1、引言

　　 CCD圖像傳感器由于靈敏度高、噪聲低，逐步成為圖像傳感器的主流。但由于工藝上的原因，敏感元件和信號處理電路不能集成在同一芯片上，造成由CCD圖像 傳感器組裝的攝像機體積大、功耗大。CMOS圖像傳感器以其體積小、功耗低在圖像傳感器市場上獨樹一幟。但最初市場上的CMOS圖像傳感器，一直沒有擺脫 光照靈敏度低和圖像分辨率低的缺點，圖像質量還無法與CCD圖像傳感器相比。

　　如果把CMOS圖像傳感器的光照靈敏度再提高5倍～10 倍，把噪聲進一步降低，CMOS圖像傳感器的圖像質量就可以達到或略微超過CCD圖像傳感器的水平，同時能保持體積小、重量輕、功耗低、集成度高、價位低 等優(yōu)點，如此，CMOS圖像傳感器取代CCD圖像傳感器就會成為事實。

　　由于CMOS圖像傳感器的應用，新一代圖像系統(tǒng)的開發(fā)研制得到了 極大的發(fā)展，并且隨著經濟規(guī)模的形成，其生產成本也得到降低。現(xiàn)在，CMOS圖像傳感器的畫面質量也能與CCD圖像傳感器相媲美，這主要歸功于圖像傳感器 芯片設計的改進，以及亞微米和深亞微米級設計增加了像素內部的新功能。實際上，更確切地說，CMOS圖像傳感器應當是一個圖像系統(tǒng)。一 個典型的CMOS圖像傳感器通常包含：一個圖像傳感器核心（是將離散信號電平多路傳輸?shù)揭粋€單一的輸出，這與CCD圖像傳感器很相似），所有的時序邏輯、 單一時鐘及芯片內的可編程功能，比如增益調節(jié)、積分時間、窗口和模數(shù)轉換器。事實上，當一位設計者購買了CMOS圖像傳感器后，他得到的是一個包括圖像陣 列邏輯寄存器、存儲器、定時脈沖發(fā)生器和轉換器在內的全部系統(tǒng)。與傳統(tǒng)的CCD 圖像系統(tǒng)相比，把整個圖像系統(tǒng)集成在一塊芯片上不僅降低了功耗，而且具有重量較輕，占用空間減少以及總體價格更低的優(yōu)點。

圖1 早期的CCD圖像傳感器

　　2、基本原理

　 　從某一方面來說，CMOS圖像傳感器在每個像素位置內都有一個放大器，這就使其能在很低的帶寬情況下把離散的電荷信號包轉換成電壓輸出，而且也僅需要在 幀速率下進行重置。CMOS圖像傳感器的優(yōu)點之一就是它具有低的帶寬，并增加了信噪比。由于制造工藝的限制，早先的CMOS圖像傳感器無法將放大器放在像 素位置以內。這種被稱為PPS的技術，噪聲性能很不理想，而且還引來對CMOS圖像傳感器的種種干擾。

　　然而今天，隨著制作工藝的提高， 使在像素內部增加復雜功能的想法成為可能?，F(xiàn)在，在像素位置以內已經能增加諸如電子開關、互阻抗放大器和用來降低固定圖形噪聲的相關雙采樣保持電路以及消 除噪聲等多種附加功能。實際上，在Conexant公司（前Rockwell半導體公司）的一臺先進的CMOS 攝像機所用的CMOS圖傳感器上，每一個像素中都設計并使用了6個晶體管，測試到的讀出噪聲只有1均方根電子。不過，隨著像素內電路數(shù)量的不斷增加，留給 感光二極管的空間逐漸減少，為了避免這個比例（又稱占空因數(shù)或填充系數(shù)）的下降，一般都使用微透鏡，這是因為每個像素位置上的微小透鏡都能改變入射光線的 方向，使得本來會落到連接點或晶體管上的光線重回到對光敏感的二極管區(qū)域。

　　因為電荷被限制在像素以內，所以CMOS圖像傳感器的另一個 固有的優(yōu)點就是它的防光暈特性。在像素位置內產生的電壓先是被切換到一個縱列的緩沖區(qū)內，然后再被傳輸?shù)捷敵龇糯笃髦?，因此不會發(fā)生傳輸過程中的電荷損耗 以及隨后產生的光暈現(xiàn)象。它的不利因素是每個像素中放大器的閾值電壓都有細小的差別，這種不均勻性就會引起固定圖像噪聲。然而，隨著CMOS圖像傳感器的 結構設計和制造工藝的不斷改進，這種效應已經得到顯著弱化。

　　這種多功能的集成化，使得許多以前無法應用圖像技術的地方現(xiàn)在也變得可行 了，如孩子的玩具，更加分散的保安攝像機、嵌入在顯示器和膝上型計算機顯示器中的攝像機、帶相機的移動電路、指紋識別系統(tǒng)、甚至于醫(yī)學圖像上所使用的一次 性照相機等，這些都已在某些設計者的考慮之中。

　　3設計考慮

　　然而，這個行業(yè)還有一 個受到普遍關注的問題，那就是測量方法，具體指標、陣列大小和特性等方面還缺乏統(tǒng)一的標準。每一位工程師在比較各種資料一覽表時，可能會發(fā)現(xiàn)在一張表上列 出的是關于讀出噪聲或信噪比的資料，而在另一張表上可能只是強調關于動態(tài)范圍或最大勢阱容量的資料。因此，這就要求設計者們能夠判斷哪一個參數(shù)對他們最重 要，并且盡可能充分利用多產品的CMOS圖像傳感器家族。

　　一些關鍵的性能參數(shù)是任何一種圖像傳感器都需要關注的，包括信噪比、動態(tài)范 圍、噪聲（固定圖形噪聲和讀出噪聲）、光學尺寸以及電壓的要求。應當知道并用來對比的重要參數(shù)有：最大勢阱容量、各種工作狀態(tài)下的讀出噪聲、量子效率以及 暗電流，至于信噪比之類的其它參數(shù)都是由那些基本量度推導出來的。

　　對于像保安攝像機一類的低照度級的應用，讀出噪聲和量子效應最重要。然而對于象戶外攝影一類的中、高照度級的應用，比較大的最大勢阱容量就顯得更為重要。

　 　動態(tài)范圍和信噪比是最容易被誤解和誤用的參數(shù)。動態(tài)范圍是最大勢阱容量與最低讀出噪聲的比值，它之所以引起誤解，是因為讀出噪聲經常不是在典型的運行速 度下測得的，而且暗電流散粒噪聲也常常沒有被計算在內。信噪比主要決定于入射光的亮度級（事實上，在亮度很低的情況下，噪聲可能比信號還要大）。

　 　所以，信噪比應該將所有的噪聲源都考慮在內，有些資料一覽表中常常忽略散粒噪聲，而它恰恰是中、高信號電平的主要噪聲來源。而SNRDARK得到說明， 實際上與動態(tài)范圍沒有什么兩樣。數(shù)字信噪比或數(shù)字動態(tài)范圍是另一個容易引起混淆的概念，它表明的只是模擬/數(shù)字（A/D）轉換器的一個特性。雖然這可能很 重要，但它并不能精確地描述圖像的質量。同時我們也應清楚地認識到，當圖像傳感器具有多個可調模擬增益設置時，模擬/數(shù)字轉換器的分辨率不會對圖像傳感器 的動態(tài)范圍產生限制。

　　光學尺寸的概念的模糊，是由于傳統(tǒng)觀念而致。使用光導攝像管只能在部分范圍內產生有用的圖像。它的計算包括度量單 位的轉換和向上舍入的方法。采用向上舍入的方法，先以毫米為單位測量圖像傳感器的對角線除以16，就能得到以英寸為單位的光學尺寸。例如0.97cm的尺 寸是1.27cm而不是 0.85cm。假如你選擇了一個光學尺寸為0.85cm的圖像傳感器，很可能出現(xiàn)圖像的四周角落上的映影（陰影）現(xiàn)象。這是因為有些資料一覽表欺騙性地使 用了向下舍入的方法。例如，將0.97cm的尺寸稱為0.85cm，理由很簡單：0.85cm光學尺寸的圖像傳感器的價格要比1.27cm光學尺寸的圖像 傳感器的價格低得多，但是這對系統(tǒng)工作性能產生不利影響。所以，設計者應該通過計算試用各種不同的圖像傳感器來得到想要的性能。

　　 CMOS圖像傳感器的一個很大的優(yōu)點就是它只要求一個單電壓來驅動整個裝置。不過設計者仍應謹慎地布置電路板驅動芯片。根據(jù)實際要求，數(shù)字電壓和模擬電壓 之間盡可能地分離開以防止串擾。因此良好的電路板設計，接地和屏蔽就顯得非常重要。盡管這種圖像傳感器是一個CMOS裝置并具有標準的輸入/輸出（I /O）電壓，但它實際的輸入信號相當小，而且對噪聲也很敏感。

　　到目前為止，已設計出高集成度單芯片CMOS圖像傳感器。設計者力求使有 關圖像的應用更容易實現(xiàn)多功能，包括自動增益控制（AGC）、自動曝光控制（AEC）、自動平衡（AMB）、伽瑪樣正、背景補償和自動黑電平校正。所有的 彩色矩陣處理功能都集成在芯片中。CMOS圖像傳感器允許片上的寄存器通過I2C總線對攝像機編程，具有動態(tài)范圍寬、抗浮散且?guī)缀鯖]有拖影的優(yōu)點。

　　4、CMOS APS的潛在優(yōu)點和設計方法

　　4．1CMOS APS勝過CCD圖像傳感器的潛在優(yōu)點

　　CMOS APS勝過CCD圖像傳感器的潛在優(yōu)點包括［1］～［5］：

　　1）消除了電荷反復轉移的麻煩，免除了在輻射條件下電荷轉移效率（CTE）的退化和下降。

　　2）工作電流很小，可以防止單一振動和信號閉鎖。

　　3）在集成電路芯片中可進行信號處理，因此可提供芯跡線，模/數(shù)轉換的自調節(jié)，也能提供由電壓漂移引起的輻射調節(jié)。

　　4．2 CMOS APS的設計方法

　　CMOS APS的設計方法包括：

　　1）為了降低暗電流而進行研制創(chuàng)新的像素結構。

　　2）使用耐輻射的鑄造方，再研制和開發(fā)中等尺寸“dumb”（?。┏上駜x（通過反復地開發(fā)最佳像素結構）。

　　3）研制在芯片上進行信號處理的器件，以適應自動調節(jié)本身電壓Vt的漂移和動態(tài)范圍的損失。

　　4）研制和開發(fā)耐輻射（單一擾動環(huán)境）的定時和控制裝置。

　　5）研制和加固耐輻射的模/數(shù)轉換器。

　　6）尋找低溫工作條件，以便在承受最大幅射強度時，找到并證實最佳的工作溫度。

　　7）研制和開發(fā)大尺寸、全數(shù)字化、耐輻射的CMOS? APS，以便生產。

　　8）測試、評價和鑒定該器件的性能。

　　9）引入當代最高水平的組合式光學通信/成像系統(tǒng)測試臺。

　 　CMOS圖像傳感器的前途是光明的，隨著多媒體、數(shù)字電視、可視通訊等市場的增加，CMOS圖像傳感器的應用前景更加廣闊。CMOS APS為MIS/CCD圖像傳感器設計提供了另一選擇方案，它把電荷轉換成電壓所需的晶體管裝在每個像素內。在這種器件內均不必進行電荷轉移， 因為數(shù)據(jù)讀取是在單個像素內完成的。與CCD圖像傳感器相比，這種器件有很成熟的CMOS集成電路工藝，在降低成本方面有潛力。預期CMOS APS在許多非科學應用領域內將最終替代CCD圖像傳感器。

　　像素傳感器電路結構設計詳情參見：CMOS圖像傳感器的基本原理及設計考慮

　　全面了解了COMS傳感器的原理及設計考慮的主要因素，下面介紹幾種CMOS圖像傳感器應用方案和參考設計。