% {8 @; Y$ E) F
1. 適用范圍和目的
1.1 本標(biāo)準(zhǔn)適用于電流互感器和電壓互感器。對(duì)電容式電壓互感器的電容器部分應(yīng)按耦合電容器和電容分壓器相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)的要求進(jìn)行試驗(yàn)。 9 _, y3 @, O" e- U$ T5 j
1.2 本標(biāo)準(zhǔn)的目的是指局部放電的出廠試驗(yàn),當(dāng)制造廠與使用部分商定后,也可作為驗(yàn)收試驗(yàn)。
注 :10kV及以下的產(chǎn)品出廠試驗(yàn)允許采用抽樣試驗(yàn)的方法。抽樣方法按相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。
1.3 本標(biāo)準(zhǔn)適用的最低電壓等級(jí)如下: % }9 n# Y2 _+ B5 S; ?& X
固體絕緣 Um=6.9kV
浸體浸漬絕緣 Um=69kV ! w7 ?( ~: ?5 h' S
其中 :Um-設(shè)備的最高電壓. / w! s8 ^7 {1 r5 \9 R
1.4 本標(biāo)準(zhǔn)可以適用于非慣用型(充氣或氣浸式等)的設(shè)備。這種設(shè)備與慣用型設(shè)備相比,尚缺乏足夠的經(jīng)驗(yàn),其許可的放電水平應(yīng)由制造廠與使用部分協(xié)商確定。?
試驗(yàn)線路 ; {' V- e- c# Q2 b: d* x/ `
2.1 電流互感器的局部放電試驗(yàn)線路如圖1所示。相對(duì)地電壓互感器的局部放電試驗(yàn)線路如圖2所示。

$ m2 K( L- _$ U9 G/ L
A點(diǎn)接地或者B點(diǎn)接地。
國家標(biāo)準(zhǔn)局 1985-11-22發(fā)布 1985-12-01實(shí)施
只要可能鐵心和金屬外殼均接到二次繞組的端子 (K1,K2)上。
電容型電流互感器的地屏應(yīng)接到二次繞組的端子上。

, c% p4 q. l1 ~! K
A點(diǎn)接地或者B點(diǎn)接地。 . g5 f+ F$ S$ B1 ]% \+ X+ s4 E
只要可能鐵心和金屬外殼均接到二次繞組的端子 (a,x)上。
一次繞組端子與地之間的試驗(yàn)電壓可用外施加壓 ,也可由二次繞組感應(yīng)出。 + R4 r* T7 ^9 X% z+ M1 V! H
注 :圖1和圖2中,高壓試驗(yàn)就壓器的電容可以作耦合電容器使用,此時(shí),濾波器Z便可省掉。 2 P( d+ K6 b8 {6 f: E; `
2.2 相對(duì)相電壓互感器的局部放電試驗(yàn)線路應(yīng)與相對(duì)地電壓互感器一樣(見圖2),但應(yīng)向兩個(gè)高壓端子輪流施加電壓,共進(jìn)行兩次試驗(yàn)。當(dāng)一個(gè)高壓端子加壓時(shí),另一個(gè)高壓端子應(yīng)接到低壓端子上。
2.3 經(jīng)制造廠與使用部門協(xié)商,也可能采用與本標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)定的試驗(yàn)線路等效的其他試驗(yàn)線路。 " A" K4 r& G! ?
3. 測(cè)量?jī)x器 L1 n" }: `) z& r# X3 @) @3 _. b
3.1 局部放電的測(cè)量?jī)x器是指把測(cè)量阻抗兩端的電壓變成與所測(cè)成比例的讀數(shù)的儀器。所用儀器應(yīng)符合相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)條款的規(guī)定。 ( ^; p) @' a* M& j- ?6 ]7 p6 V8 Z
3.2 儀器應(yīng)根據(jù)所要測(cè)量的放電參數(shù)來選擇.在本標(biāo)準(zhǔn)中優(yōu)先采用視在電荷q,它以皮庫*(PC)來表示。 - _: u0 o) a7 t3 x) D
注 :局部放電采用寬頻帶(頻帶寬度至少是100kHz)測(cè)量時(shí),具有某些優(yōu)點(diǎn),特別對(duì)具有分布電容和電感的試品更加明顯。對(duì)于互感器一般使用窄頻帶法測(cè)量局部放電就可以了,尤其是當(dāng)測(cè)量頻率可能在0.15～ ! f6 }- y2 a9 f( k6 J. w0 u* i" j
2MHz的范圍內(nèi)選擇時(shí)更可滿足。
測(cè)量時(shí)優(yōu)先采用的頻率是 0.5和1MHz。如有可能,最好是能夠給出最高靈敏度的頻率下進(jìn)行局部放電測(cè)量。 1 b) w3 u" q9 ?, j8 g; k: s
4. 校正 # y7 K" x4 ]0 [1 i
指示回路的指示值來確定局部放電的脈沖強(qiáng)度是通過對(duì)所測(cè)結(jié)果進(jìn)行正確的校正來實(shí)現(xiàn)的。校正應(yīng)包括測(cè)定測(cè)量?jī)x器本身的特性以及接在整個(gè)試驗(yàn)回路中儀器的校正。
皮庫即舊稱微微庫。 5 j/ Q# t5 v( W- g( t
4.1 儀器特征的測(cè)定 6 B/ u4 d& ^7 `: Q. H1 x x
儀器特性的測(cè)定應(yīng)按相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行。 4 {; q1 s) J. N2 \. d+ I% t J5 [
儀器的校驗(yàn)應(yīng)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)全部或部分地定期進(jìn)行 0 Z$ V% \$ d& ^7 l
4.2 整個(gè)試驗(yàn)回路中儀器的校正
這個(gè)校正的目的是從指示回路的指示值求出試品中發(fā)生的局部放電強(qiáng)度?；芈返奶匦?,特別是試品電容與耦合電容之比Cx/Ck對(duì)校正結(jié)果影響很大,因此在改變上述因素時(shí),必須對(duì)回路重新校正。 ' {# `4 Z1 ~7 [( v5 B( b' N
整個(gè)試驗(yàn)回路的校正是通過校正裝置在試品兩注入一個(gè)已知電荷來實(shí)現(xiàn)的。校正裝置包括一臺(tái)電壓幅值為 U0的階躍波發(fā)生器和一個(gè)小的、電容值為C0的電容器。其接線如圖3所示。

點(diǎn)接地或者B點(diǎn)接地。 ! F, J3 x% \+ ?) P& w Q
為使校正保持有效 ,校正用電容應(yīng)不大于0.1(Cx+CkCm-Ck+Cm)式中Cm為測(cè)量阻抗兩端的電容;校正脈沖的上升時(shí)間應(yīng)不大于0.1μs;脈沖衰減時(shí)間在100μs的范圍內(nèi)。在此條件下,校正脈沖等價(jià)于一個(gè)放電量值q0; 注 :校正時(shí)C0不宜小于10皮法*(PF),同時(shí)C0至試品及C0至階躍波發(fā)生器的引線應(yīng)盡量短以免引起校正誤差。?
試驗(yàn)
v5.1 局部放電試驗(yàn)應(yīng)在試品所有絕緣試品結(jié)束以后進(jìn)行. . {- t) @% r' S9 S+ ]
5.2 對(duì)試驗(yàn)電壓的要求:

電壓波形應(yīng)接近正弦形。當(dāng)波形畸變時(shí) ,應(yīng)以峰值除以2作為試驗(yàn)電壓值。 ) R! F( z* D* e8 c9 ]: Z/ E
5.3 試驗(yàn)程序:
試驗(yàn)應(yīng)在不大于 1/3測(cè)量電壓下接通電源,升至預(yù)加電壓,保持10s以上;然后不間斷地降到測(cè)量電壓,保持1min以上,再讀取放電量;最后降以1-3測(cè)量電壓以下,方能切除電源。
注 :也可在工頻耐壓之后,當(dāng)試驗(yàn)電壓降低到要求的電壓值時(shí),接著進(jìn)行局部放電測(cè)量。如果測(cè)得的局部放電量超過表中所列的允許值,則仍應(yīng)按上述規(guī)定單獨(dú)進(jìn)行局部放電試驗(yàn)。
皮法即舊稱微微法。
允許的局部放電水平(見表) ^! Q X9 j! w& @4 d

( Z7 e8 j4 d% k2 Q. k
7.1 讀取視在放電量值時(shí)應(yīng)以重復(fù)出現(xiàn)的、穩(wěn)定的最高脈沖訊號(hào)計(jì)算視在放電量。偶而出現(xiàn)的較高的脈沖可以忽略。 6 [" y3 E v( M+ ?, y) A
7.2 測(cè)量回路的背景噪音水平應(yīng)低于允許放電水平的50%。當(dāng)試品的允許放電水平為10PC或以下時(shí),背景噪音水平可達(dá)到允許放電水平的100%。 8 |; b7 a, F0 i, P6 _* E- J) o
測(cè)量中明顯的干擾可不予考慮。
.試驗(yàn)結(jié)果的判斷 , e( a5 c* }. o, c
如在施加電壓的過程中 ,電壓不產(chǎn)生突然下降,而且在施加測(cè)量電壓期間,測(cè)得的視在放電量不超過表中所規(guī)定的允許值,則判定被試品合格。
只有在制造廠與使用部門商定后,才能按此電壓施加。