高抗干擾型RC復位電路

• 高抗干擾型RC 復位電路，應(yīng)用于干擾較強的環(huán)境。
• 復位時間長短由RRES 和CRES 的值決定。
• 復位時間的長短，一般考慮為當系統(tǒng)電源穩(wěn)定進入MCU 工作范圍時，才可結(jié)束復位。當MCU 斷電時，CRES
上的電荷應(yīng)盡快完全放電。
• RRES 和CRES 建議數(shù)值為100kΩ和0.1μF。
• 匹配電阻RN 和匹配電容CN 用于匹配內(nèi)部設(shè)計，一般其數(shù)值10kΩ及0.01μF，即為RRES 和CRES 的1/10。
• 高抗干擾型復位電路，主要應(yīng)用于強干擾環(huán)境，要求CN 電容需與MCU 的RES 和VDD 引腳的連線最短。

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