測試漏-源擊穿電壓和關斷時的漏電流

測試時需要使用一臺晶體管圖示儀，電路如圖所示。TOPSwitch-GX的D、C、S極分別接圖示儀的C、B、E孔。由圖示儀提供的漏-源電壓UDS應低于700V，以免損壞器件。當C端加上如圖所示的波形時，可將內部MOSFET關斷。關斷時的漏電流IDSS小于或等于250UA，這可通過串入電路中的微安表測得，亦可由數(shù)字萬用表的直流200UA（或2MA）擋來代替微安表。

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測試漏-源(5965) 測試漏-源(5965)
擊穿電壓(9486) 擊穿電壓(9486)

電流源與電壓源的區(qū)別電流源電路分析

　　電流源輸出的是穩(wěn)定的電流，電壓源輸出的是穩(wěn)定的電壓，當然了，穩(wěn)定只是相對的，這個世界上沒有完全穩(wěn)定的電源。

2023-03-21 11:09:20

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IGBT漏電流增加有哪些原因

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）漏電流增加的原因有多種，以下是對這些原因的分析：正向電壓的增加：當IGBT的控制極壓加上一定的電壓時，例如正向電壓，漏結區(qū)就會被壓縮。這時候漏極和源極之間就會產生一個

2023-12-13 16:01:59

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功率MOSFET的雪崩效應

在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。

2024-02-23 09:38:53

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漏源電壓VDS相關資料下載

　　1、電壓負載　　在具有直流穩(wěn)壓大功率電路的應用中，通常首先考慮選擇漏源電壓VDS。這里的理由是，在實際工作環(huán)境中，MOSFET的最大峰值漏極-源極電壓小于器件規(guī)格的標稱漏極-源極中斷電壓的90

2021-11-12 08:12:11

漏源電壓振蕩嚴重

全橋單向DC-DC變換器中，MOSFET漏源電壓波形如圖所示振蕩很嚴重，這種現(xiàn)象在1kHz的時候不明顯，50khz的時候如圖所示很明顯，請問是為什么？

2022-04-25 11:19:06

漏極，漏磁通，漏感的理解

看到書上講推完變換器的原理，說道當MOS管開通，由于變壓器次級在整流二極管反向恢復時間內造成的短路，漏極電流將出現(xiàn)尖峰在MOS管關斷時，高頻變壓器的漏磁通下降，漏感依然將釋放儲能，變壓器繞組上，相應

2017-07-22 11:57:00

漏電流主要測試哪幾項

什么是耐壓測試？什么是接地電阻測試？漏電流主要測試哪幾項？

2021-09-29 06:30:30

漏電流的測試

任何超級電容器都會在通電的情況下，通過內部并聯(lián)電阻EPR放電，這個放電電流稱為漏電流，它會影響超級電容器單元的自放電。由于漏電流的存在，內部并聯(lián)電阻的大小將決定串聯(lián)的超級電容器單元上的電壓分配，當

2021-04-01 08:49:16

電壓源和電流源的問題

本帖最后由 Stark揚于 2018-10-18 11:27 編輯如果一個電路只有一個電流源，沒有電壓源，那么哪來的電壓來提供給電路呢？比如上面這個電路，電流源的話是改變兩端電壓來達到特定

2018-10-18 11:21:46

AD7794的PSW端在關斷狀態(tài)下的漏電流有多大？

如題，AD7794的PSW端在關斷狀態(tài)下的漏電流有多大？手冊中好像沒有提到

2023-12-18 07:16:29

ASEMI場效應管7N80，7N80性能特點，7N80機械性能

（BVDSS）：800V漏源擊穿電流（IDSS）：1uA柵源漏電流（IGSS）：±100nA柵極開啟電壓（VGS(th)）：5V導通電阻（RDS(on)）：1.9Ω輸入電容（Ciss）：1178pF

2021-12-27 16:01:13

MOS管漏源極導通的原因是什么？

普通N MOS管給柵極一個高電壓，漏極一個低電壓，漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個4-10V的電壓，漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？

2019-06-21 13:30:46

MOS管電壓型靜電擊穿特點

型及功率型。飛虹MOS管廠家今天要分享的電壓型靜電擊穿的特點。電壓型擊穿，即MOS管柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路，它的特點是：（1）穿通擊穿的擊穿點軟

2019-02-12 13:59:28

MOS管各項參數(shù)

%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規(guī)格的。正常

2020-07-23 07:23:18

MOS管的每一個參數(shù)含義，這篇給你講全了！

的90%。VGS(th)，VGS(off)：閾值電壓VGS(th)是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關斷MOSFET時電流消失時的電壓，測試的條件（漏極電流，漏源電壓，結溫）也是有規(guī)格的。正常

2019-08-20 07:00:00

UIS測試了解一下？

面↓2、EAS及EAR是啥子在MOS器件關斷過程中，如果電壓過沖值（通常由漏電流和雜散電感造成）未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，但是——當電感上產生的電壓超過MOSFET的擊穿電壓后，將導致雪崩

2019-08-29 10:02:12

tinyswitch-4的通態(tài)漏源電壓怎么計算呢？

tinyswitch-4的通態(tài)漏源電壓的計算方法，在手冊里面有通態(tài)電阻了，還差哪個電流呢？我做適配器用的，謝謝

2015-05-25 10:07:10

【原創(chuàng)推薦】從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（十五）

的。BVDSS：漏源之間的雪崩電壓。測試條件：Vgs=0V，ID=250uA。給DS端不斷加電壓，此時ID漏電流會增大，當ID達到250uA時，此時的DS電壓即為雪崩擊穿電壓。這里的雪崩擊穿電壓最小值

2021-09-01 17:10:32

中文圖解功率MOS管的參數(shù)，詳細實用資料！

2019-11-15 07:00:00

二極管在反向漏電流在擊穿之隨反向電壓的增加而增加嗎？

二極管在反向漏電流在擊穿之隨反向電壓的增加而增加嗎？隨溫度的升高增加明顯嗎？

2023-03-22 10:29:15

加速RF器件測試需要正確的選擇

在RF測試能夠進行之前，必須測試這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說，包括正向壓降、反響擊穿電壓和結漏電流。對于三極管，這包括不同的結擊穿電壓、結漏電流、集電極或漏極特性等。選擇正確的測試儀器并通過適當?shù)脑O定，能夠極大地加速這些測試過程?！　?/div>

2019-07-22 07:09:31

圖片開漏漏電流未指定

你好，我使用的是PIC16F18854和開放漏極輸出模式，我的問題是開放漏極泄漏電流似乎沒有在數(shù)據表中指定。指定了輸入漏電流（D340，D341），但是沒有提到開路漏極。端口部分中的電路顯示通過

2020-03-11 06:35:45

場效應管各參數(shù)符號含義

）DSS---漏源擊穿電壓V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓VDS(on)---漏源通態(tài)電壓VDS(sat)---漏源飽和電壓VGD---柵漏電壓（直流）Vsu---源襯底電壓（直流

2020-02-14 12:04:48

基準電壓源、電流檢測和電流源

附件基準電壓源電流檢測和電流源.rar1.0 MB

2018-10-17 15:23:22

如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖

的電流。這就是說關斷以后輸出二極管D2中并未立即出現(xiàn)電流，同時總變壓器電流在D1中流動。漏極電感的電壓是鉗位電壓和重位電壓之間的差，且往往會快速釋放漏電。如圖所示，經過簡單計算便可得到分流至緩沖器的能量

2019-05-15 10:57:06

如何控制一個電流源對電容的充電

(ORPSIM-15142): Node N20299 is floating有什么其他的設計方法能實現(xiàn)可控開關，來控制對電容的充電呢？如圖所示，當開關閉合時，電流源中的電流會對電容進行充電，1秒后開關斷開，停止

2017-12-01 16:20:52

如何控制一個電流源對電容的充電

源之間導通的工作原理，完成開關的閉合。但是由于電路中使用的是恒流源，當MOS管的柵源電壓小于閾值電壓時，漏源之間仍然有電流流過，并不能實現(xiàn)開關的關斷。有什么其他的設計方法能實現(xiàn)可控開關，來控制對電容

2017-05-19 11:44:05

如何根據IEC60990標準來測試漏電流？

如何根據IEC60990標準來測試漏電流？

2021-05-11 07:13:28

尋找耐壓測試（介電強度測試）門限電流的標準依據

耐壓測試（介電強度測試）會有一個門限電流，一般叫漏電流或者擊穿電流，有3mA、5mA,還有10mA的，請問有沒有國標規(guī)定

2019-11-13 11:28:35

引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是什么？

本文采用恒定溫度應力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究，得到較為完整的可靠性數(shù)據，并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿，從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應用等方面提供有價值的數(shù)據。

2021-04-14 06:37:09

當耗盡型MOSFET和JFET的柵源電壓大于0時電流怎么變化

康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源

2019-04-08 03:57:38

怎么提高RF器件測試的速度？

、反響擊穿電壓和結漏電流。對于三極管，這包括不同的結擊穿電壓、結漏電流、集電極或漏極特性等。選擇正確的測試儀器并通過適當?shù)脑O定，能夠極大地加速這些測試過程。

2019-07-30 07:13:26

淺談MOS管在電動車控制器中的應用

急速狀態(tài)往往是導通損耗為主?！　?、MOS損壞主要原因：　　過流，大電流引起的高溫損壞（分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導致結溫超過承受值）；過壓，源漏級大于擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般由于柵極電壓受

2019-02-28 10:53:29

海飛樂技術現(xiàn)貨替換IXFH40N85X場效應管

:98nC @ 10VFET型:N-Channel:10V漏極至源極電壓（Vdss）:850V:40A (Tc)主要參數(shù)（1）漏極擊穿電壓BUDBUD是不使器件擊穿的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。BUD隨結

2020-03-20 17:11:50

理解MOSFET額定電壓BVDSS

，來理解這個參數(shù)所設定的含義。數(shù)據表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為I DSS 。數(shù)據表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25

2023-02-20 17:21:32

電池低壓產品的漏電流和耐壓測試

電池低壓產品的漏電流和耐壓測試像手環(huán)，手機，耳機這種電池供電的產品。充電是DC5V。如何用漏電流測試儀和耐壓測試儀進行漏電流和耐壓的測試？怎么接線？AC模式1.電源適配器輸入短路，輸出短路，耐壓

2022-03-08 11:36:29

被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

，來理解這個參數(shù)所設定的含義。數(shù)據表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25

2016-09-06 15:41:04

請問什么是漏電流？

本人最近在學習自舉電容的選擇方法，期間查閱資料，說到影響自舉電容大小，要考慮的因素包括一條是驅動芯片所接MOS管的柵源極間正向漏電流。一直對于漏電流不清楚其含義，原來只知道反向漏電流，現(xiàn)在又來了正向漏電流，所以想請教一下漏電流的意義，包括正反漏電流，希望講的詳細些，謝謝！

2020-04-16 00:14:19

電壓源和電流源區(qū)別

電壓源和電流源區(qū)別:電壓源電流源名字上僅差一個字…HE HE.有一些朋友對此不太明白.所以特此說明下…并以軟件仿真…詳細介紹工作原理…以及注意事項….下面就是電壓源和

2009-09-13 16:57:32

電壓源、電流源特性研究

1．掌握建立電源模型的方法；2．掌握電源外特性的測試方法；3. 了解電壓源電流源及其伏安特性。4．加深對電壓源和電流源特性的理解；5．研究電源模型等效變換的條

2009-11-03 15:39:19

電壓源、電流源及其等效轉換

電壓源、電流源及其等效轉換　　一、實驗目的　　1、了解理想電流源與理想電壓源的外特性；　　2、了解實際電流源與實際電壓源的外特性；

2008-10-17 23:03:13

16241

泄漏電流測試儀的原理和使用說明

泄漏電流測試儀的原理和使用說明泄漏電流測試儀，泄漏電流是指在沒有故障施加電壓的情況下，電氣中帶相互絕緣的

2008-11-23 13:08:29

8580

基于TMS320F2812泄漏電流測試系統(tǒng)的設計

泄漏電流是電氣安全性能測試最關鍵的參數(shù)，為了設計滿足多標準、多種類型泄漏電流測試系統(tǒng)的要求，主要介紹了以TMS320F2812為核心的泄漏電流測試系統(tǒng)，講述了泄漏電流的測試原理和

2012-04-24 17:23:38

3119

漏電開關測試儀圖解_漏電保護測試儀怎么用

漏電保護測試儀測設備漏電流的方法 1、按下漏電開關測試儀“mA”（mA為電流符號）檔直鍵開關;然后打開漏電開關測試儀電源開關。　　2、首先將用電設備外殼接地，然后將用電設備電源線接入漏電開關

2017-08-07 11:15:32

43936

基準電壓源、電流檢測和電流源

2017-09-08 17:32:45

電源內阻對電壓源電流源有什么影響？

在學習電流源和電壓源時，關于電源內阻的問題經常會困惑很多人，只記得電壓源與外界負載連接時認為內阻是和外界負載串聯(lián)；電流源與外界負載連接時認為內阻是和外界負載并聯(lián)，使用時要求電壓源內阻越小越好，電流源內阻越大越好。

2017-11-08 10:14:16

24317

加速射頻器件測試，如何正確操作？

2019-03-15 10:43:37

948

漏電流測試儀原理_漏電流測試儀使用方法_漏電流測試儀使用注意事項

漏電流測試儀它按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國際國內的安全標準而設計，適合用于各種家用電器、電源、電纜線、接線端子、高低壓膠木電器、開關、電源插頭座、電機、影碟機、洗衣機、離心式脫水機

2017-12-26 16:46:47

27452

這幾種MOS管“擊穿”，你了解幾種？

MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G (這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿) 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后

2018-01-22 12:15:01

34938

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時的注意事項。

2018-04-03 16:11:18

63968

泰克科技推出泄漏電流精準測試儀，提供全面的電池測試解決方案

據了解，泰克科技推出的泄漏電流精準測試儀器可達到20fA分辨率，電壓源從200μV到505V（6487），電阻測量范圍10^16Ω（6487），是電極和殼、膜之間泄漏電流的最佳精準測量工具。

2018-04-11 10:40:14

8397

IGBT關斷過程的分析

, MOSFET 的門極電壓Vgs減小至Miller平臺電壓Vmr, 漏源電壓Vds增大至Vds(max), 而漏源電流Ids保持不變. 由于Ib=Ids, BJT的集射極電流Ice受Ib控制, 所以,在IGBT關斷td(off)和Δt過程中, Ice電流仍然保持不變,

2018-12-22 12:41:55

41292

漏電流如何測試

隔離變壓器輸出一端接地的漏電流測試。測試的漏電流有電氣設備絕緣漏電流和隔離變壓器與調壓器由于分布電容形成的容性漏電流。

2019-09-13 15:14:00

42030

如何理解功率MOSFET規(guī)格書之靜態(tài)參數(shù)的詳細資料說明

1．漏源擊穿電壓V（BR）DSS：這個參數(shù)就是我們常說的BVDSS，是指柵源電壓VGS為0時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓，也就是漏源間寄生二極管的反向擊穿電壓。一般定義為漏電流達到

2020-03-07 08:00:00

耐電壓測試儀結構_耐電壓測試儀技術參數(shù)

耐電壓測試儀是測量耐電壓強度的儀器，它可以直觀、準確、快速、可靠地測試各種被測對象的擊穿電壓、漏電流等電氣安全性能指標，并可以作為支流高壓源用來測試元器件和整機性能。

2020-04-22 11:47:17

1807

耐電壓測試儀校準電流的方法及安全注意事項

2020-04-22 14:27:05

3414

AC 耐壓測試與 DC 耐壓測試所量測之漏電流值會不同？

耐壓測試是偵測流過被測物絕緣系統(tǒng)之漏電流，以一高于工作電壓之電壓施加于絕緣系統(tǒng);而電源泄漏電流（接觸電流）則是在被測物正常操作下，以一最不利的條件（電壓、頻率）對被測物量測漏電流。簡單地說，耐壓測試之漏電流為無工作電源下所量測之漏電流，電源泄漏電流（接觸電流）為正常操作下所量測之漏電流 。

2020-08-21 14:53:33

12908

汽車線束的漏電流測試系統(tǒng)的特點及應用方案分析

汽車線束漏電流測試要求精確的電壓、漏電流、以及接觸電阻測試。

2021-01-14 17:59:49

4940

MOS管小電流發(fā)熱應該如何解決

Source、Drain、Gate —— 場效應管的三極：源級S、漏級D、柵級G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至

2021-02-08 17:38:00

4468

理想電壓源VS實際電壓源、理想電流源VS實際電流源

文章目錄1 理想電壓源和實際電壓源1.1 理想電壓源和實際電壓源的模型1.2 電壓源到電流源的轉換2 理想電流源和實際電流源2.1 理想電流源和實際電流源的模型2.2 電流源到電壓源的轉換1 理想

2022-01-11 09:30:57

【科普視頻】你知道電壓源和電流源的區(qū)別嗎？

以輸出電壓的形式向負載供電的電源叫電壓源。以輸出電流的形式向負載供電的電源叫電流源。那你知道它們二者直接的區(qū)別嗎？本期視頻就來跟貝貝一起搞懂電壓源電流源！【科普視頻】你知道電壓源和電流源的區(qū)別嗎？電流源電壓源...

2022-01-12 12:42:06

電壓源與電流源之間的區(qū)別是怎樣的

電流源，能夠提供穩(wěn)定電流的電源。生活中不常見，主要是跟它的工作特性有關。常見的有太陽能電池板。它的特點是電流由自身確定，電壓由外界電路確定。電流源不能開路，否則會電壓過高燒壞電路。應用于半導體激光器生產和測試測量科研等領域的電流源，內阻為無窮大，被稱為理想電流源。

2022-01-20 11:09:51

25053

這幾種MOS管“擊穿”，你了解嗎？

MOSFET的擊穿有哪幾種？Source、Drain、Gate，場效應管的三極：源級S 漏級D 柵級G，（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）。

2022-02-09 11:42:07

電壓源和電流源的區(qū)別

過大，發(fā)熱燒壞電源或電路。而在做測試測量等研究中應用，一般使用理想的電壓源。如果電壓源的內阻等于零，那么它就叫做理想電壓源。理想電壓源輸出的路端電壓值恒等于電源電動勢，且與輸出電流的大小無關。

2022-09-05 15:19:17

7555

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關關斷時的柵極-源極間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。

2023-02-08 13:43:23

1162

電壓源和電流源的區(qū)別

電壓源和電流源都是電子實驗室中比較重要的測試儀器，精度電壓源是高精度、高穩(wěn)定性電壓輸出的基準電壓源，而高精度電流源可以提供高精度、高穩(wěn)定性的電流輸出。然而很多電子工程師對于他們的了解還不夠，不太清楚電壓源和電流源的區(qū)別是什么意思，下面就讓安泰電子來為大家介紹。

2023-04-19 16:04:50

5900

耐壓和漏電流測試區(qū)別

在安規(guī)測試中，有耐壓測試和漏電流測試兩項，發(fā)現(xiàn)兩者的測試連接方式幾乎一致，一端接零火線，一端接外殼，而且耐壓合不合格看的就是電流有沒有小于要求值，兩者原理看似一致，為何要分耐壓測試和漏電流測試？

2023-06-05 09:09:08

4222

電壓源與電流源的特點及等效變換　

一、電壓源及其特點 1、電壓源不論流過的電流為多少，其兩端總能保持一定的電壓，能為外電路提供一定能量的有源元件叫做電壓源。常見的電壓源有干電池，蓄電池，發(fā)電機等。 2、電壓源的特點 1）理想電壓源

2023-09-18 11:40:37

16614

igbt怎樣導通和關斷？igbt的導通和關斷條件

igbt怎樣導通和關斷？igbt的導通和關斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關。IGBT由P型注入區(qū)、N型襯底、N型漏源

2023-10-19 17:08:02

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電源模塊漏電流怎么測試？萬用表如何測泄漏電流？

漏電流測試是電源模塊安規(guī)測試項目之一，目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標準，防止漏電流過大造成設備損毀，甚至引發(fā)電擊安全事故。漏電流測試方法多樣，納米軟件將帶你了解如何用萬用表測量電源模塊的漏電流。

2023-11-06 15:44:52

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不同值的電壓源并聯(lián)、電流源串聯(lián)的影響

不同值的電壓源并聯(lián)、電流源串聯(lián)的影響在電路中，電壓源和電流源是兩種常見的電子元件。它們的不同值以及不同連接方式會對電路的特性產生影響。本文將詳盡、詳實、細致地討論不同值的電壓源并聯(lián)和電流源串聯(lián)

2023-11-10 15:42:10

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附錄一芯片量產測試常用“黑話”

），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高；

2023-11-23 17:38:32

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電流源和電壓源的區(qū)別？

電流源和電壓源的區(qū)別？電流源和電壓源是電路中常見的兩種信號源，它們在電路的分析和設計中起著重要的作用。雖然它們都是信號源，但在其性質、應用和實現(xiàn)方式方面存在一些顯著的區(qū)別。首先，電流源是一個能夠

2023-12-07 14:39:56

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源極和漏極的區(qū)別

源極和漏極的區(qū)別? 源極和漏極是晶體管中的兩個重要極，它們在晶體管的工作過程中起著關鍵作用。源極與漏極之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面：電流流向、電位關系、電壓控制、功率損耗和應用場景。首先，源極

2023-12-07 15:48:19

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開關電源接地、漏電流、耐壓測試介紹

開關電源是電子設備中常用的電源模塊，其作用是將交流電轉換為直流電，為設備提供穩(wěn)定的電壓。為了保證開關電源的安全性和可靠性，需要進行接地、漏電流和耐壓測試。本文將詳細介紹開關電源接地、漏電流、耐壓測試

2024-01-11 14:17:49

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耐壓測試中漏電流的計算方法

發(fā)生的電荷流動現(xiàn)象。在耐壓測試中，漏電流是指設備在額定電壓下，由于絕緣材料存在缺陷而導致的電流泄漏。漏電流的大小直接影響到耐壓測試的安全性和準確性。二、漏電流的計算方法 AC 測試之漏電流理論計算：計算公式：I =2π f V*Cy

2024-01-11 14:38:49

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緣材料熱態(tài)擊穿電壓測試儀

正常工作的電壓加在被測設備的絕緣體上，持續(xù)一段規(guī)定的時間，加在上面的電壓就只會產生很小的漏電流，則絕緣性較好。程控電源模塊、信號采集調理模塊和計算機控制系統(tǒng)三個模塊組成測試系統(tǒng)，帶報警和時間控制功能。 KDZD5550系列智能絕緣材料熱態(tài)擊穿電壓測

2024-02-28 11:53:25

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電壓控制電流源和電流控制電流源的區(qū)別

電壓控制電流源和電流控制電流源是兩種常見的電源類型，它們在電路設計和應用中有著廣泛的應用。本文將詳細介紹這兩種電源的特點、工作原理、優(yōu)缺點以及應用場景。一、電壓控制電流源定義電壓控制電流源

2024-06-16 11:25:33

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電流源串聯(lián)電壓源的工作原理、特性及應用

電流源和電壓源是電路分析中兩種基本的電源類型。在實際電路設計中，電流源和電壓源的組合使用非常常見。 1. 電流源和電壓源的基本概念 1.1 電流源電流源是一種理想化的電源，其特點是無論負載電阻

2024-08-06 17:56:48

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mos管源極和漏極電流相等嗎

（Gate）和襯底（Substrate）。在討論MOSFET的工作原理時，源極和漏極的電流是關鍵參數(shù)之一。在理想情況下，MOSFET的源極和漏極電流在某些工作狀態(tài)下是相等的，這是因為MOSFET的工作原理基于電荷守恒。然而，在實際應用中，由于各種因素，如器件的制造工藝、溫度、電壓等，

2024-09-18 09:58:13

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電容器漏電流測試原理是什么

電容器漏電流測試是評估電容器性能的重要手段之一，它可以幫助我們了解電容器在實際應用中的可靠性和安全性。 1. 電容器漏電流測試的目的電容器在電路中起著儲能、濾波、耦合等作用。然而，電容器并非理想

2024-09-27 10:25:29

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MOS管泄漏電流的類型和產生原因

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的泄漏電流是指在MOS管關斷狀態(tài)下，從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對電路的性能和穩(wěn)定性產生不利影響，因此需要深入了解其類型和產生原因。

2024-10-10 15:11:12

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MOS管的導通電壓與漏電流關系

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的導通電壓與漏電流之間的關系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對這一關系的分析：一、MOS管的導通電壓 MOS管的導通電壓通常指的是柵極-源極電壓（VGS

2024-11-05 14:03:29

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醫(yī)用漏電流測量裝置（YC9706-MD-N）漏電流的測試深圳一測

的規(guī)定，檢測漏電流實際上是檢測漏電流通過特定測量阻抗（模擬人體阻抗的網絡MD）的網絡兩端的電壓降。醫(yī)用漏電流測量裝置（YC9706-MD-N）產品特性醫(yī)用漏電流測量裝置測量（YC9706-MD-N）阻抗由1KΩ低感抗電阻組成，模擬人體阻抗z，漏電流流經z會產生電壓

2024-11-15 10:21:01

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