīng)管的工作原理。場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設(shè)計(jì)、頻率太高、沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)以及MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,都有可能造成場效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重。
2018-01-30 15:13:20
33905
33905
場效應(yīng)管作用是什么_場效應(yīng)管到底好在哪
本文開始介紹了什么是場效應(yīng)管和場效應(yīng)管的特點(diǎn),其次闡述了場效應(yīng)管的參數(shù)及場效應(yīng)管的作用,最后分析了場效應(yīng)管到底好在哪以及場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-03-21 17:10:38
26538
26538場效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小_場效應(yīng)管測量方法圖解
本文開始介紹了場效應(yīng)管的概念和場效應(yīng)管特點(diǎn),其次介紹了場效應(yīng)管的參數(shù)與場效應(yīng)管的作用,最后分析了場效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小以及介紹了場效應(yīng)管測量方法圖解。
2018-04-03 11:37:59
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47554
學(xué)習(xí)場效應(yīng)管 這篇文章管夠
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。
2018-07-21 10:20:44
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13631
場效應(yīng)管工作原理視頻
本文首先介紹了場效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理,其次介紹了場效應(yīng)管的作用,最后介紹了場效應(yīng)管的測量方法。
2018-08-08 15:23:27
40715
40715場效應(yīng)管好壞測量視頻
本文首先介紹了場效應(yīng)管的特點(diǎn),其次介紹了場效應(yīng)管三個(gè)引腳區(qū)分方法與管腳測定方法,最后介紹了場效應(yīng)管測量好壞方法。
2018-08-08 15:36:57
65216
65216場效應(yīng)管開關(guān)電路原理
本文主要介紹了場效應(yīng)管開關(guān)電路原理,另外還介紹了相關(guān)場效應(yīng)管開關(guān)電路圖及其應(yīng)用。
2018-08-16 17:59:58
67730
67730場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn),FET test methods and experience
場效應(yīng)管檢測方法與經(jīng)驗(yàn),FET test methods and experience
關(guān)鍵字:場效應(yīng)管檢測,場效應(yīng)管應(yīng)用
MOS
2018-09-20 18:18:20
915
915場效應(yīng)管的識(shí)別與檢測
場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度影響小等?yōu)點(diǎn),特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。場效應(yīng)管和三極管都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制和放大,但由于它們的結(jié)構(gòu)和工作原理截然不同,所以二者的差別很大。三極管是一種電流控制元件,而場效應(yīng)管是一種電壓控制器件。
2019-07-05 08:58:08
14820
14820場效應(yīng)管與晶體管的比較_場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域
本文首先將場效應(yīng)管與晶體管進(jìn)行了比較,然后說明了場效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域,最后解釋了場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)。
2019-08-14 14:28:04
13751
13751場效應(yīng)管的測量方法
場效應(yīng)管測量方法 電阻法測電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬用表撥在R1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)
2019-08-14 14:46:32
18953
18953MOS場效應(yīng)管的檢測方式及分類
MOS(場效應(yīng)管)首先是需要檢測的,那么在檢測的時(shí)候是比較簡單的,比如說人工就可以來完成。這種初步的人工檢測主要是檢測場效應(yīng)管在遭受到磁場的影響之后,會(huì)不會(huì)破壞原本的效果。其次需要通過判定電極的方式
2020-07-17 16:38:53
4466
4466詳解MOS場效應(yīng)管的檢測方法
場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管
2022-05-27 14:36:37
4631
4631MOS場效應(yīng)管基本知識(shí)
絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為MOS管。
2022-09-23 15:14:42
4125
4125場效應(yīng)管怎樣修_場效應(yīng)管制作可調(diào)電源
場效應(yīng)管怎樣修(1)首先觀察待測場效應(yīng)管外觀,看待測場效應(yīng)管是否完好,如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說明場效應(yīng)管已發(fā)生損壞,如圖1所示,本次待測的場效應(yīng)管外型完好沒有明顯的物理損壞。
2023-02-11 16:58:57
3128
3128場效應(yīng)管的特點(diǎn) 場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)
場效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)、JFET(金屬硅場效應(yīng)管)、IGBT(晶體管場效應(yīng)管)等。
2023-02-17 15:44:05
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6248場效應(yīng)管原理通俗理解 場效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場效應(yīng)管是做什么用的
場效應(yīng)管(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:29
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30336
場效應(yīng)管的原理與作用 場效應(yīng)管在電路中起什么作用?
場效應(yīng)管的原理與作用 場效應(yīng)管在電路中起什么作用?? 場效應(yīng)管,也被稱為晶體管,是一種重要的電子元件。它由一個(gè)半導(dǎo)體材料制成,可以調(diào)節(jié)電流的流動(dòng),被廣泛應(yīng)用于電路的放大和開關(guān)控制。 場效應(yīng)管
2023-09-02 11:31:13
8131
8131場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?
場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方?? MOSFET和場效應(yīng)管(FET)都屬于半導(dǎo)體器件中的一種,類似晶體管。MOSFET是MOS(金屬
2023-09-02 11:31:15
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6348場效應(yīng)管怎么測量好壞
,因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測試和檢測,以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場效應(yīng)管的類型 場效應(yīng)管有兩種類型:N溝道場效應(yīng)管(N-channel FET)和P溝道場效應(yīng)管(P-channel FET)。這兩種類型的場效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理,但具有不同的尺寸和性能特征,
2023-09-02 11:31:24
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8023結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么?
結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么?? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動(dòng)。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管,它們雖然在功能上有相似之處,但在
2023-09-18 18:20:51
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56452586場效應(yīng)管能不能使用3205場效應(yīng)管代替?
2586場效應(yīng)管能不能使用3205場效應(yīng)管代替? 場效應(yīng)管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中,包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等。然而,在一些場合下,我們可能需要找到一個(gè)能夠
2024-01-15 15:49:57
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2596如何判斷場效應(yīng)管的好壞
、使用環(huán)境等因素,場效應(yīng)管在實(shí)際使用中可能會(huì)出現(xiàn)各種問題,如性能下降、損壞等。因此,如何準(zhǔn)確判斷場效應(yīng)管的好壞,對(duì)于保證電子設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。本文將詳細(xì)介紹判斷場效應(yīng)管好壞的方法,并探討其背后的原理和技術(shù)。
2024-05-24 15:52:52
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3825什么是N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,場效應(yīng)管可以分為N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管。這兩種管子在結(jié)構(gòu)和工作原理上有所相似,但在載流子類型、電源極性等方面存在差異。
2024-09-23 16:41:22
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5810常見場效應(yīng)管類型 場效應(yīng)管的工作原理
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,它利用電場效應(yīng)來控制電流的流動(dòng)。場效應(yīng)管的主要類型有結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體
2024-12-09 15:52:34
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3373場效應(yīng)管的參數(shù)介紹 如何測試場效應(yīng)管的功能
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。 場效應(yīng)管
2024-12-09 16:02:42
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