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01PA記憶效應(yīng)中0頻兩側(cè)阻抗不同的推導(dǎo)
Q：下圖是公眾號文章《5G PA“記憶效應(yīng)”的現(xiàn)象、形成與消除》，請教一下標(biāo)記字體怎么理解？為什么0頻兩側(cè)阻抗不同？
A：供參考：
Q：謝謝，
02
有關(guān)寄生電感值計算的討論
Q：問下我們計算感值用Y參數(shù)和Z參數(shù)算出來有差異?是有什么適用條件？port口接50ohm。
A：y參數(shù)默認(rèn)另一個端口短路，z參數(shù)是開路。
Q：這個我知道?但是知道s參數(shù)?公式編輯轉(zhuǎn)化成y或者z參數(shù)。而且互感系數(shù)用Z參數(shù)算出來合理?互感系數(shù)低于1。
我再看看?可能哪里有問題。
A：你這是不是算的二端口網(wǎng)絡(luò)里并聯(lián)部分的感值和串聯(lián)部分的感值？
A：stoy()?里面不需要填整個S矩陣，填一個復(fù)數(shù)就可以用的嗎？例如S13？要不你試試 Ys=stoy(S), 然后用Ys(1,3)?來繼續(xù)算？
Q：可以，是四端口變壓器。
A：這倆式子一個算的串聯(lián)的一個算的并聯(lián)的，那結(jié)果就是不一樣的。
A：Z參數(shù)算的是V1/I3(I3=0, 3端口開路），所以3端口到地寄生C是和你變壓器電感串聯(lián)，算出來的感值偏小就是正常的。
Q：比如計算感值用Y參數(shù)計算?端口無論是50ohm還是到地?值都是一樣的?但是Z參數(shù)就和你端口狀態(tài)有關(guān)。分別是50ohm和端口接地。
A：對呀，Y參數(shù)是I1/V3(V3=0, 3端口短路到地）所以3端口接多大port就是應(yīng)該和到地一樣的。
Q：為什么s參數(shù)轉(zhuǎn)成Y參數(shù)就是默認(rèn)短路的，不用考慮端口狀態(tài)，轉(zhuǎn)化成Z參數(shù)還和端口狀態(tài)相關(guān)，按理說轉(zhuǎn)化成Z參數(shù)應(yīng)該有相同效果，我這里不存在到地寄生，理想原理圖地。
A：如果是S參轉(zhuǎn)換過去的話應(yīng)該都是一樣的。
Q：是的?之前單獨仿真串并電感是一樣的，不知道是不是結(jié)構(gòu)問，我再看下。
A：根據(jù)定義，Z和Y矩陣都與端口阻抗無關(guān)的。
Q：單獨電感是完全重合的?變壓器需要考慮其他端口影響應(yīng)該?謝謝各位。
03
有關(guān)LNA噪聲系數(shù)與輸入匹配關(guān)系的討論
Q：請教一個LNA問題，為甚么反射系數(shù)越差，噪聲系數(shù)越好，怎么解釋呢？
A：指標(biāo)之間相互制約，很正常的。這兩個指標(biāo)沒有必然的正相關(guān)關(guān)系。
Q：換種說法，源阻抗選擇會和噪聲系數(shù)相關(guān)?這個時候肯定不是共軛匹配，想知道原理，我覺得有聯(lián)系的。
A：低噪放有一個最佳噪聲阻抗，輸入阻抗越接近噪聲越接近NFmin（一般是設(shè)計能達(dá)到最低值），一般來說，最佳噪聲阻抗不在50ohm。
A：也不是反射系數(shù)越差，噪聲系數(shù)越好。你可以看看經(jīng)典二端口噪聲網(wǎng)絡(luò)理論，放大器噪聲基本和FET參數(shù)相關(guān)，但是輸入阻抗和負(fù)載相關(guān)，以及反饋。LNA設(shè)計主要是通過各種手段，比如反饋等等，將輸入阻抗和噪聲阻抗點的距離拉近，同時簡化匹配網(wǎng)絡(luò)，實現(xiàn)一個比較好的trade off。
A：一般低頻LNA，最優(yōu)噪聲阻抗比較大，100附近了，所以，仿真結(jié)果上看上去，輸入阻抗變大，遠(yuǎn)離50ohm接近100，輸入匹配變差，噪聲系數(shù)變好。
A：噪聲系數(shù)很好只能說明源阻抗選取更加靠近最佳噪聲系數(shù)NFmin圓心，但此時的阻抗偏離了源最佳阻抗點。
Q：所以大多數(shù)是犧牲增益換取噪聲系數(shù)，原理上怎么解釋呢？器件的大信號特性或者參數(shù)使得這兩個阻抗點不一樣。
A：犧牲增益是為了獲得一個能夠接受的噪聲。原理上，匹配網(wǎng)絡(luò)只能影響增益大小，不能改變NFmin的位置，一般來說就是把等噪圓和等增益圓畫出來，選一個折中的輸入阻抗。
我感覺還是多數(shù)靠反饋吧。反饋可以改變雙共軛匹配的阻抗位置，可以吧NFmin的位置和共軛匹配的位置拉近。
A：寬帶的基本靠反饋，原理參考托馬斯李那本書LNA一節(jié)的吧。
04
有關(guān)MIPI協(xié)議中的TriggerMode討論
Q：請問MIPI協(xié)議里定義LNA的trigger mode是什么意思，是說LNA開關(guān)嗎？
A：可以理解為一種緩存，可以用來觸發(fā)多個寄存器同時生效。如果trigger使能的話就不把數(shù)據(jù)寫入寄存器，關(guān)閉trigger就會直接把數(shù)據(jù)寫入寄存器。推薦參考文章：《MIPI RFFE協(xié)議解讀》點擊藍(lán)字跳轉(zhuǎn)文章。
05
有關(guān)同軸線用做變壓器阻抗變換的討論
Q：家人們，早上好！請教大家一個問題，這種功放管子用射頻同軸線U型彎傳輸信號，具體是怎樣工作改變相位的？
A：這個是靠同軸線內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體之間180度的相位差。
Q：謝謝！這個同軸線內(nèi)導(dǎo)體芯線和外屏蔽層接在同一塊銅皮上，相當(dāng)于短路發(fā)生全反射，Г=-1，相位確實對應(yīng)180度，但是這樣射頻信號沒有參考地信號怎么灌進(jìn)去傳輸?shù)模?/p>
A：差分的話只能是互相參考，就是信號在微帶內(nèi)傳輸，但是沒有地。
A：看圖片，中間電感匹配的吧？看上去像1:4的。
A：看圖片，電路明明用的是平衡式4：1阻抗變換，但是接法應(yīng)該有問題吧，為什么這電纜兩端還短接了。我覺得是接錯了。
Q：電感匹配沒有問題，接電容也可以。但是為啥和電纜另一頭阻抗變比后的端子還用銅皮短接在一起。
A：應(yīng)該是沒接錯，這個就是把推挽的令一路當(dāng)參考地。
就看成一個λ/4阻抗變換就好了吧。
Q：參考地是虛地。正常的接法是像上面那個一樣，也就是示意圖那樣。
A：像是這個，9:1的guanella transformer。
Q：這樣，看是9：1，謝謝。
06
有關(guān)GaN PA設(shè)計中，過推功率電流消失的現(xiàn)象討論
Q：請教一下群里做PA芯片設(shè)計的朋友：GaN放大管，推飽和功率的時候，突然靜態(tài)電流沒有了，然后過一段時間又自動恢復(fù)了，但是再推功率，功率稍微大一點，靜態(tài)電流又沒了。我懷疑是過推導(dǎo)致這種現(xiàn)象，導(dǎo)致柵極損傷？為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象的？
A：什么叫推飽和的時候，靜態(tài)電流沒有了，那工作電流呢？
Q：推飽和功率的時候，管子的工作電流沒有了，電流為0。
A：柵壓、柵流看了嗎？
Q：柵壓沒有變化，10-20mV的變化而已，柵流還沒看。
A：trapping效應(yīng)。
Q：如果是這個效應(yīng)，這么嚴(yán)重的嗎？我感覺不太正?！，F(xiàn)在上了好幾次電了，柵壓漏壓正常，但靜態(tài)電流依舊是0。
A：激勵也斷開了嗎？
Q：嗯，trapping效應(yīng)一般是靜態(tài)工作點的電流下降，不至于像這種好幾次上電，依舊為0mA。
A：電流沒有了，功率還有不？
Q：沒有，電流，功率，增益都沒有。
A：抬高柵壓也沒有靜態(tài)嘛？
Q：柵壓還沒有抬高，一直恒定的。
A：漏極電壓多少伏？連續(xù)波，還是脈沖？
Q：32V，連續(xù)波。
A：漏極金線有檢查過嘛？
Q：沒有，我是做應(yīng)用的~我看了下，就是推動功率比較大，接近了max range，所以才猜想是不是柵極損傷了。
A：柵極電流有看過不？柵極損傷，一般都是電流變大。
Q：是的，所以我很奇怪，之前突然電流會恢復(fù)，增益正常~好幾次
現(xiàn)在已經(jīng)恢復(fù)不起來了。
A：這個功率是不是10w以內(nèi)的？
Q：10-20w的管。
A：那現(xiàn)在直流看，柵極還能漏流不？
Q：現(xiàn)在完全壞了，調(diào)柵壓也調(diào)不起來了。
A：漏極直接短路了？
Q：GaN漏級一直都是短路的啊。
應(yīng)該是輸入過大推壞的，就是不太清楚里面器件設(shè)計是如何出現(xiàn)這種現(xiàn)象情況的。
A：過推會導(dǎo)致柵極電流，進(jìn)一步導(dǎo)致溝道夾斷，一般過推2-3dB也不會沒有電流。
07
有關(guān)EVM和信噪比之間關(guān)系的討論
Q：EVM和信噪比有關(guān)系嗎？
A：有。
Q：調(diào)制質(zhì)量，尤其發(fā)射機強信噪比時候，說EVM和通常接收機，白噪聲的信噪比門限，誤碼率，是不是應(yīng)該分開討論。
A：EVM=10^(-SNR/20)
Q：這個EVM是在哪里測試的?接收輸入門限下的中頻輸出嗎？矢量信號分析儀也看不出來吧？是數(shù)字解調(diào)里面自己解算的嗎？
A：RX EVM通常芯片內(nèi)部可以計算得出的 Lowpin和Highpin影響因素不一樣?；Lowpin主要是NF占主導(dǎo)；考慮信號源以及元件噪聲；Highpin非線性失真Phasenoise等.
A：EVM和SNR有對應(yīng)關(guān)系，誤碼率也和EVM有對應(yīng)關(guān)系，那EVM和誤碼率的關(guān)系呢?
是不是不同調(diào)制方式EVM和誤碼率關(guān)系不一樣，是這么理解嗎?
Q：這種瀑布圖都不體現(xiàn)調(diào)制信號質(zhì)量吧，當(dāng)理想調(diào)制吧。
A：TX的EVM用頻譜儀測，RX的EVM可以把數(shù)據(jù)采樣出來，用matlab去計算。實際系統(tǒng)工作時不會實時去計算EVM，EVM和SNR都是模擬域的指標(biāo)，用來衡量信號質(zhì)量，誤碼率是數(shù)字域指標(biāo)，這個指標(biāo)是有規(guī)定的，比如10的-4次方，根據(jù)這個要求可以可以得出數(shù)字域要求的信噪比Eb/N0，這個一般與采用的編碼方式和調(diào)制方式有關(guān)，得到這個就可以進(jìn)行指標(biāo)分配了，一般4G要求的SNR是-1.1dB，GSM是4.6dB。
Q：那還是沒有說清，EVM如何關(guān)聯(lián)信噪比，或者能不能轉(zhuǎn)換。
A：可以轉(zhuǎn)換的，公式就是上面這個EVM=10^(-SNR/20)」
Q：那這個EVM是發(fā)射測試的嗎？
A：發(fā)射可以用頻譜儀去測，接收要把數(shù)據(jù)采出來，用matlab去解。
A：EVM和SNR都是衡量信號質(zhì)量。發(fā)射一般用EVM表征，接收用靈敏度表征(靈敏度和SNR一一對應(yīng))，內(nèi)在邏輯是一樣的。
Q：這么問吧?一個發(fā)射EVM很差，電平中強，給接收機，一個發(fā)射EVM很好，電平在靈敏度附近，給接收機。
A：電平是接收電平？
Q：是啊，當(dāng)一臺EVM可以改的射頻信號源吧。
A：EVM差，接收電平高，會有deadzone ，不一定能解調(diào)下來。
A：這個還要看接收機性能吧？以及具體的調(diào)制方式，不能單一看發(fā)射機。
A：這篇文章不錯，進(jìn)一步的參考是不是得看通信原理呢？沒學(xué)過但是粗略翻一遍沒找到講EVM的，供參考。
08
有關(guān)濾波器工藝角偏差的討論
Q：關(guān)于文章《5G射頻前端模組中的濾波器》有以下疑問：這種濾波器有工藝角偏差嗎？以及這種濾波器也存在輸出飽和功率這是為什么呢？是因為無源器件的金屬電流承載能力不夠了嗎？
點擊圖片跳轉(zhuǎn)至《5G射頻前端模組中的濾波器》
A：這種濾波器內(nèi)部是金屬叉指，大功率會導(dǎo)致溫度升高，叉指的尺寸和間距都會變化，影響性能，極端情況下會燒斷叉指，所以有功率耐受的指標(biāo)。
Q：那就是說本質(zhì)上還是大功率引起的溫度變化導(dǎo)致存在飽和功率，而不是像有源器件一樣受限于其非線性和電源對嗎？
A：嗯，是的。
Q：另外，請教下，像這種主要是金屬結(jié)構(gòu)的濾波器，它的工藝角偏差會大嗎？
在有源器件里主要是摻雜濃度不同導(dǎo)致管子的VTH的不同，稱為工藝角的不同。
A：你說的工藝角偏差，我理解是會造成一致性的問題吧，最終影響的是良率，濾波器是會有這個問題的，介質(zhì)摻雜濃度，金屬濺射精度等等因素都會影響，并且不同工藝的濾波器也是不一樣的。
Q：但這種摻雜濃度和金屬濺射的精度的影響是不是相對于有源器件來說要小不少？因為我理解的話，有源器件本來溝道就是很小的一塊區(qū)域，那么精度差一點或者摻雜得稍微多一點或少點，影響會很大，但是作為濾波器來說，其尺寸本來就比有源器件要大不少，那么比如走線寬度稍微寬了些窄了些，是不是影響應(yīng)該相對還好？
A：介質(zhì)濾波器我記得有工藝角偏差，其他不太熟悉，tan?。
Q：您是說的損耗角是嗎？這種影響一般多大呢？
A：對，損耗角，這個要看設(shè)計了。
Q：不過我其實比較好奇的是，就像上面說的，介質(zhì)摻雜濃度和金屬濺射精度會存在多大的差異，以及這些差異對無源器件的影響究竟大不大呢？比如一個100um*100um的線圈，可能設(shè)計時的電感值大約1nH，那實際造出來的話，可能會有多大偏差呢？
A：影響很大，比如金屬叉指的間距是與介質(zhì)中的波長強相關(guān)的，直接影響工作頻率，相差幾um的話，頻率可能就會偏，而聲學(xué)濾波器Q值是很高的，通帶偏一點可能性能就不滿足了，另外還會造成帶內(nèi)紋波惡化等等，所以對尺寸非常敏感，在設(shè)計的時候一般要考慮工藝的誤差，性能上會留出一定余量。聲學(xué)濾波器跟其它LC或LTCC濾波器原理不一樣，它是機械能與電能的轉(zhuǎn)換。
Q：原來如此，學(xué)習(xí)了，謝謝！
09
有關(guān)NFC影響GPS定位的問題排查討論
Q：有人遇到過NFC影響GPS定位的問題嗎？
A：被動端還是主動端？
Q：打開NFC，GPS傳導(dǎo)測試定位就會變慢甚至無法定位。
A：懷疑干擾可以拿頻譜儀看一下頻譜。
Q：NFC輸出在頻譜儀上看了下，在GPS頻段沒有東西。而且GPS有屏蔽罩，難以輻射。
A：?GPS反接測下，你有可能是電源干擾了。
A：排查時鐘頻率或者NFC頻率的高次諧波對GPS模塊的干擾路徑，GPS只是被干擾定位慢，說明干擾信號在帶內(nèi)很小或者帶外，頻譜儀底噪太高看不到的。
重點排查接地。
Q：說的是測試座嗎，直接從GPS芯片口測試也是定位慢。帶外也能干擾到嗎?
有個1574.4MHz的時鐘倍頻。但那個打開和關(guān)閉NFC都存在，似乎不是影響因素。
A：反接測試座到頻譜儀，看下干擾是底噪的抬升還是點頻。
Q：似乎都沒有，CN0測試正常。40左右。
A：看你的描述像是傳導(dǎo)的干擾，看看打開NFC情況下的WBIQ？干擾應(yīng)該在WBIQ上會有所體現(xiàn)的。
Q：是的，傳導(dǎo)干擾。IQ怎么看，走的內(nèi)層，是Qlink。
A：高通的可以直接測WBIQ，Qlink的就不清楚了，看看NFC的時鐘、信號。
Q：高通測試WBIQ PASS了。
A：可以看看WBIQ對應(yīng)的底噪，如果沒異?？赡芫筒皇怯布栴}了。
Q：TIS測試打開和關(guān)閉NFC沒差異，沒有干擾GPS前端。
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有關(guān)不同Term阻抗下的S參數(shù)值理解討論
Q：各位老師好，我想請問一個關(guān)于S參數(shù)的問題。在大學(xué)里學(xué)的S參數(shù)一定是在網(wǎng)絡(luò)某一個端口匹配的情況下，得到反射系數(shù)和傳輸系數(shù)；也就是說，只要網(wǎng)絡(luò)確定，其S參數(shù)唯一確定，不受端接阻抗影響。
但是在ADS仿真時會設(shè)置Term阻抗，而且改變阻抗時，得到的S參數(shù)也會變，這和大學(xué)里學(xué)的有點矛盾，請問這是什么原因呢？是ADS中的S參數(shù)與課本上定義不一樣嗎？
A：不是。就像我們使用適量網(wǎng)絡(luò)分析儀，無論一端是否匹配，儀表上總能得到S11、S21，S22。但這S11數(shù)值并不是真正的系統(tǒng)的S11，而是反射系數(shù)，只有S22端匹配了，儀表上的S11數(shù)值才是系統(tǒng)真實的S11。
Q：明白了?也就是說儀器測到的不是嚴(yán)格的S參數(shù)。
A：S11定義為另一端匹配時的端口反射系數(shù)，但儀表測量的只是端口反射系數(shù)（包含了本端口的反射與另一端口的反射的和），因此盡量使得另一端匹配了，測量的才是S11。
Q：明白了，只有另外一端阻抗與特性阻抗50匹配了，測得的才是S11是嗎？
A：是的。
Q：請問天線這種單端口的呢，直接測得的是真的S11嗎？
A：不是，那是反射系數(shù)，用儀表的S11選項來測量，不嚴(yán)格的說法都通常也稱呼為S11。
A：可不可以這么理解，天線的負(fù)載就是空氣。因為天線的本質(zhì)就是將電流從天線的阻抗轉(zhuǎn)化到空氣阻抗。你在hfss或者cst設(shè)計天線的時候，設(shè)計的邊界條件已經(jīng)把負(fù)載給考慮進(jìn)去了。所以仿真和實際測量時負(fù)載的條件一樣，如果你的測試儀器也是50歐姆端口，那么測試和仿真結(jié)果理論上就是一致的。
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有關(guān)LDMOS工藝討論
Q：各位大神，請教下這個LDMOS截面圖中，x-well是啥意思？
A：可能是n阱也可以是p阱的意思。
Q：謝謝了。
編輯：黃飛
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工商網(wǎng)監(jiān)
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