絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管)
1.絕緣柵型場效應(yīng)營的結(jié)構(gòu)絕緣柵型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖16-6 所示。它和結(jié)型場效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)上的主要不同之處在于,它的柵極是從Si02上
2009-08-22 15:53:46
10094 小功率MOS場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)
2009-08-22 16:02:38
4456 場效應(yīng)管放大電路
場效應(yīng)管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的控制。由場效應(yīng)管組成的基本放大電
2009-09-16 09:59:20
44201 場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識(shí)
一、場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)
2009-11-09 15:18:53
4576 絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET) 的基本知識(shí)
1.增強(qiáng)型NMOS管
s:Source 源極,d:Drain 漏極,g:Gate 柵
2009-11-09 15:46:34
6318 場效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請移步:MOS場效應(yīng)管基本知識(shí)。
2022-11-30 11:20:05
10197 場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。
2023-06-08 09:20:14
1343 
結(jié)型場效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場效應(yīng)管柵極絕緣,沒有電流。
2023-08-17 09:19:34
2532 
則是由一個(gè)絕緣柵和源漏極組成。 MOSFET又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種類型 。與晶體管相比, 場效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、體積小等優(yōu)點(diǎn) ,因此在電子電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-11-17 16:29:52
6975 
MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡
2018-10-27 11:36:33
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出,對(duì)于N溝道型的場效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型;P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
MOS管型防反接保護(hù)電路圖3利用了MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在 MOSFET Rds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級(jí),解決了現(xiàn)有采用二極管
2021-10-29 08:31:20
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡
2019-05-08 09:26:37
力強(qiáng)等優(yōu)于三極管的特點(diǎn),而且便于集成。必須指出,由于場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)一般比較小,所以場效應(yīng)管的放大能力比三極管差,如共源電路的電壓增益往往小于共射電路的電壓增益。另外,由于MOS管柵-源極之間的等效
2011-07-12 20:09:38
再用場效應(yīng)管做采樣保持電路,這里有電容以及控制場效應(yīng)管開關(guān)的脈沖,但實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí),電容的選擇以及脈沖的構(gòu)造都出現(xiàn)了問題。無法實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。下面是電路圖。謝謝了
2013-05-26 23:24:36
管),4DO1(雙柵管)。它們的管腳排列(底視圖)見圖2。 MOS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可
2013-03-27 16:19:17
一部分電路圖,在這里的Q1場效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管?! ?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)管除了以上三大作用之外還可以用作可變電阻,實(shí)現(xiàn)壓控電阻,另外,場效應(yīng)管應(yīng)用場合還有很多,例如高保真音響系統(tǒng)、防反接電路等。原作者:大年君愛好電子
2023-02-24 16:28:18
場效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的H 橋電路,它由2 個(gè)P型場效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場效應(yīng)管Q3、Q3 組成,所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
上,將管子損壞?! ?MOS管每次測量完畢,G-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起電壓UGS,再接著測時(shí)表針可能不動(dòng),此時(shí)將G-S極間短路一下即可。 目前常用的結(jié)型場效應(yīng)管和MOS型絕緣柵場效應(yīng)管的管腳順序如下圖所示。
2021-05-13 06:55:31
場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛
2009-04-25 15:38:10
變大。
如果在柵源之間加負(fù)向電壓,溝道電阻會(huì)越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道,每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓,形成反型
2024-01-30 11:51:42
,場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點(diǎn),但容易被擊穿。場效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)不同分為兩大類,即絕緣柵型場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管。絕緣柵型場效應(yīng)管由金屬、氧化物和半導(dǎo)體材料制成,簡稱MOS管
2020-12-01 17:36:25
場效應(yīng)管的參數(shù)場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時(shí)只要有少量的電荷,就可
2009-04-25 15:43:42
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱Vmos管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108W
2021-05-13 06:40:51
multisim里面有雙柵場效應(yīng)管嗎???
2012-12-21 17:50:47
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
模擬市場上通用的雙柵場效應(yīng)管 BF988MS庫里面的BF988有零件但是沒有仿真模型我查閱BF904 發(fā)現(xiàn)技術(shù)參數(shù)相當(dāng)可以替代
2017-12-21 14:57:33
的基本電路如圖4所示。由電流互感器CT檢測過電流,進(jìn)而切斷柵極信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)功率場效應(yīng)管的保護(hù)。也可用電阻或霍爾元件替代CT。圖3、過壓保護(hù)電路圖4、過流保護(hù)電路另外功率場效應(yīng)管的柵極極易擊穿損壞,柵源
2018-01-31 10:01:49
` MOS管放大器是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電子電路中,特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)場效應(yīng)管兩大類型--結(jié)型MOS管和絕緣柵場效應(yīng)管可構(gòu)成相應(yīng)
2018-10-30 16:02:32
純直流場效應(yīng)管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài),加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道,每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓,形成反型層和導(dǎo)電溝道,溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
絕緣柵場效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是,利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制漏極電流ID。若UGS=0時(shí),源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管,UGS=0 時(shí),漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
絕緣柵型場效應(yīng)管有哪些類型:增強(qiáng)型MOS管耗盡型MOS管
2021-04-01 08:05:28
1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管1.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管的比較場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:16
0 MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為M
2006-04-16 23:41:35
1077 簡單場效應(yīng)管功放電路圖甲類DC功放
2007-06-26 12:40:48
16497 
雙通道場效應(yīng)管混頻器射頻電路 (Dual MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:37:05
1447 
結(jié)型場效應(yīng)管混頻器射頻電路(JFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:40:34
2088 
雙結(jié)型場效應(yīng)管混頻器射頻電路(Dual JFET mixer RF circuit)
2008-11-22 00:13:47
1550 
雙柵型場效應(yīng)管混頻器射頻電路圖(Dual-gate MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-22 00:15:35
4687 
雙柵MOS場效應(yīng)管高頻放大器
2008-12-15 17:38:56
3109 
中和式結(jié)型場效應(yīng)管高頻放大器電路圖
2008-12-15 17:52:41
1153 
場效應(yīng)管邏輯探頭電路圖
2008-12-24 14:46:22
889 
結(jié)型場效應(yīng)管皮爾斯晶體振蕩器電路圖
2009-03-25 09:29:50
2112 
使用N溝道絕緣柵場效應(yīng)管和獨(dú)立二極管檢波的陷流測試振蕩器電路圖
2009-03-29 09:33:20
978 
使用硅結(jié)型場效應(yīng)管的陷流測試振蕩器電路圖
2009-03-29 09:34:24
784 
使用雙絕緣柵場效應(yīng)管的陷流測試振蕩器電路圖
2009-03-29 09:35:00
1655 
場效應(yīng)管特性曲線圖示儀電路圖
2009-04-02 09:33:25
1834 
采用場效應(yīng)管提高輸入阻抗的放大電路圖
2009-04-02 15:56:52
2055 
雙平衡混頻器電路圖
2009-04-03 08:51:41
2080 
mos場效應(yīng)管工作原理
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載
2009-04-25 15:46:34
5438 
VMOS場效應(yīng)管 VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)
2009-04-25 15:47:44
2452 
輸出管用場效應(yīng)管的電路圖
2009-05-13 13:59:52
1588 
場效應(yīng)管石英燈電子變壓器電路圖
2009-06-11 11:19:14
6557 
場效應(yīng)管作為電壓可控的電阻器電路圖
2009-06-25 11:38:56
3001 
高輸入阻抗、單位增益場效應(yīng)管放大器電路圖
2009-06-27 10:12:13
1220 
簡單的場效應(yīng)管定時(shí)器電路圖
2009-06-30 13:12:52
1710 
MOS場效應(yīng)管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:23
1215 雙柵場效應(yīng)管有一個(gè)源極、一個(gè)漏極和兩個(gè)柵極,其中兩個(gè)柵極是互相獨(dú)立的,使得它可以用來作高頻放大器、混頻器、解調(diào)器及增益控制放大器等。表16-4 列出了一些雙柵場
2009-08-22 16:03:58
4214 雙柵場效應(yīng)管(DG FET)
雙柵場效應(yīng)管T可用來構(gòu)成可控增益放大器,輸入信號(hào)加在G1 上, G2交流接地,改變加在G2上的偏壓,就可控制放
2009-09-16 09:43:10
11505
MOS場效應(yīng)管
2009-11-06 17:21:00
1149 場效應(yīng)管的分類: 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類 按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型
2009-11-09 14:27:45
1889 絕緣柵型場效應(yīng)管之圖解
絕緣柵型場效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng),由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來控制漏極電流的器件,它的柵極與半導(dǎo)體之
2009-11-09 15:54:01
25095 場效應(yīng)管放大電路
1.場效應(yīng)管的小信號(hào)模型
已知場效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式:
2009-11-09 15:59:19
3089 場效應(yīng)管和CMOS集成電路的焊接方法
焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電
2010-01-16 10:37:45
1129 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)
2010-03-04 09:51:03
1797 什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場效應(yīng)管)
為了適合大功率運(yùn)行,于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管,即VMOS管。
VMOS管或功率
2010-03-05 15:42:38
5270 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:53
3750 絕緣柵場效應(yīng)晶體管“放電式”長延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:44:54
1879 
絕緣柵場效應(yīng)晶體管長延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:45:53
1671 
本內(nèi)容介紹了雙柵場效應(yīng)管混頻電路的設(shè)計(jì)方案
2011-05-09 18:15:33
0 場效應(yīng)管輸入性測量放大電路圖
2012-05-16 17:04:53
8467 
MOS場效應(yīng)管的基本原理。
2016-03-14 11:31:07
0 電子專業(yè)單片機(jī)相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——MOS場效應(yīng)管
2016-08-16 19:49:20
0 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。
2017-07-23 10:43:15
14128 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
2017-08-01 17:39:41
35267 
場效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕彖柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我{ ]平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們]平常主板中常見使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識(shí)。
2017-10-25 14:45:14
22417 
對(duì)應(yīng)三極管的共射、共集及共基放大電路,場效應(yīng)管放大電路也有共源、共漏和共柵三種基本組態(tài)。下面以JFET組成的共源極放大電路為例,介紹場效應(yīng)管放大電路的工作原理。
2017-10-25 17:23:20
20021 
本文介紹了場效應(yīng)管的分類及金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管相關(guān)知識(shí)的詳解。
2017-11-22 19:54:13
35 絕緣柵場效應(yīng)管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管,通常用MOS表示,簡稱作MOS管。它具有比結(jié)型場效應(yīng)管更高的輸入阻抗
2017-11-23 17:30:24
3343 
本文為大家分享三個(gè)場效應(yīng)管恒流源電路圖。
2018-02-05 16:20:21
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本文主要介紹了場效應(yīng)管放大電路圖大全(五款場效應(yīng)管放大電路原理圖詳解)。該電路中,電池作為直流電源通過負(fù)載電阻器R1為場效應(yīng)管漏極提供偏置電壓,使其工作在放大狀態(tài)。由外接天線接收天空中的各種信號(hào)
2018-03-08 11:37:08
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場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并且目前在工業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)得到普遍運(yùn)用。本文主要介紹了六款場效應(yīng)管逆變器電路圖。
2018-03-21 17:34:18
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MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。
2018-07-21 10:20:44
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本文主要介紹了場效應(yīng)管開關(guān)電路原理,另外還介紹了相關(guān)場效應(yīng)管開關(guān)電路圖及其應(yīng)用。
2018-08-16 17:59:58
67730 絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)除了放大能力稍弱,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度、噪聲及抗干擾能力等方面較雙極型三極管均有著明顯的優(yōu)勢。
2019-02-06 18:22:00
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絕緣柵場效應(yīng)管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管,通常用MOS表示,簡稱作MOS管。它具有比結(jié)型場效應(yīng)管更高的輸入阻抗(可達(dá)1012Ω以上),并且制造工藝比較簡單,使用靈活方便,非常有利于高度集成化。
2019-06-28 16:36:52
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MOS場效應(yīng)管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因而具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)10l5Ω)。它分為N溝道管和P溝道管,如圖2-54所示。通常是將襯底(基板)與源極S接在一同。
2019-11-30 11:01:39
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場效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的差異,首要場效應(yīng)管通常分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管,可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅(可控硅也叫晶閘管,可分單向晶閘管和雙向晶閘管),其間絕緣柵型
2020-09-26 10:55:39
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場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管
2022-05-27 14:36:37
4636 的種類很多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管;絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管,或簡稱MOS場效應(yīng)管。
2022-07-07 15:29:18
3 絕緣柵場效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,英文簡稱是MOSFET,一般也簡稱為MOS管。
2022-09-23 15:14:42
4126 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方?? MOSFET和場效應(yīng)管(FET)都屬于半導(dǎo)體器件中的一種,類似晶體管。MOSFET是MOS(金屬
2023-09-02 11:31:15
6356 結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么?? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動(dòng)。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管,它們雖然在功能上有相似之處,但在
2023-09-18 18:20:51
5647 MOS管和場效應(yīng)管有什么關(guān)系?對(duì)于初學(xué)者來說,這兩個(gè)名字常常讓人混淆,MOS管到底是不是場效應(yīng)管?
2023-11-13 17:23:05
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場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。場效應(yīng)管的工作原理是通過改變柵源極電壓(Vgs)來控制漏極和源極之間的電流
2024-07-14 09:16:06
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評(píng)論